9.(1)硫酸鎳溶于氨水形成[Ni(NH36]SO4藍色溶液
①[Ni(NH36]SO4中陰離子的立體構(gòu)型是正四面體.
②在[Ni(NH36]SO4+中Ni2+與NH3之間形成的化學鍵稱為配位鍵,提供孤電子對的成鍵原子是N.
③氨的沸點高于(“高于”或“低于”)膦(PH3),原因是氨氣分子間存在氫鍵;氨是極性分子(填“極性”或“非極性”),中心原子的軌道雜化類型為sp3
(2)單質(zhì)銅及鎳都是由金屬鍵形成的晶體:元素同與鎳的第二電離能分別為:ICu=1959kJ/mol,INi=1753kJ/mol,ICu>INi的原因是Cu+電子排布呈半充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,失電子需要能量高,第二電離能數(shù)值大.
(3)某鎳白銅合金的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示.
①晶胞中銅原子與鎳原子的數(shù)量比為3:1.
②若合金的密度為 dg/cm3,晶胞參數(shù)a=$\root{3}{\frac{251}{d{N}_{A}}}$×107nm.

分析 (1)①[Ni(NH36]SO4中陰離子價層電子對個數(shù)=4+$\frac{6+2-4×2}{2}$=4且不含孤電子對,根據(jù)價層電子對互斥理論判斷硫酸根離子的立體構(gòu)型;
②含有孤電子對和含有空軌道的原子之間存在配位鍵,提供孤電子對的成鍵原子是N;
③有氫鍵的氫化物熔沸點較高;
氨氣分子結(jié)構(gòu)不對稱,正負電荷重心不重合;氨氣分子中中心原子N原子的價層電子對個數(shù)=3+$\frac{5-3×1}{2}$=4且含有一個孤電子對,根據(jù)價層電子對互斥理論判斷N原子的軌道雜化類型;
(2)單質(zhì)銅及鎳都屬于金屬晶體;Cu+的外圍電子排布為3d10,Ni+的外圍電子排布為3d84s1,Cu+的核外電子排布更穩(wěn)定;
(3)①該晶胞中Ni原子個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$=1、Cu原子個數(shù)=6×$\frac{1}{2}$=3;
②該晶胞的化學式為Cu3Ni,若合金的密度為dg/cm3,晶胞參數(shù)=$\root{3}{\frac{\frac{M}{{N}_{A}}}{ρ}}$.

解答 解:(1)①[Ni(NH36]SO4中陰離子價層電子對個數(shù)=4+$\frac{6+2-4×2}{2}$=4且不含孤電子對,根據(jù)價層電子對互斥理論判斷硫酸根離子的立體構(gòu)型為正四面體,
故答案為:正四面體;
②含有孤電子對和含有空軌道的原子之間存在配位鍵,在[Ni(NH36]2+中Ni2+提供空軌道、NH3提供孤電子對,所以在[Ni(NH36]2+中Ni2+與NH3之間形成的化學鍵稱為配位鍵,提供孤電子對的成鍵原子是N,
故答案為:配位鍵;N;
③有氫鍵的氫化物熔沸點較高,氨氣中含有氫鍵、膦中不含氫鍵,則氨的熔沸點高于膦;
氨氣分子結(jié)構(gòu)不對稱,正負電荷重心不重合,所以為極性分子;氨氣分子中中心原子N原子的價層電子對個數(shù)=3+$\frac{5-3×1}{2}$=4且含有一個孤電子對,根據(jù)價層電子對互斥理論判斷N原子的軌道雜化類型為sp3,
故答案為:高于;氨氣分子間存在氫鍵;極性;sp3
(2)單質(zhì)銅及鎳都屬于金屬晶體,都是由金屬鍵形成的晶體;Cu+的外圍電子排布為3d10,呈半充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,Ni+的外圍電子排布為3d84s1,Cu+的核外電子排布更穩(wěn)定,失去第二個電子更難,元素銅的第二電離能高于鎳的,
故答案為:金屬;Cu+電子排布呈半充滿狀態(tài),比較穩(wěn)定,失電子需要能量高,第二電離能數(shù)值大;
(3)①該晶胞中Ni原子個數(shù)=8×$\frac{1}{8}$=1、Cu原子個數(shù)=6×$\frac{1}{2}$=3,則Cu、Ni原子個數(shù)之比為3:1,故答案為:3:1;
②該晶胞的化學式為Cu3Ni,若合金的密度為dg/cm3,晶胞參數(shù)=$\root{3}{\frac{\frac{M}{{N}_{A}}}{ρ}}$=$\root{3}{\frac{\frac{251}{{N}_{A}}}iysaiak}$cm=$\root{3}{\frac{251}{d{N}_{A}}}$×107nm,故答案為:$\root{3}{\frac{251}{d{N}_{A}}}$×107

點評 本題綜合考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),為高頻考點,涉及晶胞計算、價層電子對互斥理論、配位鍵、原子核外電子排布等知識點,側(cè)重考查學生對物質(zhì)結(jié)構(gòu)、基本理論的理解和運用,孤電子對的計算方法是易錯點.

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