2．如圖的裝置，左為鐵電極，右為石墨電極，a為水或某種溶液．若兩電極直接連接或外接電源，石墨上可能發(fā)生的反應(yīng)是（　�。�
①2H++2e→H2↑  ②O2+4e+2H2O→4OH-  ③2Cl--2e→Cl2↑
A．①B．②C．①②D．①②③

分析 若兩電極直接連接，則該裝置是原電池，鐵作負(fù)極，石墨作正極，負(fù)極上鐵失電子發(fā)生氧化反應(yīng)，正極石墨上得電子發(fā)生還原反應(yīng)；
若兩電極外接電源，則該裝置為電解池，石墨電極若與正極相連，則為陽(yáng)極，溶液中的陰離子失電子發(fā)生氧化反應(yīng)，據(jù)此分析；

解答 解：若兩電極直接連接，則該裝置是原電池，鐵作負(fù)極，石墨作正極，弱電解質(zhì)為酸性溶液則正極石墨上發(fā)生2H++2e→H2↑，若電解質(zhì)為中性溶液，則正極石墨上發(fā)生O2+4e+2H2O→4OH-；
若兩電極外接電源，則該裝置為電解池，石墨電極若與正極相連，則為陽(yáng)極，如果電解氯化鈉溶液，則電解反應(yīng)為2Cl--2e→Cl2↑，所以①②③都有可能發(fā)生，
故選：D．

點(diǎn)評(píng) 本題考查原電池和電解池原理，根據(jù)電極上得失電子來(lái)分析解答，明確原電池的工作原理及電解質(zhì)溶液的性質(zhì)是解答本題的關(guān)鍵，電解過(guò)程的反應(yīng)原理應(yīng)用，注意相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)的積累，難度不大．

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

12．設(shè)NA為阿伏伽德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法正確的有（　�。�
①2molSO2和1molO2在V2O5存在的條件下于密閉容器中加熱充分反應(yīng)后，容器內(nèi)物質(zhì)分子數(shù)等于2NA
②15g甲基（-CH3）所含電子數(shù)為10NA
③在精煉銅或電鍍銅的過(guò)程中，當(dāng)陰極析出32g銅轉(zhuǎn)移電子數(shù)均為NA
④含0.2molH2SO4的濃硫酸與足量銅反應(yīng)，生成SO2的分子數(shù)為0.1NA
⑤12.4g白磷晶體中含有的P-P鍵數(shù)是0.6NA
⑥6.4g的S2和S3混合物中，含硫原子總數(shù)為0.2NA
⑦0.1過(guò)氧化鋇（BaO2）固體中陰、陽(yáng)離子總數(shù)為0.2NA．
A．2個(gè)B．3個(gè)C．4個(gè)D．5個(gè)

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

13．（1）短周期的元素a、b、c、d，原子序數(shù)依次增大．a(chǎn)原子的核外電子總數(shù)與其電子層數(shù)相同，b的基態(tài)原子各能級(jí)上排布的電子數(shù)相同，c的基態(tài)原子最高能層有3個(gè)未成對(duì)電子，d原子的最外層電子數(shù)為其內(nèi)層電子數(shù)的3倍．
①b、c、d元素的第一電離能由大到小的關(guān)系是N＞O＞C（用元素符號(hào)表示）；
②a和c形成的二元共價(jià)化合物中，既含有極性共價(jià)鍵、又含有非極性共價(jià)鍵的是（填電子式）．
③這幾種元素形成的離子中，與cd3-互為等電子體的是CO32-（填化學(xué)式），其空間構(gòu)形為三角錐形（用文字描述）；
（2）Cu2+的電子排布式為1s22s22p63s23p63d9，向含Cu2+的溶液中加入過(guò)量NaOH溶液可生成[Cu（OH）4]2-．不考慮空間構(gòu)型，[Cu（OH）4]2-的結(jié)構(gòu)式為；
（3）氮化硼（BN）晶體有多種相結(jié)構(gòu)．六方相氮化硼是通常存在的穩(wěn)定相，與石墨相似，具有層狀結(jié)構(gòu)，可作高溫潤(rùn)滑劑，立方相氮化硼是超硬材料，有優(yōu)異的耐磨性．它們的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示．
①關(guān)于這兩種晶體的說(shuō)法，正確的是bc（填序號(hào)）；
a．立方相氮化硼含有σ鍵和π鍵，所以硬度大
b．六方相氮化硼層間作用力小，所以質(zhì)地軟
c．兩種晶體中的B-N鍵均為共價(jià)鍵
d．兩種晶體均為分子晶體
②立方相氮化硼晶體中，硼原子的雜化軌道類(lèi)型為sp3；
③六方相氮化硼晶體與石墨相似卻不導(dǎo)電，其原因是六方相氮化硼晶體的片狀結(jié)構(gòu)中沒(méi)有自由電子．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

