【2013•吉林省長春市畢業(yè)班第一次調(diào)研】計(jì)算機(jī)硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示，讀寫磁頭在計(jì)算機(jī)的指令下移動(dòng)到某個(gè)位置，硬盤盤面在電機(jī)的帶動(dòng)下高速旋轉(zhuǎn)，通過讀寫磁頭讀寫下方磁盤上的數(shù)據(jù)。磁盤上分為若干個(gè)同心環(huán)狀的磁道，每個(gè)磁道按圓心角等分為18個(gè)扇區(qū)�，F(xiàn)在普通的家用電腦中的硬盤的轉(zhuǎn)速通常有5400r/min和7200r/min兩種，硬盤盤面的大小相同，則（  ）

   A．磁頭的位置相同時(shí)，7200r/min的硬盤讀寫數(shù)據(jù)更快

B．對于某種硬盤，磁頭離盤面中心距離越遠(yuǎn)，磁頭經(jīng)過一個(gè)扇區(qū)所用的時(shí)間越長

C．不管磁頭位于何處，5400r/min的硬盤磁頭經(jīng)過一個(gè)扇區(qū)所用時(shí)間都相等

D．5400r/min與7200r/min的硬盤盤面邊緣的某點(diǎn)的向心加速度的大小之比為3︰4

 (2012·河南五市畢業(yè)班第一次聯(lián)考)如圖所示，空間中存在著勻強(qiáng)電場，正方體ABCDEFGH中A、B、C、H四點(diǎn)電勢分別為φ_A＝4 V，φ_B＝6 V，φ_C＝9 V，φ_H＝5 V．則下面說法正確的是(　　)

A．把1 C正電荷從B點(diǎn)經(jīng)G點(diǎn)移到H點(diǎn)，電場力做功一定是2 J

B．G點(diǎn)電勢可能為6 V

C．A、G兩點(diǎn)的電勢差U_AG與D、F兩點(diǎn)的電勢差U_DF一定相等

D．電場強(qiáng)度方向一定與D、G兩點(diǎn)的連線垂直

 (2012·河南五市畢業(yè)班第一次聯(lián)考)如圖所示，空間中存在著勻強(qiáng)電場，正方體ABCDEFGH中A、B、C、H四點(diǎn)電勢分別為φ_A＝4 V，φ_B＝6 V，φ_C＝9 V，φ_H＝5 V．則下面說法正確的是(　　)

A．把1 C正電荷從B點(diǎn)經(jīng)G點(diǎn)移到H點(diǎn)，電場力做功一定是2 J

B．G點(diǎn)電勢可能為6 V

C．A、G兩點(diǎn)的電勢差U_AG與D、F兩點(diǎn)的電勢差U_DF一定相等

D．電場強(qiáng)度方向一定與D、G兩點(diǎn)的連線垂直