【題目】如圖所示，一定質(zhì)量的理想氣體經(jīng)過了一個狀態(tài)變化的循環(huán)過程，A→B是等溫過程，B→C是等容過程，C→A是絕熱過程。下列說法正確的是( )

【題目】質(zhì)量為mA的A球，以某一速度沿光滑水平面向靜止的B球運(yùn)動，并與B球發(fā)生彈性正碰，假設(shè)B球的質(zhì)量mB可選取為不同的值，則下列正確的是（　�。�

【題目】在科研實(shí)驗(yàn)中需要將電離后得到的一價氦離子和二價氦離子進(jìn)行分離，小李同學(xué)設(shè)計了如圖所示方案：在真空環(huán)境中，將一價氦離子和二價氦離子的混合物通過A、B兩極板間的電場加速，然后再讓它們經(jīng)過由平行帶電金屬板C、D所形成的另一勻強(qiáng)電場發(fā)生偏轉(zhuǎn)。若氦離子進(jìn)入加速電場時的速度可忽略不計，氦離子重力不計，且所有的氦離子均可達(dá)到離子接收器處。那么在離子接收器處，下列說法正確的是（　�。�

【題目】如圖所示，O點(diǎn)是小球平拋運(yùn)動的拋出點(diǎn)，緊挨O點(diǎn)左側(cè)有一個點(diǎn)光源，在拋出點(diǎn)的正前方，豎直放置一塊光屏，在小球拋出時，小球在光屏上形成的影點(diǎn)剛好與小球的位置等高。已知O點(diǎn)到光屏的距離為L=1.5m，測得在小球拋出后的0.1s內(nèi)小球在光屏上的影點(diǎn)沿光屏向下移動的距離為7.5cm，取重力加速度g=10m/s2。則下列說法正確的是（　�。�

【題目】如圖所示，在容器A中有同一種元素的兩種同位素正粒子，它們的初速度幾乎為0，粒子可從容器A下方的小孔S1飄入加速電場，然后經(jīng)過S3沿著與磁場垂直的方向進(jìn)入勻強(qiáng)磁場中，最后第一種同位素粒子打到照相底片D上的M點(diǎn)，第二種同位素粒子打到照相底片D上的N點(diǎn)。不計同位素粒子重力。量出M點(diǎn)、N點(diǎn)到S3的距離分別為x1、x2，則第一種與第二種同位素粒子在磁場中運(yùn)動的時間之比為（　�。�

【題目】如圖所示，物塊從高為h1的A處由靜止開始，分別沿路徑1和路徑2滑下。路徑1是傾角較小的斜面，路徑2由傾角較大的斜面和一段平面構(gòu)成。物塊都滑到C點(diǎn)，然后滑向另一個斜面3。已知物塊在各處的動摩擦因數(shù)相同，物塊在拐彎處速度大小不變。物塊沿路徑1滑下能沿斜面3向上滑到的最高點(diǎn)B的高度為h2，則沿路徑2滑下時，物塊沿斜面3向上滑到的最大高度（　�。�

【題目】在電子技術(shù)中，科研人員經(jīng)常通過在適當(dāng)?shù)膮^(qū)域施加磁場或電場束控制帶電粒子的運(yùn)動。如圖所示，位于M板處的粒子源不斷產(chǎn)生質(zhì)量為m、電荷量為q的粒子，粒子經(jīng)小孔S1不斷飄入電壓為U的加速電場，其初速度可視為零；然后經(jīng)過小孔S2射出后沿x軸方向從坐標(biāo)原點(diǎn)O垂直于磁場方向進(jìn)入x軸上方（含x軸正半軸）的有界勻強(qiáng)磁場控制區(qū)，磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。粒子發(fā)生270°偏轉(zhuǎn)后離開磁場豎直向下打在水平放置的熒光屏上，已知N板到y軸、熒光屏到x軸的距離均為L，不考慮粒了重力及粒子間的相互作用。

【題目】如圖所示，足夠長的U形導(dǎo)體框架的寬度l=0.5m，電阻忽略不計，其所在平面與水平面成θ=37°角，磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.8T的勻強(qiáng)磁場方向垂直于導(dǎo)體框平面，一根質(zhì)量m=0.2kg，有效電阻R=2Ω的導(dǎo)體棒MN垂直跨放在U形框架上，導(dǎo)體棒與框架間的動摩擦因數(shù)μ=0.5，導(dǎo)體棒由靜止開始沿框架下滑到剛開始勻速運(yùn)動，通過導(dǎo)體棒截面的電量共為Q=2C．求：

【題目】如圖所示，水平地面上有兩個靜止的物塊A和B，A、B的質(zhì)量分別為m1＝2kg，m2＝1kg，它們與地面間的動摩擦因數(shù)均為μ＝0.5。現(xiàn)對物塊A施加一大小I＝40N·s，水平向右的瞬時沖量，使物塊A獲得一個初速度，t＝1s后與物塊B發(fā)生彈性碰撞，且碰撞時間很短，A、B兩物塊均可視為質(zhì)點(diǎn)，重力加速度g＝10m/s2。