原子晶體的熔沸點(diǎn)不一定比金屬高.金屬的熔沸點(diǎn)也不一定比分子晶體高. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(15分)高純晶體硅是信息技術(shù)的關(guān)鍵材料。
(1)硅元素位于周期表的______周期______族。下面有關(guān)硅材料的說(shuō)法中正確的是__________(填字母)。
A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,可用于生產(chǎn)耐高溫水泥
B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高,可用于制作高溫陶瓷和軸承
C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料———光導(dǎo)纖維
D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的,故在玻璃尖口點(diǎn)燃H2時(shí)出現(xiàn)黃色火焰
E.鹽酸可以與硅反應(yīng),故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
(2)工業(yè)上用石英砂和焦炭可制得粗硅。
已知:

請(qǐng)將以下反應(yīng)的熱化學(xué)方程式補(bǔ)充完整:
SiO2(s) + 2C(s) ="==" Si(s) + 2CO(g)   △H = ________
(3)粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷(SiH4),硅烷分解生成高純硅。已知硅烷的分解溫度遠(yuǎn)低于甲烷,用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因:_________,Si元素的非金屬性弱于C元素,硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷。
(4)將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅(SiHCl3),進(jìn)一步反應(yīng)也可制得高純硅。
①SiHCl3中含有的SiCl4、AsCl3等雜質(zhì)對(duì)晶體硅的質(zhì)量有影響。根據(jù)下表數(shù)據(jù),可用________ 方法提純SiHCl3。
物質(zhì)
SiHCl3
SiCl4
AsCl3
沸點(diǎn)/℃
32.0
57.5
131.6
②用SiHCl3制備高純硅的反應(yīng)為SiHCl3(g) +H2(g) Si(s) + 3HCl(g), 不同溫度下,SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比(反應(yīng)初始時(shí),各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比)的變化關(guān)系如右圖所示。下列說(shuō)法正確的是________(填字母序號(hào))。

a.該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b.橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是
c.實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率,應(yīng)適當(dāng)升高溫度
③整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì),寫(xiě)出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式:____________________。

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下列說(shuō)法正確的是


  1. A.
    分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低
  2. B.
    干冰晶體中每個(gè)CO2分子周圍緊鄰10個(gè)CO2分子
  3. C.
    分子間作用力越弱分子晶體的熔點(diǎn)越低,稀有氣體原子序數(shù)越大其沸點(diǎn)越高
  4. D.
    不同元素組成的多原子分子中的化學(xué)鍵一定是極性鍵

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下列說(shuō)法不正確的是

A.

原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高,分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低

B.

H2O的熔點(diǎn)沸點(diǎn)大于H2S的是由于H2O分子之間存在氫鍵.

C.

乙醇與水互溶可以用相似相溶原理解釋.

D.

甲烷可與水形成氫鍵這種化學(xué)鍵.

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下列說(shuō)法正確的是

[  ]

A.分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低

B.干冰晶體中每個(gè)CO2分子周圍緊鄰10個(gè)CO2分子

C.分子間作用力越弱分子晶體的熔點(diǎn)越低,稀有氣體原子序數(shù)越大其沸點(diǎn)越高

D.不同元素組成的多原子分子中的化學(xué)鍵一定是極性鍵

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(1)下列說(shuō)法正確的是____(每小題只有一個(gè)正確答案,下同)。
A. 離子晶體中一定存在離子鍵,分子晶體中一定存在共價(jià)鍵
B. 主族元素形成的單質(zhì),從上到下熔沸點(diǎn)逐漸升高
C. N2分子中的共價(jià)鍵是由兩個(gè)σ鍵和一個(gè)π鍵組成的
D. 以極性鍵結(jié)合的分子不一定是極性分子
(2)下列敘述正確的是____。
A. 用VSEPR理論預(yù)測(cè)PCl3的立體構(gòu)型為平面三角形
B. SO2和CO2都是含有極性鍵的非極性分子
C. 在NH4+和[Cu(NH3)2]2+中都存在配位鍵
D. 鋁元素的原子核外共有5種不同運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子
Q、R、X、Y、Z五種元素的原子序數(shù)逐漸增大。已知Z的原子序數(shù)為29,其余均為短周期主族元素。Y 原子的價(jià)電子排布為msnmpn,R原子核外L層的電子數(shù)為奇數(shù),Q、X原子p軌道的電子數(shù)分別為2和4。 請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(3)Z2+的核外電子排布式是______________。如圖是Z和X形成晶體的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖(○代表X),可確定該品胞中陰離子的個(gè)數(shù)為_(kāi)__________。
(4)Q與Y形成的最簡(jiǎn)單氣態(tài)氫化物分別為A、B,試比較它們的熱穩(wěn)定性并說(shuō)明理由:_______________。
(5)Q和X形成的一種化合物甲的相對(duì)分子質(zhì)量為44,則甲的空間構(gòu)型是_____________。中心原子采取的雜化軌道類型是____,該分子中含有____個(gè)π鍵。
(6)R有多種氧化物,其中乙的相對(duì)分子質(zhì)量最小。在一定條件下,2L的乙氣體與0.5L的氧氣相混合,若該混合氣體被足量的NaOH溶液完全吸收后沒(méi)有氣體殘留,所生成的R的含氧酸鹽的化學(xué)式是_________。
(7)這五種元素中,電負(fù)性最大與最小的兩種非金屬元素形成的晶體屬于____ 晶體;Q、R、X三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序?yàn)開(kāi)___(用元素符號(hào)作答)。

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