（2004?江蘇模擬）兩束平行的細(xì)激光束，垂直于半圓柱透鏡的平面射到半圓柱透鏡上，如圖所示，已知其中一條光線沿直線穿過(guò)透鏡，它的入射點(diǎn)是O；另一條光線的入射點(diǎn)A，穿過(guò)透鏡后兩條光線交于P點(diǎn)，已知透鏡在截面的圓半徑為R，OA=

1

2

R，OP=

3

R．
（1）畫(huà)出光路圖；
（2）求透鏡材料的折射率．

（2004?江蘇模擬）邊長(zhǎng)為L(zhǎng)，粗細(xì)均勻的正方形金屬線圈abcd，總電阻為R，質(zhì)量為m，在光滑絕緣的水平面上以初速度v₀滑向一有邊界的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向豎直向下，如圖（俯視圖）所示．已知線圈全部滑入磁場(chǎng)后速度為v，磁場(chǎng)的寬度大于L．
（1）從ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)，到cd邊將進(jìn)入磁場(chǎng)前，線圈的運(yùn)動(dòng)是
   A．加速運(yùn)動(dòng)   B．減速運(yùn)動(dòng)     C．勻速運(yùn)動(dòng)      D．先加速后勻速
（2）在ab邊已進(jìn)入磁場(chǎng)，cd邊尚未進(jìn)入磁場(chǎng)的某一時(shí)刻，線圈的速度為v₀/2，求此時(shí)線圈中的電流I．
（3）要保持線圈以速度v勻速滑出磁場(chǎng)，需要加一外力F．求所加外力F的大小．

圖甲中P是一根表面均勻地鍍有一層很薄的電阻膜的長(zhǎng)陶瓷管，其長(zhǎng)度約50cm，管外徑約6cm，所用電阻膜材料的電阻率已知為ρ，管的兩端有導(dǎo)電箍M、N．現(xiàn)有器材為：A．米尺、B．游標(biāo)卡尺、C．螺旋測(cè)微器、D．電壓表、E．電流表、F．電池組、G．滑動(dòng)變阻器、H．電阻箱、I．電鍵和導(dǎo)線．請(qǐng)你設(shè)計(jì)一個(gè)測(cè)量該電阻膜厚度d的實(shí)驗(yàn)方案．
（1）所須選用的器材有：．（填器材前的字母即可）
（2）在圖乙中畫(huà)出實(shí)驗(yàn)電路圖（MN間的電阻膜的電阻約幾個(gè)kΩ，滑動(dòng)變阻器的總阻值為50Ω）
（3）所須測(cè)量的物理量有：、、、．
（4）根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)計(jì)算電阻膜厚度d的表達(dá)式為：d=．

某位同學(xué)自制了一個(gè)螺旋測(cè)微計(jì)．由于沒(méi)有車床加工精密螺紋，就找了一段細(xì)鋼絲（直徑為0.8mm），又找了一個(gè)細(xì)圓柱，在細(xì)圓柱上均勻涂上萬(wàn)能膠，然后在細(xì)圓柱上緊密繞排細(xì)鋼絲作為螺栓．在螺栓上再緊密繞排細(xì)鋼絲和牛皮紙組成一個(gè)螺母．再通過(guò)其他工作，一個(gè)螺旋測(cè)微計(jì)終于成功了．問(wèn)該螺旋測(cè)微計(jì)的固定刻度最小長(zhǎng)度為mm，若可動(dòng)刻度分成20等份，則刻螺旋測(cè)微可準(zhǔn)確到mm．

（2008?寧波模擬）如圖所示，正弦交流電經(jīng)過(guò)整流器后，電流波形正好去掉了半周．這種單向電流的有效值為（　�。�

如圖沿x軸方向的一條細(xì)繩上有O、A、B、C四點(diǎn)，

.

OA

=

.

AB

，

.

BC

=5

.

AB

，質(zhì)點(diǎn)O在垂直于x軸方向做簡(jiǎn)諧運(yùn)動(dòng)，沿x軸傳播形成橫波．t=0時(shí)刻，O點(diǎn)開(kāi)始向上運(yùn)動(dòng)，經(jīng)t=0.2s，O點(diǎn)第一次到達(dá)上方最大位移處，這時(shí)A點(diǎn)才開(kāi)始往上運(yùn)動(dòng)．由此可以判斷，在t=2.5s時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)B和C的運(yùn)動(dòng)情況是（　�。�

（2004?江蘇模擬）已知某理想氣體的內(nèi)能E與該氣體分子總數(shù)N和熱力學(xué)溫度T的乘積成正比，即E=kNT（k為比例常量），現(xiàn)對(duì)一有孔的金屬容器加熱，加熱前后容器內(nèi)氣體質(zhì)量分別為m₁：m₂，則加熱前后容器內(nèi)氣體的內(nèi)能之比E₁：E₂為（　�。�

一個(gè)受激發(fā)的原子核放出γ射線以后，將（　�。�

下列說(shuō)法正確的是（　�。�

在用α粒子（

4 2

He）轟擊靜止的氮核（

14 7

N）的實(shí)驗(yàn)中，假設(shè)某次碰撞恰好發(fā)生在同一條直線上．已知α粒子轟擊前的速度為v₀，質(zhì)量為m₀，產(chǎn)生的新核速度為v₁，質(zhì)量為m₁，同向飛出的質(zhì)子（

1 1

H）的質(zhì)量為m₂，設(shè)光速為c．
①寫(xiě)出核反應(yīng)方程；
②質(zhì)子飛出的速度為多大？
③已知生成物新核和質(zhì)子的總動(dòng)能比入射的α粒子動(dòng)能少了△E_k，若該反應(yīng)引起的質(zhì)量虧損中，伴隨著飛出一個(gè)光子，則該光子的能量E多大？