（2009?南通模擬）如圖所示為空間某一電場(chǎng)的電場(chǎng)線，a、b兩點(diǎn)為其中一條豎直向下的電場(chǎng)線上的兩點(diǎn)，該兩點(diǎn)的高度差為h，一個(gè)質(zhì)量為m、帶電量為+q的小球從a 點(diǎn)靜止釋放后沿電場(chǎng)線運(yùn)動(dòng)到b點(diǎn)時(shí)速度大小為

3gh

，則下列說(shuō)法中正確的有（　�。�

如圖的虛線為某電場(chǎng)的等勢(shì)面，今有兩個(gè)帶電粒子（重力不計(jì)），以不同的速率，沿不同的方向，從A點(diǎn)飛入電場(chǎng)后，沿不同的徑跡1和2運(yùn)動(dòng)，由軌跡可以判定（　�。�

（2011?天門模擬）如圖所示，AB、CD為一圓的兩條直徑，且相互垂直，O點(diǎn)為圓心．空間存在一未知靜電場(chǎng)，場(chǎng)強(qiáng)方向與圓周所在平面平行．現(xiàn)有一電子，在電場(chǎng)力作用下（重力不計(jì)），先從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)，動(dòng)能減少了W；又從C點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)，動(dòng)能增加了W，那么關(guān)于此空間存在的靜電場(chǎng)可能是（　�。�

如圖，在真空中有兩個(gè)等量正點(diǎn)電荷q₁和q₂，MN為它們連線的中垂線，M為無(wú)窮遠(yuǎn)，N為連線中點(diǎn)，現(xiàn)將一負(fù)點(diǎn)電荷q₃由N點(diǎn)沿NM移動(dòng)到M點(diǎn)的過(guò)程中（　�。�

如圖為一小球做平拋運(yùn)動(dòng)的閃光照片的一部分，圖中背景方格的邊長(zhǎng)均為5cm．若取g=10m/s²，那么：
（1）閃光頻率是Hz．
（2）小球運(yùn)動(dòng)中水平分速度的大小是m/s．
（3）小球經(jīng)過(guò)B時(shí)的速度大小是m/s，方向．

如圖所示，斜劈形物體的質(zhì)量M，放在水平地面上，質(zhì)量為m的粗糙物塊以某一初速度沿斜劈的斜面向上滑，至速度為零后又加速返回，而斜劈始終保持靜止，在物塊m上、下滑動(dòng)的整個(gè)過(guò)程中（　�。�

如圖所示，絕熱隔板K把絕熱的氣缸分隔成體積相等的兩部分，K與氣缸壁的接觸是光滑的．兩部分中分別盛有相同質(zhì)量、相同溫度的同種氣體a和b．氣體分子之間相互作用力忽略不計(jì)．現(xiàn)通過(guò)電熱絲對(duì)氣體a加熱一段時(shí)間后，a、b各自達(dá)到新的平衡．則 （　�。�

位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框abdc，ab長(zhǎng)L₁=1.0m，bd長(zhǎng)L₂=0.5m，線框的質(zhì)量m=0.2kg，電阻R=2Ω．其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，該區(qū)域的上、下邊界PP′和QQ′均與ab平行，兩邊界間距離為H，H＞L₂，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T，方向與線框平面垂直．如圖所示，令線框的dc邊從離磁場(chǎng)區(qū)域的上邊界PP′的距離為h=0.7m處自由下落，已知在線框的dc邊進(jìn)入磁場(chǎng)以后，ab邊到達(dá)邊界PP′之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值．試求：
（1）線框在ab邊到達(dá)PP′之前的最大速度
（2）從線框開始下落到dc邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界QQ′的過(guò)程中，磁場(chǎng)作用于
線框的安培力做的總功（取g=10m/s²）

影響物質(zhì)材料電阻率的因素很多，一般金屬材料的電阻率隨溫度的升高而增大，而半導(dǎo)體材料的電阻率則與之相反，隨溫度的升高而減�。�某課題研究組在研究某種導(dǎo)電材料的用電器件Z的導(dǎo)電規(guī)律時(shí)，利用如圖甲所示的分壓電路測(cè)得其電壓與電流的關(guān)系如下表所示：

U/V	0.40	0.60	0.80	1.00	1.20	1.50	1.60
I/A	0.20	0.45	0.80	1.25	1.80	2.81	3.20

（1）根據(jù)表中數(shù)據(jù)，判斷用電器件Z可能屬于上述哪類材料？．
（2）把用電器件Z接入圖乙所示的電路中，閉合開關(guān)電流表的讀數(shù)為1.8A，電池的電動(dòng)勢(shì)為3V，內(nèi)阻不計(jì)，電阻R的電功率為．