【題目】、、、、是元素周期表中前四周期的元素,各周期至少含有一種元素,且原子序數(shù)依次增大。、三種元素原子的最外層電子數(shù)相同,能夠形成原子之比為的化合物是前四周期基態(tài)原子含有未成對(duì)電子數(shù)目最多的元素,形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。試用元素符號(hào)回答下列問題:

1、三種元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?/span>_______。

2兩種元素能夠形成兩種常見的化合物,則在這兩種化合物分子中,原子的雜化方式分別為____________,且這兩種分子____(填選項(xiàng))。

A 都是極性分子 B 都是非極性分子 C 其中一種是極性分子另一種是非極性分子

3元素處于周期表的____區(qū),其單質(zhì)晶體堆積模型的名稱為_____

4元素的基態(tài)原子價(jià)層電子排布圖為______

5)已知能溶于某濃度的硝酸中,得到藍(lán)色溶液的同時(shí),會(huì)逸出一種與互為等電子體的純凈氣體,則該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_____。經(jīng)研究證實(shí),所得溶液呈藍(lán)色,是因?yàn)槿芤褐泻杏?/span>、、三種元素形成的一種配位離子,試寫出該離子的結(jié)構(gòu)式______

6)由晶體的晶胞可知,離子呈簡單立方堆積模型,形成立方體空隙,則離子對(duì)這些立方體空隙的填充率為_____。

【答案】 面心立方最密堆積 50

【解析】

是前四周期基態(tài)原子含有未成對(duì)電子數(shù)目最多的元素,則DCr元素;、、是元素周期表中前四周期的元素,各周期至少含有一種元素,且原子序數(shù)依次增大,Cr是第四周期,所以E也是第四周期,那么AB、C為前三周期,則AH元素;、三種元素原子的最外層電子數(shù)相同,則CNa元素,ECu元素;由圖可知晶體每個(gè)晶胞中含有B個(gè)數(shù)為,C的個(gè)數(shù)為8,且B在第二周期,故BO元素;綜上所述,A、B、CD、E分別為H、O、Na、CrCu。

(1)根據(jù)分析,A、B、C分別為H、O、Na,HO為非金屬,電負(fù)性大于金屬Na,且O的電負(fù)性大于H的電負(fù)性,故有電負(fù)性;

(2)HO組成的化合物有H2OH2O2,兩種物質(zhì)中O元素形成的都是單鍵,故都是sp3雜化;H2O分子空間構(gòu)型為V型,正負(fù)電荷中心不重合,是極性分子,H2O2空間構(gòu)型為折線形(),正負(fù)電荷中心不重合,也是極性分子,故選A

(3)Cu元素處于周期表的ds區(qū),Cu晶體的晶胞中,每一個(gè)面心和八個(gè)頂點(diǎn)上都有一個(gè)Cu原子,是典型的面心立方最密堆積;

(4)Cr是第24號(hào)元素,核外電子排布式屬于洪特規(guī)則的特例,為[Ar]3d54s1,它的基態(tài)原子價(jià)層電子排布圖為;

(5)根據(jù)分析,XCuH。CuH與硝酸發(fā)生氧化還原反應(yīng),硝酸被還原后生成的氣體為氮的氧化物,該氣體與互為等電子體,故該氣體為N2O,CuH與硝酸反應(yīng)的化學(xué)方程式為:;H、O、Cu形成配合物,Cu2+提供空軌道,由HO 形成的H2O提供孤對(duì)電子,形成四水合銅離子為藍(lán)色,該離子的結(jié)構(gòu)式為;

(6)Na+呈簡單立方堆積模型,形成立方體空隙有8個(gè),O2-占有4個(gè),所以O2-對(duì)這些立方體空隙的填充率為50%;

練習(xí)冊(cè)系列答案
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【題目】利用固體氧化物電解池(SOEC)可實(shí)現(xiàn)乙烷電化學(xué)脫氫制乙烯,原理示意圖如圖。下列說法錯(cuò)誤的是

A.X電極的電勢高于Y電極

B.該裝置在工作過程中,O2-在固體氧化物中由下方向上方遷移

C.該過程總反應(yīng)的方程式為:C2H6+CO2C2H4+CO+H2O

D.陰極區(qū)發(fā)生的反應(yīng)為:CO2+2e-+2H+=CO+H2O

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【題目】25℃時(shí),水的電離可達(dá)到平衡:H2OH++OHH>0,下列敘述正確的是

A. 向水中加入稀氨水,平衡逆向移動(dòng),c(OH-)降低

B. 將水加熱,Kw增大,pH不變

C. 向水中加入少量稀硫酸,c(H+)增大,Kw不變

D. 向水中加入少量CH3COONa固體,平衡逆向移動(dòng),c(H+)降低

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【題目】常溫下,用0.1mol/L的鹽酸滴定0.1mol/LNa2CO3溶液25mL。測得溶液pH變化曲線如圖,下列說法正確的是( )

