A. | 金剛石,晶體硅,碳化硅 | B. | CI4>CBr4>CCl4>CH4 | ||
C. | MgO>CsCl>NaCl | D. | Na>Mg>Al |
分析 A.原子晶體中,熔沸點(diǎn)高低與鍵長成反比;
B.分子晶體中,熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量成正比;
C.離子晶體中,熔沸點(diǎn)與電荷成正比、與離子半徑成反比;
D.金屬晶體中,熔沸點(diǎn)與半徑成正比.
解答 解:A.原子晶體中,熔沸點(diǎn)高低與鍵長成反比,這幾種物質(zhì)都是原子晶體,鍵長C-C<C-Si<Si-Si,所以熔沸點(diǎn)金剛石>碳化硅>晶體硅,故A錯(cuò)誤;
B.分子晶體中,熔沸點(diǎn)與相對(duì)分子質(zhì)量成正比,相對(duì)分子質(zhì)量CI4>CBr4>CCl4>CH4,所以熔沸點(diǎn)CI4>CBr4>CCl4>CH4,故B正確;
C.離子晶體中,熔沸點(diǎn)與電荷成正比、與離子半徑成反比,鎂離子和氧離子都兩個(gè)單位電荷,鈉離子、銫離子和氯離子都帶一個(gè)單位電荷,且銫離子半徑大于鈉離子,所以熔沸點(diǎn)MgO>NaCl>CsCl,故C錯(cuò)誤;
D.金屬晶體中,熔沸點(diǎn)與半徑成正比,半徑Na>Mg>Al,所以熔沸點(diǎn)Al>Mg>Na,故D錯(cuò)誤;
故選B.
點(diǎn)評(píng) 本題考查離子晶體、原子晶體、金屬晶體、分子晶體熔沸點(diǎn)高低判斷,側(cè)重考查知識(shí)運(yùn)用,明確晶體類型及晶體熔沸點(diǎn)高低影響因素即可解答,題目難度不大.
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
編號(hào) | 操作 | 實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象 |
① | 分別在試管A、B中加入 5mL 5% H2O2溶液,各滴入1~2 滴1mol/L FeCl3溶液.待試管中均有適量氣泡出現(xiàn)時(shí),將試管A放入盛有5℃左右冷水的燒杯中;將試管B放入盛有40℃左右熱水的燒杯中 | 試管A中不再產(chǎn)生氣泡 試管B中產(chǎn)生的氣泡量增大 |
② | 另取兩支試管分別加入 5mL 5%H2O2溶液和 5mL10%H2O2溶液 | 試管A、B中均未見氣泡產(chǎn)生 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 某實(shí)驗(yàn)過程中得到一定量的碘水,可用裂化汽油從碘水中萃取出碘 | |
B. | 芳香烴主要來自于煤焦油和石油化工中的催化重整 | |
C. | 常壓分餾得到的汽油是混合物,沒有固定的沸點(diǎn) | |
D. | 乙烯是輕質(zhì)油裂解的產(chǎn)物,其產(chǎn)量可用來衡量一個(gè)國家的石油化工發(fā)展水平 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | NH4HCO3與鹽酸的反應(yīng)是放熱反應(yīng) | |
B. | 該反應(yīng)中,熱能轉(zhuǎn)化為產(chǎn)物內(nèi)部的能量 | |
C. | 反應(yīng)物的總能量高于生成物的總能 | |
D. | 該反應(yīng)的反應(yīng)物和生成物的能量高低與醋酸的凝固無關(guān) |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:選擇題
A. | 硝酸銣?zhǔn)请x子化合物 | |
B. | 在鈉、鉀、銣三種單質(zhì)中,銣的熔點(diǎn)最高 | |
C. | 氫氧化銣?zhǔn)侨鯄A | |
D. | 它位于周期表的第四周期、第ⅠA族 |
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:多選題
A. | 它位于周期表的第五周期,第I A族 | |
B. | 氫氧化銣?zhǔn)侨鯄A | |
C. | 在鈉、鉀、銣3種單質(zhì)中,銣的熔點(diǎn)最高 | |
D. | 硝酸銣?zhǔn)请x子化合物 |
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