【題目】研究大氣污染物SO2、CH3OH與H2O之間的反應,有利于揭示霧霾的形成機理。
反應i:
反應ii:
(1)CH3OSO3H發(fā)生水解:△H=______kJ/mol。
(2)T℃時,反應ii的CH3OH(g)、SO3(g)的初始濃度分別為,平衡時SO3轉(zhuǎn)化率為0.04%,則K=_____________。
(3)我國科學家利用計算機模擬計算,分別研究反應ii在無水和有水條件下的反應歷程,如圖所示,其中分子間的靜電作用力用“…”表示。
①分子間的靜電作用力最強的是_____________(填“a”、“b”或“c”)。
②水將反應ii的最高能壘由_____________eV降為_____________eV。
③d到f轉(zhuǎn)化的實質(zhì)為質(zhì)子轉(zhuǎn)移,該過程斷裂的化學鍵為____(填標號)。
A.CH3OH中的氫氧鍵B.CH3OH中的碳氧鍵
C.H2O中的氫氧鍵D.SO3中的硫氧鍵
(4)分別研究大氣中H2O、CH3OH的濃度對反應i、反應ii產(chǎn)物濃度的影響,結果如圖所示。
①當c(CH3OH)大于10-11mol.L-1時,c(CH3OH)越大,c(H2SO4)越小的原因是_____________。
②當c(CH3OH)小于10-11mol.L-1時,c(H2O)越大,c(CH3OSO3H)越小的原因是_____________。
【答案】-164.4 4×104L·mol-1 a 20.93 6.62 ACD 反應i和反應ii為競爭反應,甲醇濃度增大,促進了甲醇和三氧化硫反應,抑制了三氧化硫和水的反應,硫酸的濃度減小 水的濃度越大,甲醇和三氧化硫碰撞幾率越小,生成CH3OSO3H越小,c(CH3OSO3H)越小
【解析】
(3)圖形很陌生,但仔細觀察發(fā)現(xiàn)其實是反應歷程與能量變化圖,問題就變簡單了。
(4)反應i和反應ii為競爭反應,兩個反應都消耗三氧化硫,三氧化硫濃度不變的情況下,一個反應程度增大另一個反應程度一定減小。
(1) 反應i:
反應ii:
反應i-反應ii有:,所以=-=()-()=-164.4,故答案為:-164.4;
(2)SO3轉(zhuǎn)化率為0.04%,則SO3轉(zhuǎn)化值=×0.04%=8×10-13mol·L-1,列三段式如下: ,K=≈=4×104L·mol-1,故答案為:4×104L·mol-1;
(3)①a處的兩個分子能量更低,更穩(wěn)定,分子間靜電作用更強,故答案為:a;
②無水時,反應ii的最高能壘為19.59eV-(-1.34eV)=20.93eV,有水時,反應ii的最高能壘為3.66eV-(-2.96eV)=6.62eV,即水將反應ii的最高能壘由20.93eV降為6.62eV,故答案為:20.93;6.62;
③由圖可知,水分子中的氫氧鍵斷了一根,又形成一根;CH3OH中的氫氧鍵斷了,O和S原子重新形成一根鍵;SO3中硫氧雙鍵斷了一根,變成硫氧單鍵,S和甲醇中的O重新形成一根單鍵,綜上所述,水中的氫氧鍵、甲醇中的氫氧鍵、三氧化硫中的硫氧鍵都發(fā)生了斷裂,ACD符合,故答案為:ACD;
(4)①反應i和反應ii都消耗三氧化硫,為競爭反應,甲醇濃度增大,促進了甲醇和三氧化硫反應,抑制了三氧化硫和水的反應,硫酸的濃度減小,故答案為:反應i和反應ii為競爭反應,甲醇濃度增大,促進了甲醇和三氧化硫反應,抑制了三氧化硫和水的反應,硫酸的濃度減。
②水的濃度越大,甲醇和三氧化硫碰撞幾率越小,生成CH3OSO3H減小,c(CH3OSO3H)減小,故答案為:水的濃度越大,甲醇和三氧化硫碰撞幾率越小,生成CH3OSO3H越少,c(CH3OSO3H)越小。
科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】(1)乙烯、乙炔、甲苯、苯乙烯()4種有機物分別在一定條件下與H2充分反應。
①若烴與H2反應的物質(zhì)的量之比為1∶3,說明該烴分子中存在______________結構,它是________________________________________________________________________。
②若烴與H2反應的物質(zhì)的量之比為1∶2,說明該烴分子中存在________________結構,它是________________________________________________________________________。
③苯乙烯與H2完全加成的物質(zhì)的量之比為________。
(2)按分子結構決定性質(zhì)的觀點可推斷有如下性質(zhì):
①苯基部分可發(fā)生______反應和________反應;
②—CH===CH2部分可發(fā)生_______反應和_______反應;
③該有機物滴入溴水后生成產(chǎn)物的結構簡式為__________;滴入酸性高錳酸鉀溶液后生成產(chǎn)物的結構簡式為__________________________。
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】下列化學反應中的說法錯誤的是( )
A. 化學反應中有物質(zhì)變化也有能量變化。
