如圖所示，一個(gè)速度為v0的正離子恰能沿直線飛出離子速度選擇器，選擇器中磁感強(qiáng)度為B，電場(chǎng)強(qiáng)度為E，若B．E．v0均增加為原來的3倍，則（　�。�
A．仍沿直線前進(jìn)，飛出選擇器
B．往上極板偏轉(zhuǎn)
C．往下極板偏轉(zhuǎn)
D．向紙外偏出
魔方格
B
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，一個(gè)速度為v0的正離子恰能沿直線飛出離子速度選擇器，選擇器中磁感強(qiáng)度為B，電場(chǎng)強(qiáng)度為E，若B．E．v0均增加為原來的3倍，則（　�。�

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，一個(gè)速度為v0的正離子恰能沿直線飛出離子速度選擇器，選擇器中磁感強(qiáng)度為B，電場(chǎng)強(qiáng)度為E，若B．E．v0均增加為原來的3倍，則（　　）
A．仍沿直線前進(jìn)，飛出選擇器
B．往上極板偏轉(zhuǎn)
C．往下極板偏轉(zhuǎn)
D．向紙外偏出
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科目：高中物理 來源：0103 模擬題 題型：不定項(xiàng)選擇

如圖所示，一個(gè)速度為v0的正離子恰能沿直線飛出離子速度選擇器，選擇器中磁感強(qiáng)度為B，電場(chǎng)強(qiáng)度為E，若B、E、v0均增加為原來的3倍，則
[     ]
A．仍沿直線前進(jìn)，飛出選擇器
B．往上極板偏轉(zhuǎn)
C．往下極板偏轉(zhuǎn) 　　　　　　　
D．向紙外偏出

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，一個(gè)理想邊界為PQ、MN的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)寬度為d，方向垂直紙面向里．一電子從O點(diǎn)沿紙面垂直PQ以速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)．若電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為2d．O′在MN上，且OO′與MN垂直．下列判斷正確的是（　�。�

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，一個(gè)帶正電的粒子，質(zhì)量為m，電量為q，從隔板AB上的小孔O處沿與隔板成45°角射入如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，粒子的初速度為v0，重力不計(jì)，則粒子再次到達(dá)隔板所經(jīng)過的時(shí)間t=
 
，到達(dá)點(diǎn)距射入點(diǎn)O的距離為
 
．

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，一個(gè)理想邊界為PQ、MN的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)寬度為d，方向垂直紙面里，一電子從O點(diǎn)沿紙面垂直PQ以速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)，若電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為2d，O′在MN上，且OO′與MN垂直．下列判斷正確的是（　�。�
A、電子將向左偏轉(zhuǎn)
B、電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離為d
C、電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離為2d-
3
d
D、電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為
πd
3v0

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年北京市房山區(qū)房山中學(xué)高二下學(xué)期期中考試物理試卷（帶解析） 題型：單選題

如圖所示，一個(gè)理想邊界為PQ、MN的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)寬度為d，方向垂直紙面向里．一電子從O點(diǎn)沿紙面垂直PQ以速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)．若電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為2d．O′在MN上，且OO′與MN垂直．下列判斷正確的是：

A．電子將向右偏轉(zhuǎn)
B．電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離為d
C．電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離為
D．電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為．

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科目：高中物理 來源：2015屆河南周口中英文學(xué)校高二上學(xué)期第三次月考物理試卷（解析版） 題型：填空題

如圖所示，一個(gè)帶正電的粒子，質(zhì)量為m，電量為q，從隔板AB上的小孔O處沿與隔板成45°角射入如圖所示的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，粒子的初速度為v0，重力不計(jì)，則粒子再次到達(dá)隔板所經(jīng)過的時(shí)間t =_____________，到達(dá)點(diǎn)距射入點(diǎn)O的距離為___________

 

 

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科目：高中物理 來源：2014屆湖南長沙縣一中、攸縣一中等四校高三11月聯(lián)考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，一個(gè)理想邊界為PQ、MN的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)寬度為d，方向垂直紙面向里．一電子從O點(diǎn)沿紙面垂直PQ以速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)．若電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為2d．O′在MN上，且OO′與MN垂直．下列判斷正確的是（  ）

A．電子將向右偏轉(zhuǎn)

B．電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離為d

C．電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離為

D．電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為

 

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科目：高中物理 來源：2013-2014學(xué)年河北省高二上學(xué)期調(diào)研考試物理試卷（解析版） 題型：選擇題

如圖所示，一個(gè)理想邊界為PQ、MN的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，磁場(chǎng)寬度為d，方向垂直紙面向里．一電子從O點(diǎn)沿紙面垂直PQ以速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)．若電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑為2d．O′ 在MN上，且OO′ 與MN垂直．下列判斷正確的是（    ）

A．電子將向右偏轉(zhuǎn)

B．電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離為d

C．電子打在MN上的點(diǎn)與O′點(diǎn)的距離為

D．電子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為．

 

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