制備硅單質(zhì)時，主要化學(xué)反應(yīng)如下：
（1）SiO₂+2C

高溫  .

Si+2CO↑  
（2）Si+2Cl₂

△   .

SiCl₄  
（3）SiCl₄+2H₂

高溫  .

Si+4HCl
下列對上述三個反應(yīng)的敘述中，不正確的是（　　）

制備硅單質(zhì)時，主要化學(xué)反應(yīng)如下：
（1）SiO₂+2C

高溫 .

Si+2CO↑
（2）Si+2Cl₂

△ .

SiCl₄
（3）SiCl₄+2H₂

高溫 .

Si+4HCl
下列對上述三個反應(yīng)的敘述中，不正確的是（　　）

A．（1）（3）為置換反應(yīng)

B．（1）（2）（3）均為氧化還原反應(yīng)

C．（2）為化合反應(yīng)

D．三個反應(yīng)的反應(yīng)物中硅元素均被還原

制備硅單質(zhì)時，主要化學(xué)反應(yīng)如下：
(1)SiO₂+  2C Si+2CO↑
(石英沙) (焦炭) (粗硅)
(2)Si(粗)+2Cl₂SiCl₄
(3)SiCl₄+2H₂Si(純)+4HCl
對上述三個反應(yīng)的敘述中，不正確的是

晶體硅是一種重要的非金屬材料．制備純硅的主要步驟如下：
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅   ②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制SiHCl₃：Si+3HCl

300℃  .

SiHCl₃+H₂
③SiHCl₃與過量H₂在1000～1100℃反應(yīng)制得純硅．
已知SiHCl₃能與H₂O強(qiáng)烈反應(yīng)，在空氣中易自燃．請回答下列問題：
（1）第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為．
（2）粗硅與HCl反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl₃（沸點(diǎn)33.0℃）中含有少量SiCl₄（沸點(diǎn)57.6℃）和HCl（沸點(diǎn)-84.7℃），提純SiHCl₃采用的方法為：．
（3）用SiHCl₃與過量H₂反應(yīng)制備純硅的裝置如下（熱源及夾持裝置略去）：
①裝置B中的試劑是，裝置C中的燒瓶需要加熱，其目的是：．
②反應(yīng)一段時間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為．
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及．
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì)，將試樣用稀鹽酸溶解，取上層清液后需再加入的試劑（填寫字母代號）是
a．碘水b．氯水c．NaOH溶液d．KSCN溶液e．Na₂SO₃溶液．