A. b點(diǎn)時(shí),c(CO32-)c(HCO3-)c(OH-)

B. d點(diǎn)時(shí),c(OH-)=c(H+)c(HCO3-)2c(H2CO3)

C. e點(diǎn)時(shí),c(H+)=2c(CO32-)c(HCO3-)c(OH-)

D. c→d發(fā)生的主要離子反應(yīng):H+HCO3-=CO2H2O

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【題目】依據(jù)信息寫出下列反應(yīng)的方程式或填充合適的物質(zhì)。

⑴氫氧化銦[In(OH)3]廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)。以氧化銦廢渣(主要含In2O3Fe3O4)為原料制備氫氧化銦的一種工藝流程如下:

已知:In2O3為兩性氧化物,在強(qiáng)堿性條件下In元素以InO33-離子形式存在。

①寫出堿浸時(shí)反應(yīng)的離子方程式:______

②寫出酸化時(shí)反應(yīng)的離子方程式:______。

⑵下表所示為部分酸的電離平衡常數(shù):

H2SO3

CH3COOH

HCOOH

電離平衡常數(shù)

Ka11.2×102

Ka25.6×108

1.75×105

1.8×104

H2SO3CH3COOH中選擇合適的物質(zhì),以實(shí)現(xiàn)HCOONa→HCOOH的轉(zhuǎn)化,寫出該反應(yīng)的離子方程式:______

⑶下表所示為部分物質(zhì)的溶度積常數(shù):

難溶物

Mn(OH)2

Co(OH)2

MnCO3

溶度積常數(shù)

2×1013

5.9×1015

2.2×1011

①從NaOH、Co(OH)2中選取合適的物質(zhì),填在如下轉(zhuǎn)化關(guān)系中:MnCl2Mn(OH)2______

NaNO3、Na2CO3中選擇合適的物質(zhì),填在如下轉(zhuǎn)化關(guān)系中:MnCl2NaCl。_______

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【題目】圖是某甲醇燃料電池的工作示意圖。下列說法正確的是

A.電極b為電池的負(fù)極

B.電池工作時(shí)將電能轉(zhuǎn)化為化學(xué)能

C.放電時(shí)a極處所發(fā)生的電極反應(yīng)為:CH3OH6eH2OCO26H

D.放電時(shí)溶液中Ha極移動(dòng)

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【題目】由合成氣制備二甲醚的主要原理如下。下列有關(guān)說法正確的是

CO(g)2H2(g)CH3OH(g) ΔH1=-90.7 kJ·mol1

2CH3OH(g)CH3OCH3(g)H2O(g) ΔH2=-23.5 kJ·mol1

CO(g)H2O(g)CO2(g)H2(g) ΔH3=-41.2 kJ·mol1

A.1mol CO(g)2 mol H2(g)充分反應(yīng),反應(yīng)會(huì)放出90.7 kJ能量

B.反應(yīng)①的ΔS0

C.反應(yīng)③使用催化劑,ΔH3減少

D.反應(yīng)3H2(g)3CO(g)CH3OCH3(g)CO2(g)ΔH=-246.1 kJ·mol1

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【題目】研究物質(zhì)的組成、結(jié)構(gòu)有利于更好的理解物質(zhì)的性質(zhì)。

⑴圖3As4S4分子的結(jié)構(gòu),該分子中含非極性共價(jià)鍵的數(shù)目是_____;基態(tài)As原子的外圍電子排布式是______。

⑵圖1是某種晶體的晶胞,該晶體的化學(xué)式是______。

⑶圖1對(duì)應(yīng)物質(zhì)與圖3對(duì)應(yīng)物質(zhì)熔點(diǎn)較高的是______,原因是______

NaCl的熔點(diǎn)為801.3℃,MgO的熔點(diǎn)高達(dá)2800℃。MgO熔點(diǎn)高的原因是______。

⑸圖3所示是硼酸晶體的層狀結(jié)構(gòu),層內(nèi)H3BO3分子通過氫鍵相連。H3BO3分子B原子的軌道雜化方式是______,1 mol H3BO3晶體中含有的氫鍵數(shù)目是_____

⑹金剛石、晶體硅、金剛砂(SiC)的晶體類型相同,它們的熔點(diǎn)由高到低的順序是_____。

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【題目】經(jīng)查閱資料得知:無水FeCl3在空氣中易潮解,加熱易升華。設(shè)計(jì)如圖所示裝置制備無水FeCl3

①下列操作步驟的正確順序?yàn)?/span>________(填字母)。

a 體系冷卻后,停止通入Cl2

b 通入干燥的Cl2趕盡裝置中的空氣

c 在鐵屑下方加熱至反應(yīng)完成

d 用干燥的H2趕盡Cl2

e 檢驗(yàn)裝置的氣密性

②氯化鈣的作用是________________________________。把氯化鈣換成________(填藥品名稱)可以改進(jìn)裝置的不足.

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