過量還是少量 2.化合物還是單質(zhì)或混合物 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

[化學(xué)--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)]
四種常見元素：A、B、C、D為周期表前四周期元素，原子序數(shù)依次遞增，它們的性質(zhì)或結(jié)構(gòu)信息如下表．試根據(jù)信息回答有關(guān)問題．
元素 A B C D
結(jié)構(gòu)性質(zhì)
信息		 基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子數(shù)相同 原子核外有兩個電子層，最外層有3個未成對的電子 基態(tài)原子的M層有2對成對的p電子 其原子序數(shù)比A、B、C三種元素原子的質(zhì)子數(shù)總和還少1，有+1、+2兩種常見化合價
（1）寫出D原子的外圍電子排布式
3d104s1
3d104s1
，A、B、C、D四種元素的第一電離能最小的是
Cu
Cu
（用元素符號表示）．
（2）B元素的氫化物的沸點(diǎn)比同主族相鄰元素氫化物沸點(diǎn)
高
高
（填“高”或“低”）．
（3）元素F與A相鄰且同主族，它們與氧元素的成鍵情況如下：
A-O A=O F-O F=O
鍵能（KJ/mol） 360 803 464 640
在A和O之間通過雙鍵形成AO2分子，而F和O則不能和A那樣形成有限分子，原因是
C=O的鍵能比C-O的鍵能的兩倍要大，Si=O的鍵能比Si-O的鍵能的兩倍要小，所以Si和O成單鍵更穩(wěn)定，而C和O以雙鍵形成穩(wěn)定分子
C=O的鍵能比C-O的鍵能的兩倍要大，Si=O的鍵能比Si-O的鍵能的兩倍要小，所以Si和O成單鍵更穩(wěn)定，而C和O以雙鍵形成穩(wěn)定分子
．
（4）往D元素的硫酸鹽溶液中逐滴加入過量B元素的氫化物水溶液，可生成的配合物，該配合物中不含有的化學(xué)鍵是
ce
ce
（填序號）．a(chǎn)．離子鍵  b．極性鍵c．非極性鍵d．配位鍵    e．金屬鍵
（5）下列分子結(jié)構(gòu)圖中的“”表示上述相關(guān)元素的原子中除去最外層電子的剩余部分，“”表示氫原子，小黑點(diǎn)“”表示沒有形成共價鍵的最外層電子，短線表示共價鍵．

則在以上分子中，中心原子采用sp3雜化形成化學(xué)鍵的是
①③
①③
（填序號）；在②的分子中有
3
3
個σ鍵和
2
2
個π鍵．
（6）已知一種分子B4分子結(jié)構(gòu)如圖所示，斷裂1molB-B吸收aKJ的熱量，生成1molB≡B放出bKJ熱量．試計算反應(yīng)：B4（g）═2B2（g）△H=
-（2b-6a）
-（2b-6a）
KJ/mol．

查看答案和解析>>

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請回答下列問題：

（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

①寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式____________________________。

②整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式_________________；H2還原SiHCl3過程中若混入O2，可能引起的后果是_________________________。

（2）下列有關(guān)硅材料的說法正確的是__________________（填字母）。

A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

E.鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

（3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。

查看答案和解析>>

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請回答下列問題：

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl3)還原法是當(dāng)前制備高純硅  的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

      

①     寫出由純SiHCl3制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

②     整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式

________________________________________________________________________；

H2還原SiHCl3過程中若混入O2，可能引起的后果是

________________________________________________________________________。

(2)下列有關(guān)硅材料的說法正確的是________(填字母)。

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，      振蕩。寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋：

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

查看答案和解析>>

（16分）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請回答下列問題：

制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

（1）在制粗硅的反應(yīng)中，焦炭的作用是                                                  。

（2）整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水、無氧。

①SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式　　　　；②H2還原SiHCl3過程中若混O2，可能引起的后果是                                    。

 (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋　　　                                                         　。

 

查看答案和解析>>

（16分）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請回答下列問題：

制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl3）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

（1）在制粗硅的反應(yīng)中，焦炭的作用是                                                   。

（2）整個制備過程必須嚴(yán)格控制無水、無氧。

①SiHCl3遇水劇烈反應(yīng)生成H2SiO3、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式　　　　；②H2還原SiHCl3過程中若混O2，可能引起的后果是                                     。

 (3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實驗現(xiàn)象并給予解釋　　　                                                          　。

 

查看答案和解析>>


同步練習(xí)冊答案