晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅。
②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl₃：Si+3HClSiHCl₃+H₂。
③SiHCl₃與過(guò)量的H₂在1000～1100℃時(shí)反應(yīng)制得純硅。
已知SiHCl₃（沸點(diǎn)33.0℃）能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)方程式為_(kāi)___________________。
（2）用SiHCl₃與過(guò)量的H₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置已略去）：

①裝置B中的試劑是______________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_______________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是______________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)______________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及_________________________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫(xiě)字母代號(hào)）是_____________。
a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na₂SO₃溶液

晶體硅是一種重要的非金屬材料。制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅?

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl₃：Si+3HClSiHCl₃+H₂?

③SiHCl₃與過(guò)量H₂在1 000～1 100 ℃反應(yīng)制得純硅?

已知SiHCl₃能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。?

請(qǐng)完成下列問(wèn)題：?

（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_(kāi)_______________。?

（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃（沸點(diǎn)33.0 ℃）中含有少量SiCl₄（沸點(diǎn)57.6 ℃）和HCl（沸點(diǎn)－84.7 ℃），提純SiHCl₃采用的方法為：________________。

（3）用SiHCl₃與過(guò)量H₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：?

①裝置B中的試劑是________，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：________________。?

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是________________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)_______________________。?

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及________________________________。?

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫(xiě)字母代號(hào)）是________。?

a.碘水　

b.氯水　

c.NaOH溶液　

d.KSCN溶液　

e.Na₂SO₃溶液

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

③SiHCl₃與過(guò)量H₂在1 000—1 100 ℃反應(yīng)制得純硅

已知SiHCl₃能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。

請(qǐng)完成下列問(wèn)題：

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_(kāi)_____________________________。

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量SiCl₄(沸點(diǎn)57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7 ℃)，提純SiHCl₃采用的方法為_(kāi)____________________。

(3)用SiHCl₃與過(guò)量H₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)：

①裝置B中的試劑是_______________________。裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是___________________________________。

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是__________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是___________________________________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)______________________________________。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及________________________________。

28.晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl₃：Si+3HClSiHCl₃+H₂

③SiHCl₃與過(guò)量H₂在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅

已知SiHCl₃能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_(kāi)______________________________。

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl₄(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃)，提純SiHCl₃采用的方法為_(kāi)___________________。

(3)用SiHCl₃與過(guò)量H₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去)：

①裝置B中的試劑是_________________________。

  裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_____________________________________。

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________________________________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)_________________________________________。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及______________________________________。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑(填寫(xiě)字母代號(hào))是_________________。

a.碘水    b.氯水    c.NaOH溶液    d.KSCN溶液    e.Na₂SO₃溶液

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl₃:

Si+3HClSiHCl₃+H₂

③SiHCl與過(guò)量H₂在1 000—1 100℃反應(yīng)制得純硅

已知SiHCl₃能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自然。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_(kāi)_________________________________________。

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl₄(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl₃采用的方法為_(kāi)______。

(3)用SiHCl₃與過(guò)量H₂反應(yīng)制備純硅的裝置如圖1-3-8(熱源及夾持裝置略去)：

圖1-3-8

①裝置B中的試劑是_______。

裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是_____________________________________________。

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________。

裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_______________，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)_____________________________。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及_______。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑(填寫(xiě)字母代號(hào))是_______。

a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na₂SO₃溶液