【題目】從硫元素的化合價態(tài)上判斷,下列物質(zhì)中的硫元素不能表現(xiàn)氧化性的是( )
A.Na2SB.SC.SO2D.H2SO4
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【題目】化學反應A2+ B2= 2AB的能量變化如圖所示,則下列說法正確的是( )
A. 該反應是吸熱反應
B. 斷裂1 mol A—A鍵和1 mol B—B鍵能放出x kJ的能量
C. 斷裂2 mol A—B鍵需要吸收y kJ的能量
D. 2 mol AB的總能量高于1 mol A2和1 mol B2的總能量
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【題目】下列說法正確的是( )
A.124g P4含有的P﹣P鍵數(shù)為4NA(設NA表示阿伏伽德羅常數(shù)的值)
B.Be和NaOH溶液反應的離子方程式是:2Be+2OH ﹣+2H2O=2BeO2﹣+3H2↑
C.在NaCl溶液中加入AgNO3溶液,生成白色沉淀;再加入氨水,沉淀消失,沉淀消失發(fā)生的離子方程式是:
AgCl+2NH3H2O=[Ag(NH3)2]++Cl﹣+2H2O
D.0.1mol/L的Fe3+溶液中,能大量共存的離子有Cl﹣、SO42﹣、SCN﹣
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【題目】有四種不同堆積方式的金屬晶體的晶胞如圖所示,有關說法正確的是( 。
A.①為簡單立方堆積②為六方最密堆積③為體心立方堆積④為面心立方最密堆積
B.每個晶胞含有的原子數(shù)分別為:①1個,②2個,③2個,④4個
C.晶胞中原子的配位數(shù)分別為:①6,②8,③8,④12
D.空間利用率的大小關系為:①<②<③<④
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【題目】X、Y、Z、W是原子序數(shù)依次增大的4種短周期主族元素,X、W均為所在周期數(shù)和族序數(shù)相等的元素,Y、Z易形成元素質(zhì)量比為7:8和7:16的兩種常見化合物。下列說法正確的是
A. 原子半徑:Y<Z<W
B. 原子最外層電子數(shù):W>Z>Y
C. X、Y可以形成具有極性鍵也有非極性鍵的化合物
D. 由X、Y、Z三種元素形成的化合物的水溶液一定顯酸性
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【題目】以節(jié)能減排為基礎的低碳經(jīng)濟是保持社會可持續(xù)發(fā)展的戰(zhàn)略舉措。下列做法違背發(fā)展低碳經(jīng)濟的是
A. 發(fā)展氫能和太陽能
B. 限制塑料制品的使用
C. 提高原子利用率,發(fā)展綠色化學
D. 發(fā)展硅酸鹽(水泥、玻璃和陶瓷)工業(yè)
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【題目】C、N和Si能形成多種高硬度材料,如Si3N4,C3N4、SiC。
(1) Si3N4和C3N4中硬度較高的是_________,理由是____________________。
(2)C和N能合成三聚氰胺(如圖所示),其中N原子的雜化方式為________________。
(3)C和N還能形成一種五元環(huán)狀有機物咪唑(im),其結構為。化合物[Co(im)6]SiF6的結構示意圖如圖所示:
①基態(tài)Co原子的次外層電子排布式為___________。N與Co2+之間的化學鍵類型是_________________,判斷的理由是__________________。
②陰離子[SiF6]2-中心原子Si的價層電子對數(shù)為___________________。陽離子[Co(im)6]2+和[SiF6]2-之間除了陰陽離子間的靜電作用力,還存在氫鍵作用,畫出該氫鍵的表示式_______。(例如,水中氫鍵的表示式為:)。
(4)β-SiC為立方晶系晶體,晶胞參數(shù)為a,已知Si原子半徑為rSi,C原子半徑為rC,該晶胞中原子的分數(shù)坐標為:
C:(0,0,0);(1/2,1/2,0);(1/2,0,1/2);(0,1/2,1/2);……
Si:(1/4,1/4,1/4);(1/4,3/4,3/4);(3/4,1/4,3/4);(3/4,3/4,1/4)。
則β-SiC立方晶胞中含有____個Si原子、___個C原子;該晶跑中原子的體積占晶胞體積的百分率為______________(列出計算式即可)。
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【題目】某小組為研究原電池原理,設計如圖裝置。下列敘述不正確的是
A. a和b不連接時,F(xiàn)e極上析出紅色物質(zhì)
B. a和b連接時,SO42-向Fe極移動
C. 這種原電池可以提供持續(xù)、穩(wěn)定的電流
D. 該原電池反應的離子方程式為:Cu2++Fe=Cu+Fe2+
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【題目】可逆反應:X(s)+Y(g)2Z(g)在容積為1L密閉容器反應,下列敘述不是反應達到平衡狀態(tài)的標志的是
①單位時間內(nèi)生成1molX的同時消耗2molZ ②Z的體積分數(shù)不再變化
③體系的壓強不再改變 ④Y、Z的物質(zhì)的量濃度比為1:2
⑤Y的轉(zhuǎn)化率不再改變的狀態(tài) ⑥混合氣體的密度不再改變的狀態(tài)
A. 僅①④ B. ①③④ C. ①④⑤ D. ②③⑤⑥
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