(2009?宿遷模擬)已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E.其中B、D、E原子最外電子層的p能級(軌道)上的電子處于半滿狀態(tài).通常情況下,A的一種氧化物分子為非極性分子,其晶胞結(jié)構(gòu)如右下圖所示.原子序數(shù)為31的元素鎵(Ga)與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導(dǎo)體材料和GaE為代表的第二代半導(dǎo)體材料之后,在近10年迅速發(fā)展起來的第三代新型半導(dǎo)體材料.
試回答下列問題:(答題時,A、B、C、D、E用所對應(yīng)的元素符號表示)
(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
.
(2)A、B、C的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
N>C>Si
N>C>Si
.
(3)B元素的單質(zhì)分子中有
2
2
個π鍵,與其互為等電子體的物質(zhì)的化學(xué)式可能為
CO(或其他合理答案)
CO(或其他合理答案)
(任寫一種).
(4)上述A的氧化物分子的中心原子采取
sp
sp
雜化,其晶胞中微粒間的作用力為
范德華力
范德華力
.
(5)EH
3分子的空間構(gòu)型為
三角錐形
三角錐形
,其沸點(diǎn)與BH
3相比
低
低
(填“高”或“低”),原因是
NH3分子間能形成氫鍵,AsH3分子間不能形成氫鍵
NH3分子間能形成氫鍵,AsH3分子間不能形成氫鍵
.
(6)向CuSO
4溶液中逐滴加入BH
3的水溶液,得到深藍(lán)色的透明溶液.請寫出該反應(yīng)的離子方程式
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-
Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH3)4]2++2OH-
.