【題目】第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件,通常稱(chēng)為高溫半導(dǎo)體材料;卮鹣铝袉(wèn)題:

(1)基態(tài)Ga原子價(jià)層電子的軌道表達(dá)式為_________________________,第一電離能介于NB之間的第二周期元素有_______種。

(2)HCN分子中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為_______,其中σ鍵的對(duì)稱(chēng)方式為___________。與CN互為等電子體的分子為___________。

(3)NaN3是汽車(chē)安全氣囊中的主要化學(xué)成分,其中陰離子中心原子的雜化軌道類(lèi)型為_________。NF3的空間構(gòu)型為____________

(4)GaN、GaPGaAs都是很好的半導(dǎo)體材料,晶體類(lèi)型與晶體硅類(lèi)似,熔點(diǎn)如下表所示,分析其變化原因_________________________________________________________

GaN

GaP

GaAs

熔點(diǎn)

1700

1480

1238

(5)GaN晶胞結(jié)構(gòu)如下圖所示。已知六棱柱底邊邊長(zhǎng)為a cm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。

晶胞中Ga原子采用六方最密堆積方式,每個(gè)Ga原子周?chē)嚯x最近的Ga原子數(shù)目為_____________;

GaN的密度為______________________g·cm3(a、NA表示)。

【答案】 3 1:1 軸對(duì)稱(chēng) CO sp 三角錐形 原子半徑N< P< As,鍵長(zhǎng)Ga-N < Ga-P < Ga-As,鍵能Ga-N > Ga-P > Ga-As,故熔點(diǎn)降低 12

【解析】

(1)Ga原子價(jià)層電子有6個(gè)電子,4s能級(jí)上有2個(gè)電子,4p能級(jí)上有1個(gè)電子,其外圍電子排布圖為 ;同一周期元素中,元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而呈增大的趨勢(shì),但第ⅡA元素第一電離能大于第ⅢA元素,第ⅤA族的第一電離能大于第ⅥA族元素,所以第二周期中第一電離能順序?yàn)椋?/span>BBeCON,第一電離能介于BN之間的第二周期元素有Be、C、O三種元素;

(2)單鍵是一個(gè)σ鍵,三鍵是一個(gè)σ2個(gè)π鍵,通過(guò)HCN分子的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式H-C≡N可知含有2個(gè)σ 2個(gè)π鍵,得出σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為11; σ鍵的對(duì)稱(chēng)方式為軸對(duì)稱(chēng);等電子體是指具有相同價(jià)電子數(shù)目和原子數(shù)目的分子或離子,與CN-互為等電子體的分子為CO

(3) 氮原子形成單鍵時(shí)為sp3雜化,形成雙鍵時(shí)為sp2雜化,形成叁鍵時(shí)為sp雜化,N3-中心原子的雜化軌道類(lèi)型為sp ; NF3N的雜化類(lèi)型為sp3,形成3個(gè)共用電子對(duì),還有一對(duì)孤對(duì)電子,因而NF3的空間構(gòu)型為三角錐形;

(4)原子半徑N< P< As,鍵長(zhǎng)Ga-N < Ga-P < Ga-As,鍵能Ga-N > Ga-P > Ga-As,故熔點(diǎn)降低;

(5)從六方晶胞的面心原子分析,上、中、下層分別有3、6、3個(gè)配位原子,故配位數(shù)為12;六方晶胞中原子的數(shù)目往往采用均攤法:位于晶胞頂點(diǎn)的原子為6個(gè)晶胞共用,對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1/6位于晶胞面心的原子為2個(gè)晶胞共用,對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1/2;位于晶胞側(cè)棱的原子為3個(gè)晶胞共用,對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1/3;位于晶胞底面上的棱棱心的原子為4個(gè)晶胞共用,對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1/4;位于晶胞體心的原子為1個(gè)晶胞共用,對(duì)一個(gè)晶胞的貢獻(xiàn)為1, GaN晶胞中Ga原子個(gè)數(shù)為6,晶胞中N原子個(gè)數(shù)為,所以該結(jié)構(gòu)為Ga6N6,質(zhì)量為6×84/NAg,該六棱柱的底面為正六邊形,邊長(zhǎng)為acm,底面的面積為6個(gè)邊長(zhǎng)為acm的正三角形面積之和,根據(jù)正三角形面積的計(jì)算公式,該底面的面積為cm2,如圖所示可知高為2倍的正四面體高,cm,所以體積為,密度為=

練習(xí)冊(cè)系列答案
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4)在CaF2晶體中,Ca2的配位數(shù)是________,F-的配位數(shù)是________

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C. d點(diǎn)溶液中:c(SO42-) >c(NH4+)>c(OH-)

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A. 達(dá)到平衡時(shí)隔板K最終停留在0刻度左側(cè)的24之間

B. 若達(dá)到平衡時(shí)隔板K最終停留在左側(cè)1處,則乙中C的轉(zhuǎn)化率小于50%

C. 如圖II所示若x軸表示時(shí)間,則y軸可表示甲、乙兩容器中氣體的總物質(zhì)的量或A的物質(zhì)的量

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A. 0.16 B. 0.08 C. 0.06 D. 0.04

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