濃硫酸和2 mol/L的稀硫酸,在實驗室中敞口放置.它們的質(zhì)量和放置天數(shù)的關(guān)系如圖所示,分析a、b曲線變化的原因是 ( )
A.a(chǎn)升華、b冷凝
B.a(chǎn)揮發(fā)、b吸水
C.a(chǎn)蒸發(fā)、b潮解
D.a(chǎn)冷凝、b吸水
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1.下列溶液一定呈中性的是( )
A.pH=7的溶液
B.[H+]=[OH-]的溶液
C.由強酸、強堿等物質(zhì)的量反應(yīng)得到的溶液
D.非電解質(zhì)溶于水得到的溶液
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科目:高中化學(xué) 來源: 題型:
有NaCl、FeCl2、FeCl3、MgCl2、AlCl3五種溶液,用一種試劑就可把它們鑒別開來,這種試劑是( )
A.鹽酸 B.燒堿溶液 C.氨水 D.KSCN溶液
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科學(xué)家提出硅是“21世紀的能源”,這主要是由于作為半導(dǎo)體材料的硅在太陽能發(fā)電過程中具有重要的作用。下列關(guān)于硅的說法中正確的是 ( )
A.自然界硅的貯量豐富 B.自然界中存在大量單質(zhì)硅
C.二氧化硅被用于制作計算機芯片 D.光導(dǎo)纖維的主要成分是Si
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硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣.
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅,工業(yè)上可以按如下步驟制備純硅.
Ⅰ.高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
Ⅱ.粗硅與干燥的氯氣在450℃~500℃條件下反應(yīng)制得SiCl4
Ⅲ.SiCl4液體經(jīng)精餾提純后與過量H2在1100℃~1200℃條件下反應(yīng)制得純硅
已知SiCl4沸點為57.6℃,能與H2O強烈反應(yīng).1 mol H2與SiCl4氣體完全反應(yīng)吸收的熱量為120.2 kJ.
請回答下列問題:
①第Ⅲ步反應(yīng)的熱化學(xué)方程式是______________________________________
_______________________________________________________________________。
②整個制備純硅的過程中必須嚴格控制無水無氧.SiCl4在潮濕的空氣中因水解而產(chǎn)生白色煙霧,其生成物是____________;H2還原SiCl4過程中若混入O2,可能引起的后果是____________.
③上述生產(chǎn)過程所需氯氣和氫氣均由氯堿廠提供,氯堿廠的基本設(shè)備是離子交換膜電解槽(如圖所示),其中進入陽極室的溶液是__________________________________,b電極上的電極
反應(yīng)式是______________________________________________________.
(2)二氧化硅被大量用于生產(chǎn)玻璃.工業(yè)上用SiO2、Na2CO3和CaCO3共283 kg在高溫下完全反應(yīng)時放出CO2 44 kg,生產(chǎn)出的玻璃可用化學(xué)式Na2SiO3·CaSiO3·xSiO2表示,則其中x=________。
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下列說法正確的是 ( )
A. 濃硝酸和濃硫酸露置于空氣中,容器內(nèi)酸液的濃度都降低
B. 可用鐵制容器儲存稀硝酸
C. SO2溶于水生成H2SO4
D. SO2通入BaCl2溶液中能產(chǎn)生白色沉淀
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在某溫度時,測得純水中的[H+]=2.0×10-7 mol·L-1,則[OH-]為( )
A.2.0×10-7 mol·L-1
B.0.1×10-7 mol·L-1
C.1.0×10-14/2.0×10-7 mol·L-1
D.無法確定
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以Pt為電極,電解含有0.10 mol M+和0.10 mol N3+(M+、N3+均為金屬陽離子)的溶液,陰極析出金屬單質(zhì)或氣體的總物質(zhì)的量(y)與導(dǎo)線中通過電子的物質(zhì)的量(x)的關(guān)系如圖。對離子氧化能力的強弱判斷正確的是(選項中H+為氫離子)( )
A.M+>H+>N3+ B.M+>N3+>H+
C.N3+>H+>M+ D.條件不足,無法確定
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用惰性電極電解下列溶液一段時間后再加入一定量的某種純凈物(方括號內(nèi)的物質(zhì)),能使溶液恢復(fù)到原來的成分和濃度的是( )
A.AgNO3[AgNO3] B.NaOH[H2O] C.KCl[KCl] D.CuSO4[Cu(OH)2]
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