(3分)將右圖所表示的化合物放入過量的NaOH溶液中,緩慢加熱蒸干至質(zhì)量不再變化,不能發(fā)生變化的化學(xué)鍵是: 。
科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
10-9 |
a-0.01 |
10-9 |
a-0.01 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
元 素 | 有關(guān)信息 |
A | 最高價氧化物對應(yīng)的水化物(甲)能與其氣態(tài)氫化物(乙)反應(yīng)生成鹽 |
B | 最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的2倍 |
C | M層上有3個電子 |
D | 短周期原子半徑最大的主族元素 |
E | 最高正價與最低負價代數(shù)和為6 |
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科目:高中化學(xué) 來源:2012-2013學(xué)年江蘇省泰州市高三上學(xué)期期末考試化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
太陽能電池的發(fā)展已經(jīng)進入了第三代。第一代為單晶硅太陽能電池,第二代為多晶硅、非晶硅等太陽能電池,第三代就是銅銦鎵硒CIGS(CIS中摻入Ga)等化合物薄膜太陽能電池以及薄膜Si系太陽能電池。
(1)亞銅離子(Cu+)基態(tài)時的價電子排布式表示為 。
(2)硒為第4周期元素,相鄰的元素有砷和溴,則3種元素的第一電離能從大到小順序為 (用元素符號表示)。
(3)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性,其化合物往往具有加合性,因而硼酸(H3BO3)在水溶液中能與水反應(yīng)生成[B(OH)4]-而體現(xiàn)一元弱酸的性質(zhì)。
①[B(OH)4]-中B的原子雜化類型為 ;
②不考慮空間構(gòu)型,[B(OH)4]-的結(jié)構(gòu)可用示意圖表示為 。
(4)單晶硅的結(jié)構(gòu)與金剛石結(jié)構(gòu)相似,若將金剛石晶體中一半的C原子換成Si原子且同種原子不成鍵,則得右圖所示的金剛砂(SiC)結(jié)構(gòu);若在晶體硅所有Si—Si鍵中插入O原子即得SiO2晶體。
①在SiC中,每個C原子周圍最近的C原子數(shù)目為 ;
②判斷a. SiO2,b.干冰,c.冰3種晶體的熔點從小到大的順序是 (填序號)。
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科目:高中化學(xué) 來源:2009-2010學(xué)年浙江省臺州市高二(下)期末化學(xué)試卷(解析版) 題型:填空題
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