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【題目】關于電源和電流,下述說法正確的是
A. 電源的電動勢在數(shù)值上始終等于電源正負極之間的電壓
B. 由公式可知,導體的電阻與通過它的電流成反比
C. 從能量轉(zhuǎn)化的角度看,電源是把其他形式的能轉(zhuǎn)化為電能的裝置
D. 閉合日光燈開關,日光燈立刻就亮了,這表明導線中自由電荷定向運動的速率接近光速
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【題目】如圖所示,質(zhì)量為1 kg可以看作質(zhì)點的小球懸掛在長為0.9 m的細線下端,將它拉至與豎直方向成θ=60°的位置后自由釋放。當小球擺至最低點時,恰好與水平面上原來靜止的、質(zhì)量為2 kg的木塊相碰,碰后小球速度反向且動能是碰前動能的。已知木塊與地面的動摩擦因數(shù)μ=0.2,重力加速度取g=10 m/s2。求:
(1)小球與木塊碰前瞬時速度的大;
(2)小球與木塊碰前瞬間所受拉力大小;
(3)木塊在水平地面上滑行的距離。
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【題目】在研究“運動的合成與分解”的實驗中,如圖甲所示,在一端封閉、長約1m的玻璃管內(nèi)注滿清水,水中放置一個蠟塊,將玻璃管的開口端用膠塞塞緊。然后將這個玻璃管倒置,在蠟塊沿玻璃管上升的同時,將玻璃管水平向右移動,假設從某時刻開始計時,蠟塊在玻璃管內(nèi)每1 s上升的距離都是20cm,玻璃管向右勻加速平移,每1s通過的水平位移依次是5cm、15cm、25cm、35cm。圖乙中,y表示蠟塊豎直方向的位移,x表示蠟塊隨玻璃管運動的水平位移,t=0時蠟塊位于坐標原點。
(1)請在圖乙中畫出蠟塊4s內(nèi)的運動軌跡;
(2)求出玻璃管向右平移的加速度;
(3)求t=2 s時蠟塊的速度v.
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【題目】圖a為測量分子速率分布的裝置示意圖。圓筒繞其中心勻速轉(zhuǎn)動,側(cè)面開有狹縫N,內(nèi)側(cè)貼有記錄薄膜,M為正對狹縫的位置。從原子爐R中射出的銀原子蒸汽穿過屏上S縫后進入狹縫N,在圓筒轉(zhuǎn)動半個周期的時間內(nèi)相繼到達并沉積在薄膜上。展開的薄膜如圖b所示,NP,PQ間距相等。則 ( )
A. 到達M附近的銀原子速率較大
B. 到達Q附近的銀原子速率較大
C. 位于PQ區(qū)間的分子百分率大于位于NP區(qū)間的分子百分率
D. 位于PQ區(qū)間的分子百分率小于位于NP區(qū)間的分子百分率
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【題目】甲、乙同時從A處由靜止出發(fā),沿直線AB運動,甲先以加速度a1做勻加速運動,經(jīng)一段時間后,改以加速度a2做勻加速運動,到達B的速度為v0,乙一直以加速度a做勻加速運動,到達B的速度也為v0。已知a1>a,則( )
A. a2<a
B. a2>a
C. 經(jīng)過AB間任一點時甲的速度一定大于乙的速度
D. 經(jīng)過AB間某一點時,甲的速度可能小于乙的速度
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【題目】甲、乙兩車在平直公路上同向行駛,其圖像如圖所示。已知兩車在時并排行駛,則
A. 在時,乙車在甲車前7.5m
B. 兩車另一次并排行駛的時刻是
C. 在時,乙車在甲車前面
D. 甲、乙兩車兩次并排行駛的位置之間沿公路方向的距離為30m
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【題目】如圖,戰(zhàn)機在斜坡上方進行投彈演練。戰(zhàn)機水平勻速飛行,每隔相等時間釋放一顆炸彈,第一顆落在a點,第二顆落在b點。斜坡上c、d兩點與a、b共線,且ab=bc=cd,不計空氣阻力。第三顆炸彈將落在
A. bc之間 B. c點 C. cd之間 D. d點
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【題目】兩個質(zhì)點A、B放在同一水平面上,由靜止開始從同一位置沿相同方向同時開始做直線運動,其運動的v—t圖象如圖所示。對A、B運動情況的分析,下列結(jié)論正確的是: ( )
A. A、B加速時的加速度大小之比為2∶1
B. 在t=3t0時刻,A、B相距最遠
C. 在t=5t0時刻,A、B相距最遠
D. 在t=6t0時刻,A、B相遇
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【題目】如圖所示,兩平行金屬導軌位于同一水平面上,相距l,左端與一電阻R相連;整個系統(tǒng)置于勻強磁場中,磁感應強度大小為B,方向豎直向下.一質(zhì)量為m的導體棒置于導軌上,在水平外力作用下沿導軌以速度v勻速向右滑動,滑動過程中始終保持與導軌垂直并接觸良好.已知導體棒與導軌間的動摩擦因數(shù)為μ,重力加速度大小為g,導軌和導體棒的電阻均可忽略.求:
(1)電阻R消耗的功率;
(2)水平外力的大小.
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【題目】質(zhì)點做直線運動的位移x與時間t的關系為(各物理量均采用國際單位制單位),則該質(zhì)點( 。
A. 前2s內(nèi)的位移是5m
B. 前1s內(nèi)的平均速度是6m/s
C. 任意相鄰的1s內(nèi)位移差都是6m
D. 1s末的速度是6m/s
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