下列物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低比較正確的是 A.SiO2<CO2 B.CCl4<CF4 C.HF>HI D.NaCl<HCl 【查看更多】

 

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下列物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低比較正確的是（　�。�
A、SiO2＜CO2B、CCl4＜CF4C、HF＞HID、NaCl＜HCl

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下列物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低比較正確的是
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A．SiO2<CO2
B．CCl4<CF4
C．HF>HI
D．NaCl<HCl

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下列物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低比較正確的是                        

A、SiO22       B、CCl44      C、HF>HI        D、NaCl

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已知：元素A的原子外圍電子排布式為nSnnPn+1，元素B的+2價(jià)離子電子排布式為1S22S22P63S23P6，元素D的原子第二電子層上只有一個(gè)空軌道，元素E的原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的3倍．G為短同期元素，且與E同族．所有氣態(tài)氫化物中X的氫化物最穩(wěn)定．
（1）E、G、X電負(fù)性由大到小的順序是（用元素符號表示）
 
A、E、X第一電離能由大到小的順序是（用元素符號表示）
 

（2）E、G、X形成的簡單離子半徑由大到小的順序是（用離子符號表示）
 

（3）比較下列物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低（用化學(xué)式表示）BE和BG
 
；E和G分別形成的最簡單氫化
 
；D和同族、短同期元素Y分別形成的最簡單氫化物
 
．

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下列物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低順序正確的是（　�。�

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