【題目】某研究性學習小組欲測定室溫下(25℃、101kPa)的氣體摩爾體積,請回答下列問題。該小組設(shè)計的簡單實驗裝置如圖所示,該實驗的主要操作步驟如下:

配制100ml1.0mol·L-1的鹽酸溶液,用______(填儀器名稱并注明規(guī)格)量取10.0ml1.0mol/L的鹽酸溶液加入錐形瓶中;用托盤天平稱取ag已除去表面氧化膜的鎂條,并系于銅絲末端,為使HCl全部參加反應(yīng),a的數(shù)值至少為_________;往廣口瓶中裝入足量水,按如圖連接好裝置,檢查裝置的氣密性;反應(yīng)結(jié)束后待體系溫度恢復到室溫,讀出量筒中水的體積為VmL。

(1)請將上述步驟補充完整。

(2)用文字表述實驗步驟④中檢查裝置氣密性的方法:__________________________。

(3)實驗步驟⑤中應(yīng)選用_________(填序號)的量筒。

A.100ml B.200ml C.500ml

(4)若忽略水蒸氣的影響,在實驗條件下測得氣體摩爾體積Vm=_____________,若未除去鎂條表面的氧化膜,則測量結(jié)果___________________(填“偏大”、“偏小”或“無影響”)。

(5)若在配制鹽酸過程中出現(xiàn)下列情況,將使所配制的溶液的濃度偏高的是___________(填各選項的序號)。

a.配制溶液所用的容量瓶洗凈后沒有烘干

b.轉(zhuǎn)移溶液后,未洗滌燒杯和玻璃棒就直接定容

c.最后確定HCl溶液體積(定容)時,俯視觀察液面與容量瓶刻度線

d.定容搖勻后靜置,發(fā)現(xiàn)液面低于刻度線,再加蒸餾水至刻度線

【答案】10ml量筒 0.12 兩手掌緊貼錐形瓶外壁一會兒,如果觀察到廣口瓶中長導管內(nèi)有一段水柱高出液面,表明裝置氣密性良好 B 0.2VL/mol 偏小 c

【解析】

量取溶液的最小讀數(shù)為0.1mL,可以用10mL量筒量。桓鶕(jù)n=cV計算出鹽酸中含有HCl的物質(zhì)的量,再根據(jù)反應(yīng)生成氯化鎂計算出消耗鎂的物質(zhì)的量,最后根據(jù)m=nM計算出最小質(zhì)量;兩手掌緊貼錐形瓶外壁,根據(jù)廣口瓶中長導管內(nèi)是否有一段水柱高出液面判斷裝置氣密性;讀數(shù)時要保持左右氣體壓強相等,以減少誤差,故應(yīng)將量筒緩緩向下移動,使乙、丙中液面相平;若未除去鎂條表面的氧化膜,導致鎂的質(zhì)量偏小,生成氣體體積偏小。

(1)②量取10.0mL1.0molL-1的鹽酸,需要用10mL量筒量;③10.0mL1.0molL-1的鹽酸溶液中含有HCl的物質(zhì)的量為:1.0mol/L×0.01L=0.01mol,根據(jù)反應(yīng)Mg+2HCl═MgCl2+H2↑可知最少消耗Mg的物質(zhì)的量為0.005mol,質(zhì)量為:24g/mol×0.005mol=0.12g,則a至少為0.12。(2)檢查裝置氣密性的方法為:兩手掌緊貼錐形瓶外壁一會兒,如果觀察到廣口瓶中長導管內(nèi)有一段水柱高出液面,表明裝置氣密性良好。(3)10.0mL1.0molL-1的鹽酸溶液中含有HCl的物質(zhì)的量為0.01mol,根據(jù)根據(jù)反應(yīng)Mg+2HCl═MgCl2+H2↑可知生成氫氣的物質(zhì)的量為0.005mol,標準狀況下0.005mol氫氣的體積為:22.4L/mol×0.05mol=112mL,應(yīng)該用200mL量筒。(4)實驗測得,0.005mol氫氣的體積為VmL,則氣體摩爾體積Vm=0.001VL/0.005mol=0.2VL/mol;若未除去鎂條表面的氧化膜,生成的氫氣體積減少,導致測量的氣體摩爾體積偏低。(5)配制最后需加水定容,容量瓶洗凈后沒有烘干,對所配溶液濃度無影響;未用蒸餾水洗滌燒杯和玻璃棒,溶質(zhì)的物質(zhì)的量減少,所配溶液濃度偏低;定容時俯視容量瓶刻度線,所配溶液體積偏小,導致所配溶液濃度偏高;反復倒轉(zhuǎn)搖勻后,液面低于刻度線,此時有少量溶液殘留在玻璃塞和瓶口之間,濃度不變,屬于正常現(xiàn)象,但又補充了水,所配溶液體積偏大,導致所配溶液濃度偏小,故選C。

