Question

Ⅱ．砷化鎵為第三代半導(dǎo)體材料，
（1）砷化鎵可由（CH₃）₃Ga和AsH₃在700℃下反應(yīng)制得，反應(yīng)的化學(xué)方程式為

 

．   
（2）比較二者的第一電離能：As

 

Ga（填“＜”、“＞”或“=”）；
（3）AsH₃空間構(gòu)型為

 

．
已知（CH₃）₃Ga為非極性分子，則其中鎵原子的雜化方式是

 

．

Answer 1

考點(diǎn)：化學(xué)方程式的書寫,元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用,判斷簡單分子或離子的構(gòu)型,原子軌道雜化方式及雜化類型判斷

專題：

分析：（1）根據(jù)反應(yīng)物、生成物結(jié)合反應(yīng)條件可書寫化學(xué)方程式；
（2）同一周期元素中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢；
（3）利用價層電子對互斥模型判斷分子的空間構(gòu)型和雜化方式．

解答： 解：（1）反應(yīng)物（CH₃）₃Ga和AsH₃，生成為GaAs，根據(jù)質(zhì)量守恒可知還應(yīng)有CH₄，反應(yīng)的化學(xué)方程式為：（（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃  .

3CH₄+GaAs；
故答案為：（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃  .

3CH₄+GaAs；
（2）同一周期元素中，元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大趨勢，但第VA族元素第一電離能大于相鄰元素，Ga屬于第IIIA族、As屬于第VA族，所以As的第一電離能比Ga的大；
故答案為：＞；
（3）AsH₃分子中As的價層電子對數(shù)=3+

1

2

（5-3×1）=4，含有3個δ鍵和1個孤電子對，為三角錐形，（CH₃）₃Ga中Ga形成3個δ鍵，沒有孤電子對，為sp²雜化；
故答案為：三角錐；sp²．

點(diǎn)評：本題考查了方程式的書寫、第一電離能的比較、分子空間構(gòu)型以及雜化類型的判斷等知識，題目難度中等，注意相關(guān)基礎(chǔ)的把握和方法的積累．