10．關(guān)于下列裝置的說(shuō)法正確的是（　�。�
A．裝置中鹽橋內(nèi)的K+移向CuSO4溶液
B．①是將電能轉(zhuǎn)變?yōu)榛瘜W(xué)能的裝置
C．若裝置②用于鐵棒鍍銅，則N極為鐵棒
D．若裝置用于電解精煉鋼，溶液中Cu2+的濃度保持不變

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

17．含硫單質(zhì)的水可防治皮膚病，而硫難溶于水，微溶于酒精，易溶于CS2，要增大硫在水中的分散程度，可將硫先放入溶劑R中，再將所得液體分散在水中，則R可以是（　�。�
A．CS2B．酒精C．CCl4D．鹽酸

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

7．溶液的酸堿性對(duì)許多物質(zhì)的氧化性有很大影響；生成物的溶解性會(huì)影響復(fù)分解反應(yīng)的方向．將Na2S溶液滴加到FeCl3溶液中，有單質(zhì)硫生成；將FeC13溶液滴加到Na2S溶液中生成的是Fe2S3而不是S或Fe（OH）3．從以上反應(yīng)可得出的結(jié)論是酸性條件氧化性：Fe3+＞S、給出Fe3+能力：Fe（OH）3＞Fe2S3．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

14．結(jié)構(gòu)片段為…-CH2-CH=CH-CH2-…的高分子化合物的單體是（　�。�
A．乙烯B．乙炔C．正丁烯D．1，3-丁二烯

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：解答題

3．高純度單晶硅是典型的無(wú)機(jī)非金屬材料，又稱(chēng)“半導(dǎo)體”材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計(jì)算機(jī)的一場(chǎng)“革命”．它可以按下列方法制備：
SiO2$\frac{\underline{\;\;\;①C\;\;\;}}{高溫}$Si（粗）$\frac{\underline{\;②HCl\;}}{300℃}$SiHCl3$\frac{\underline{\;\;\;③過(guò)量H_{2}\;\;\;}}{1000～1100}$Si（純）
（1）寫(xiě)出步驟①的化學(xué)方程式SiO2+2C$\frac{\underline{\;高溫\;}}{\;}$Si+2CO↑．
（2）步驟②經(jīng)過(guò)冷凝得到的SiHCl3（沸點(diǎn)33.0℃）中含有少量的SiCl4（沸點(diǎn)57.6℃）和HCl（沸點(diǎn)-84.7℃），提純SiHCl3的主要化學(xué)操作的名稱(chēng)是蒸餾或分餾；
SiHCl3和SiCl4一樣，遇水可發(fā)生劇烈水解，已知SiHCl3水解會(huì)生成兩種氣態(tài)產(chǎn)物，試寫(xiě)出其水解的化學(xué)方程式：SiHCl3+3H2O═H2SiO3+H2↑+3HCl↑．

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科目：高中化學(xué) 來(lái)源： 題型：選擇題

4．下列說(shuō)法錯(cuò)誤的是（　�。�
A．有機(jī)物CH2=CH-CH3中碳的雜化類(lèi)型有sp3 和sp2，其中有兩個(gè)π鍵，7個(gè)σ鍵
B．分子CO和N2的原子總數(shù)相同，價(jià)電子總數(shù)相等
C．Na+的電子排布式為1s22s22p6
D．CO2分子的構(gòu)型為直線型

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