A. | CH4的穩(wěn)定性高于SiH4,可推測CH4的沸點(diǎn)也高于SiH4 | |
B. | 氯化鈉的晶格能比氯化銫的晶格能小 | |
C. | 根據(jù)價(jià)電子構(gòu)型與化合價(jià)的關(guān)系,推出最外層電子數(shù)3個的元素一定是第ⅢA族元素 | |
D. | 根據(jù)較強(qiáng)酸可以制取較弱酸的規(guī)律,推出SO2通入NaClO溶液中能生成HClO |
分析 A.元素的非金屬性越強(qiáng),其氫化物的穩(wěn)定性越強(qiáng),氫化物的熔沸點(diǎn)與其相對分子質(zhì)量成正比;
B.晶格能與離子半徑成反比,與電荷成正比;
C.最外層電子數(shù)大于2而小于8的元素一定是主族元素,主族元素其最外層電子數(shù)與其族序數(shù)相同;
D.二氧化硫具有還原性,能被強(qiáng)氧化劑氧化.
解答 解:A.元素的非金屬性越強(qiáng),其氫化物的穩(wěn)定性越強(qiáng),氫化物的熔沸點(diǎn)與其相對分子質(zhì)量成正比,非金屬性C>Si,所以氫化物的穩(wěn)定性甲烷較強(qiáng),但甲烷相對分子質(zhì)量小于硅烷,所以硅烷熔沸點(diǎn)較高,故A錯誤;
B.晶格能與離子半徑成反比,與電荷成正比,鈉離子半徑小于銫離子,所以氯化鈉的晶格能比氯化銫的晶格能大,故B錯誤;
C.最外層電子數(shù)大于2而小于8的元素一定是主族元素,主族元素其最外層電子數(shù)與其族序數(shù)相同,所以最外層電子數(shù)3個的元素一定是第ⅢA族元素,故C正確;
D.二氧化硫具有還原性,能被強(qiáng)氧化劑次氯酸鈉氧化生成硫酸,故D錯誤;
故選C.
點(diǎn)評 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)、原子結(jié)構(gòu)和氧化還原反應(yīng)等知識點(diǎn),為高頻考點(diǎn),明確物質(zhì)熔沸點(diǎn)與其影響因素是解本題關(guān)鍵,注意:分子晶體熔沸點(diǎn)與分子間作用力及氫鍵有關(guān),分子晶體穩(wěn)定性與化學(xué)鍵有關(guān),易錯選項(xiàng)是D.
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A. | 硝酸銨自發(fā)地溶于水 | |
B. | 2N2O5(g)═4NO2(g)+O2(g)△H=+56.7kJ•mol-1 | |
C. | (NH4 )2 CO3(s)═NH4HCO3(s)+NH3(g);△H=+74.9 kJ/mol | |
D. | 2H2(g)+O2(g)═2H2O(l);△H=-571.6 KJ/mol |
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A. | OH- | B. | HF | C. | NO | D. | H3O+ |
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