A. | 碳元素的單質(zhì)只存在金剛石和石墨兩種同素異形體 | |
B. | Mg、MgO中鎂元素微粒的半徑:r(Mg2+)>r(Mg) | |
C. | 粗硅$→_{高溫}^{Cl_{2}}$SiCl4$→_{高溫}^{H_{2}}$Si | |
D. | Mg(OH)2$\stackrel{鹽酸}{→}$MgCl2(aq)$\stackrel{電解}{→}$Mg |
分析 A、C元素的單質(zhì)存在多種同素異形體;
B、電子層數(shù)越多,微粒半徑越大;
C、粗硅在高溫下與氯氣反應(yīng)四氯化硅,再用氫氣還原得到較純硅;
D、電解熔融的氯化鎂得到單質(zhì)鎂.
解答 解:A、元素C除存在金剛石和石墨外,還存在足球烯(C60)等同素異形體,故A錯(cuò)誤;
B、Mg有3個(gè)電子層,Mg2+為Mg失去最外層的2個(gè)電子形成的陽(yáng)離子,只有2個(gè)電子層,故半徑r(Mg2+)<r(Mg),故B錯(cuò)誤;
C、粗硅在高溫下與氯氣反應(yīng)四氯化硅,在高溫條件下用氫氣還原四氯化硅得到較純的硅,其轉(zhuǎn)化過(guò)程為:粗硅$→_{高溫}^{Cl_{2}}$SiCl4$→_{高溫}^{H_{2}}$Si,故C正確;
D、電解熔融的氯化鎂得到單質(zhì)鎂,電解氯化鎂溶液得到氯氣、氫氣和氫氧化鎂,得不到鎂單質(zhì),故D錯(cuò)誤,
故選C.
點(diǎn)評(píng) 本題主要考查的是同素異形體的判斷、微粒半徑大小比較、元素化合物的性質(zhì)等,題目綜合性較強(qiáng),有一定的難度,側(cè)重于考查學(xué)生對(duì)基礎(chǔ)知識(shí)的應(yīng)用能力.
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
物質(zhì) | 熔點(diǎn)(℃) | 沸點(diǎn)(℃) | 密度(g•cm-3) |
乙 醇 | -117.0 | 78.0 | 0.79 |
乙 酸 | 16.6 | 117.9 | 1.05 |
乙酸乙酯 | -83.6 | 77.5 | 0.90 |
濃硫酸(98%) | -- | 338.0 | 1.84 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 物質(zhì)的量就是數(shù)量,只是描述對(duì)象為微觀粒子 | |
B. | 摩爾質(zhì)量在數(shù)值上等于相對(duì)原子(或分子)質(zhì)量,所以HCl的摩爾質(zhì)量為36.5 | |
C. | 阿伏伽德羅常數(shù)約為6.02×1023 | |
D. | 物質(zhì)的量是一個(gè)物理量,它將宏觀的質(zhì)量或體積與微觀的粒子數(shù)聯(lián)系起來(lái) |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 同主族金屬的原子半徑越大,熔點(diǎn)越高 | |
B. | 分子間作用力越強(qiáng),分子晶體的熔點(diǎn)越高 | |
C. | 稀有氣體原子序數(shù)越大,熔點(diǎn)越低 | |
D. | 同周期元素的原子半徑越小,越易失去電子 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
T/℃ | 700 | 800 | 830 | 1 000 | 1 200 |
K | 0.6 | 0.9 | 1.0 | 1.7 | 2.6 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 40% | B. | 50% | C. | 70% | D. | 90% |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 25℃時(shí),0.1mol•L-1的硫化氫溶液比等濃度的硫化鈉溶液的導(dǎo)電能力弱 | |
B. | 某反應(yīng)2A(g)?C(g)+3D(g)在高溫時(shí)能自發(fā)進(jìn)行,則該反應(yīng)的△H<0 | |
C. | 稀醋酸中加入少量醋酸鈉能增大醋酸的電離程度 | |
D. | 在輪船船體四周鑲嵌鋅塊保護(hù)船體不受腐蝕的方法叫外加電流的陰極保護(hù)法 |
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