練習冊系列答案
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【題目】已知草酸為二元弱酸:H2C2O4HC2O+H Ka1、HC2OC2O+H Ka2。常溫下,向某濃度的H2C2O4溶液中逐滴加入一定濃度的KOH溶液,所得溶液中H2C2O4、HC2O、C2O三種微粒的物質(zhì)的量分數(shù)(δ)與溶液pH的關(guān)系如圖所示,則下列說法中不正確的是(  )

A. Ka1=10-1.2

B. pH=2.7時溶液中:=1000

C. 將相同物質(zhì)的量的KHC2O4和K2C2O4固體完全溶于水便是配得pH為4.2的混合液

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A. 曲線Ⅱ為醋酸稀釋時的變化曲線

B. a、b、c三點溶液的pH大小順序為a>b>c

C. a點的Kw值比b點的Kw值大

D. b點水電離的H+物質(zhì)的量濃度小于c點水電離的H+物質(zhì)的量濃度

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A. 工作時正極發(fā)生還原反應(yīng),且正極質(zhì)量逐漸減小

B. 當電極上生成1.08 g Ag時,電路中轉(zhuǎn)移的電子為0.1 mol

C. Al電極的反應(yīng)式為Al-3e+4OH=AlO2+2H2O

D. 工作時電解液中的Na移向Ag2O/Ag電極

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【題目】已知:H2(g)+Br2(l)=2HBr(g) H=-akJ/mol,蒸發(fā)1molBr2(l)需要吸收的能量為30kJ,其他數(shù)據(jù)如下表:

H2(g)

Br2(g)

HBr(g)

1mol分子中的化學鍵斷裂時需要吸收的能量/kJ

436

b

369

下列說法正確的是

A. 2HBr(g)=H2(g)+Br2(g)H=+akJ/mol

B. H2(g)的穩(wěn)定性低于HBr(g)

C. Br2(g)=Br2(l) H=+30kJ/mol

D. b=272-a

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【題目】以鉻鐵礦[Fe(CrO2)2]為原料可制備K2Cr2O7和金屬鉻。實驗流程如下:

已知:2CrO42-+2H+=Cr2O72-+H2O。pH<3.0,CrO42-含量極小。

(1)寫出鉻鐵礦焙燒轉(zhuǎn)化為Na2CrO4的化學反應(yīng)方程式:_____________________________________;焙燒時不能使用陶瓷容器的原因是________________________________________。

(2)加入稀硫酸后所得Na2Cr2O7溶液的pH應(yīng)小于3.0,可用_________________測定溶液pH。

(3)操作①包括過濾和洗滌。實驗室洗滌沉淀的操作是________________________________。

(4)Na2S的作用是①__________________________和②___________________________

(5)Fe3+在pH為3.7時可完全轉(zhuǎn)化為Fe(OH)3。在上述流程中所得Na2Cr2O7溶液中含有少量Fe3+。請結(jié)合下圖有關(guān)物質(zhì)的溶解度曲線,設(shè)計由Na2Cr2O7溶液制備K2Cr2O7固體的實驗方案(實驗中須選用的試劑:硫酸溶液、NaOH溶液、KCl固體、蒸餾水)____________________

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(1)元素電負性:D____E (填>、<或=);

(2)B、C單質(zhì)熔點B_____C(填>、<或=);

(3)AE4中A原子雜化軌道方式為:________雜化;其固態(tài)晶體類型為_____________;

(4)氫化物的沸點:B比D高的原因______________

(5)F的核外電子排布式為____________________________;向F的硫酸鹽中逐滴加入氨水先產(chǎn)生沉淀,后沉淀溶解為深藍色溶液,加入乙醇會析出深藍色晶體,該晶體的化學式為_______,其中關(guān)于該晶體下列說法中正確的是_____________________。

A.加入乙醇的目的是降低溶劑的極性,促使晶體析出

B.F與NH3之間的化學鍵為離子鍵

C.該配合物晶體中,N是配位原子,NH3為三角錐型

D.配離子內(nèi)N原子排列成為平面正方形,則其中F離子是sp3雜化

E.向該晶體的水溶液中加入濃BaCl2溶液有白色沉淀生成

(6)元素X的某價態(tài)陰離子Xn-中所有電子正好充滿K和L電子層,CnX晶體的最小結(jié)構(gòu)單元為立方體,結(jié)構(gòu)如圖所示。該晶體中每個Xn-________個等距離的C+離子包圍。已知該晶體的密度為ρg.cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,CnX的摩爾質(zhì)量為M g/mol,C+和Xn-間的最短距離是_____________nm。(列出計算式即可)

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【題目】最近,科學家開發(fā)出一種低成本光伏材料——蜂窩狀石墨烯。生產(chǎn)原理是:Na2O+2CO Na2CO3+C(石量烯),然后除去Na2CO3,即可制得蜂窩狀石墨烯。下列說法不正確的是

A. 該生產(chǎn)石墨烯的反應(yīng)屬于氧化還原反應(yīng)

B. 石墨烯與金剛石互為同素異形體

C. Na2O屬于堿性氧化物,CO屬于酸性氧化物,Na2CO3屬于鹽

D. 自然界中碳元素有游離態(tài)和化合態(tài)兩種存在形式

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