Question

2．晶體硅（熔點1140℃）是良好的半導體材料．由粗硅制純硅過程如下：
Si（粗）$→_{460℃}^{Cl_{2}}$SiCl₄$\stackrel{蒸餾}{→}$SiCl₄（純）$→_{1100℃}^{H_{2}}$Si（純）
（1）試寫出工業(yè)制粗硅的方程式：SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO↑．
（2）寫出由SiCl₄還原制得Si的方程式：2H₂+SiCl₄$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+4HCl．

Answer 1

分析 （1）C還原二氧化硅制粗硅；
（2）高溫下氫氣與四氯化硅（SiCl₄）反應(yīng)可制得高純度的硅，同時生成氯化氫氣體．

解答 解：（1）C還原二氧化硅制粗硅，化學反應(yīng)為SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO↑，
故答案為：SiO₂+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO↑；
（2）高溫下氫氣與四氯化硅（SiCl₄）反應(yīng)可制得高純度的硅，同時生成氯化氫氣體，反應(yīng)的化學方程式為2H₂+SiCl₄$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+4HCl．
故答案為：2H₂+SiCl₄$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+4HCl．

點評 本題考查了硅及其化合物性質(zhì)，側(cè)重考查反應(yīng)方程式的書寫，明確粗硅制備原理及提純原理是解題關(guān)鍵，題目難度不大．