Question

有A、B、C、D、E五種短周期元素，它們的核電荷數(shù)按C、A、B、D、E的順序增大．C、D都能分別與A按原子個(gè)數(shù)比為1：1或2：1形成化合物；CB可與EA₂反應(yīng)生成C₂A與氣態(tài)物質(zhì)EB₄；E的M層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍．
（1）寫出下列元素的名稱：A

 

，D

 

．
（2）畫出E的原子結(jié)構(gòu)示意圖

 

；寫出EB₄的結(jié)構(gòu)式

 

．
（3）用電子式表示D₂A中化學(xué)鍵的形成過程：

 

．
（4）化合物D₂A₂中存在的化學(xué)鍵類型是

 

．

Answer 1

考點(diǎn)：位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：E的M層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍，K層容納2個(gè)電子，M層有4個(gè)電子，則E為Si元素；A、B、C、D、E五種短周期元素，核電荷數(shù)按C、A、B、D、E的順序增大，C、D都能分別與A按原子個(gè)數(shù)比為1：1或2：1形成化合物，CB可與EA₂反應(yīng)生成C₂A和氣態(tài)物質(zhì)EB₄，則C為H元素，A為O元素，D為Na元素；CB可與EA₂反應(yīng)生成C₂A和氣態(tài)物質(zhì)EB₄，該反應(yīng)為4HF+SiO₂═2H₂O+SiF₄↑，則B為F元素，然后利用元素及其單質(zhì)、化合物的性質(zhì)來解答．

解答： 解：E的M層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2倍，K層容納2個(gè)電子，M層有4個(gè)電子，則E為Si元素；A、B、C、D、E五種短周期元素，核電荷數(shù)按C、A、B、D、E的順序增大，C、D都能分別與A按原子個(gè)數(shù)比為1：1或2：1形成化合物，CB可與EA₂反應(yīng)生成C₂A和氣態(tài)物質(zhì)EB₄，則C為H元素，A為O元素，D為Na元素；CB可與EA₂反應(yīng)生成C₂A和氣態(tài)物質(zhì)EB₄，該反應(yīng)為4HF+SiO₂═2H₂O+SiF₄↑，則B為F元素，
（1）由上述分析可知，A為氧元素；D為鈉元素，
故答案為：氧；鈉；
（2）E為Si元素，質(zhì)子數(shù)為14，最外層電子數(shù)為4，原子結(jié)構(gòu)示意圖為；
EB₄為SiF₄，硅原子與氟原子之間形成1對共用電子對，電子式為，
故答案為：；；
（3）D₂A為Na₂O，由鈉離子與氧離子構(gòu)成，用電子式表示其形成過程為：，
故答案為：；

（4）D₂A₂為Na₂O₂，由鈉離子與過氧根離子構(gòu)成，鈉離子與過氧根離子之間形成離子鍵、過氧根離子中氧原子之間形成共價(jià)鍵，
故答案為：離子鍵、共價(jià)鍵．

點(diǎn)評：本題考查結(jié)構(gòu)性質(zhì)位置關(guān)系綜合應(yīng)用，熟悉元素形成的常見化合物是解答本題的關(guān)鍵，注意二氧化硅的特性來解答．