精英家教網(wǎng)在下列裝置中,MSO4和NSO4是兩種常見金屬的易溶鹽.當K閉合時,SO42-從右到左通過交換膜移向M極,下列分析正確的是( 。
        分析:當 K 閉合時,在交換膜處 SO42-從右向左移動,說明M為負極,N為正極,即M的金屬活動性大于N;連接N的Y極為陽極,連接M的X極為陰極,電解池工作時,Y極上氯離子失電子發(fā)生氧化反應,電極反應式為2Cl--2e-=Cl2↑,X極上發(fā)生的電極反應式為2H++2e-=H2↑,以此解答該題.
        解答:解:當 K 閉合時,在交換膜處 SO42-從右向左移動,說明M為負極,N為正極,
        A.M為負極,被氧化生成M2+,溶液中c(M2+)增大,故A錯誤;
        B.N為正極,發(fā)生還原反應,為N2++2e-=N,故B錯誤;
        C.X極上發(fā)生的電極反應式為2H++2e-=H2↑,生成氫氣,被還原,故C正確;
        D.反應過程中Y電極為陽極,發(fā)生2Cl--2e-=Cl2↑,沒有沉淀生成,故D錯誤.
        故選C.
        點評:本題綜合考查原電池好電解池知識,側(cè)重于學生的分析能力和電化學知識的綜合考查,為高考常見題型和高頻考點,注意根據(jù)離子的定向移動判斷原電池的正負極,明確電極方程式的書寫為解答該題的關(guān)鍵,難度不大.
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        科目:高中化學 來源: 題型:

        (10分)常溫下,某工廠以濃硫酸、濃硝酸、粗銅、水和空氣為原料,設計如圖所示制取硫酸銅晶體(CuSO4·5H2O)的生產(chǎn)工序和流程。

        回答下列問題:

        (1)(I)中制取硫酸銅的總反應的化學方程式為             。

        (2)在上述反應中可以被循環(huán)利用的物質(zhì)為            (寫化學式)。

        (3)①某同學在實驗室中模擬上述生產(chǎn)過程實現(xiàn)上述方案,請根據(jù)該同學的思路在下列裝置中選用適當?shù)难b置,并將它們的編號填入方框內(nèi)。

         

        ②裝置C的作用是            

        (4)硫酸銅晶體也可以直接用濃硫酸和粗銅反應制取,與上述方法相比,其缺點是            

         

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        科目:高中化學 來源:2012屆北京市順義區(qū)高三尖子生綜合素質(zhì)展示化學試卷 題型:實驗題

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        (1)(I)中制取硫酸銅的總反應的化學方程式為            。
        (2)在上述反應中可以被循環(huán)利用的物質(zhì)為            (寫化學式)。
        (3)①某同學在實驗室中模擬上述生產(chǎn)過程實現(xiàn)上述方案,請根據(jù)該同學的思路在下列裝置中選用適當?shù)难b置,并將它們的編號填入方框內(nèi)。

        ②裝置C的作用是            。
        (4)硫酸銅晶體也可以直接用濃硫酸和粗銅反應制取,與上述方法相比,其缺點是            

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        科目:高中化學 來源:2013-2014學年江西省贛州市六校高三上學期期末聯(lián)考理綜化學試卷(解析版) 題型:選擇題

        在下列裝置中,MSO4NSO4是兩種常見金屬的易溶鹽。當K閉合時,SO42-從右到左通過交換膜移向M極,下列分析正確的是(???? )

        A.溶液中c(M2+)減小

        BN的電極反應式:N-2e-N2+

        CX電極上有H2產(chǎn)生,發(fā)生還原反應

        D.反應過程中Y電極周圍生成白色膠狀沉淀

         

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        科目:高中化學 來源:2011-2012學年北京市順義區(qū)高三尖子生綜合素質(zhì)展示化學試卷 題型:實驗題

        (10分)常溫下,某工廠以濃硫酸、濃硝酸、粗銅、水和空氣為原料,設計如圖所示制取硫酸銅晶體(CuSO4·5H2O)的生產(chǎn)工序和流程。

        回答下列問題:

        (1)(I)中制取硫酸銅的總反應的化學方程式為             

        (2)在上述反應中可以被循環(huán)利用的物質(zhì)為             (寫化學式)。

        (3)①某同學在實驗室中模擬上述生產(chǎn)過程實現(xiàn)上述方案,請根據(jù)該同學的思路在下列裝置中選用適當?shù)难b置,并將它們的編號填入方框內(nèi)。

         

        ②裝置C的作用是             。

        (4)硫酸銅晶體也可以直接用濃硫酸和粗銅反應制取,與上述方法相比,其缺點是             。

         

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