B. 化學鍵斷裂吸收能量,化學鍵生成放出能量。
C. 需要加熱的化學反應不一定是吸熱反應。
D. 如圖所示的反應為放熱反應。
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】反應:3A(g)+B(g) = 2C(g) +2D(g),在不同條件下,用不同物質(zhì)表示其反應速率,分別為:
①v(A)=0.6 mol/(L·min) ②v(B)=0.45 mol/(L·min)
③v(C)=0.015 mol/(L·min) ④v(D)=0.45 mol/(L·min)
則此反應在不同條件下進行最快的是( )
A.①B.②C.③D.④
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【題目】向0.02mol·L-1CuSO4溶液中勻速滴加1mol·L-1氨水,先觀察到有淺藍色沉淀[Cu2(OH)2SO4]生成,后沉淀溶解,逐漸變?yōu)樯钏{色溶液。該實驗過程體系的pH和電導率隨時間的變化如圖所示。下列說法正確的是
A.c(Cu2+):a點=b點
B.bc段生成淺藍色沉淀的反應為
C.d點時:
D.導電能力:
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【題目】某溫度下,在2L恒容的密閉容器中X、Y、Z三種物質(zhì)(均為氣態(tài))間進行反應,其物質(zhì)的量隨時間的變化曲線如圖。據(jù)圖回答:
(1)該反應的化學方程式可表示為_______________________________________________。
(2)反應起始至t min(設t=5),X的平均反應速率是________________。
(3)在t min時,該反應達到了____________狀態(tài),下列可判斷反應已達到該狀態(tài)的是________(填字母,下同)。
A.X、Y、Z的反應速率相等 B.X、Y的反應速率比為2∶3
C.混合氣體的密度不變 D.生成1molZ的同時生成2molX
(4)從開始到t秒末X的轉(zhuǎn)化率__________。
(5)用一定能使該反應的反應速率增大的措施有________。
A.其他條件不變,及時分離出產(chǎn)物 B.適當降低溫度
C.其他條件不變,增大X的濃度 D.保持體積不變,充入Ar氣使容器內(nèi)壓強增大
(6)在一個體積固定的密閉容器中,進行的可逆反應A(s)+3B(g) 3C (g)。下列敘述中表明可逆反應一定達到平衡狀態(tài)的是 __________
①C的生成速率與C的分解速率相等;
②單位時間內(nèi)生成a mol A,同時生成3a mol B;
③B的濃度不再變化;
④混合氣體總的物質(zhì)的量不再發(fā)生變化;
⑤A、B、C的物質(zhì)的量之比為1∶3∶3;
⑥混合氣體的密度不再變化。
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】已知A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大,其中A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)相等;B原子核外電子有6種不同的運動狀態(tài),s軌道電子數(shù)是p軌道電子數(shù)的兩倍;D原子L層上有2對成對電子;E+ 原子核外有3層電子且M層3d軌道電子全充滿。請回答:
(1)E元素基態(tài)原子的電子排布式為_________。
(2)B、C、D三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序為____(填元素符號)
(3)D元素與氟元素相比,電負性:D______F(填“>”、“=”或“<”),下列表述中能證明這一事實的是_______(填選項序號)
A.常溫下氟氣的顏色比D單質(zhì)的顏色深
B.氟氣與D的氫化物劇烈反應,產(chǎn)生D的單質(zhì)
C.氟與D形成的化合物中D元素呈正價態(tài)
D.比較兩元素的單質(zhì)與氫氣化合時得電子的數(shù)目
(4)只含C、A兩元素的離子化合物,其電子式為______,它的晶體中含有多種化學鍵,但一定不含有的化學鍵是______(填選項序號)。
A.極性鍵 B.非極性鍵 C.離子鍵 D.金屬鍵
(5)B2A4是重要的基本石油化工原料。lmolB2A4分子中含鍵______mol。
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科目:高中化學 來源: 題型:
【題目】如圖所示的原電池裝置,X、Y為兩電極,電解質(zhì)溶液為稀硫酸,外電路中的電子流向如圖所示,對此裝置的下列說法正確的是( )
A. 外電路的電流方向為:X→外電路→Y
B. 若兩電極分別為Zn和石墨棒,則X為石墨棒,Y為Zn
C. SO42-移向X電極,Y電極上有氫氣產(chǎn)生
D. X極上發(fā)生的是還原反應,Y極上發(fā)生的是氧化反應
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