9．下列有關(guān)敘述正確的是（　　）

	A．	H、D、T具有相同的質(zhì)子數(shù)，是氫元素的三種同位素
	B．	OH-與H3O+組成元素相同，所含質(zhì)子數(shù)相同
	C．	結(jié)構(gòu)示意圖為和   兩種粒子為同一種元素
	D．	元素原子最外層電子數(shù)的多少是判斷金屬性和非金屬性強(qiáng)弱的依據(jù)

8．（1）如圖所示表示一些晶體的結(jié)構(gòu)（或晶胞），其中代表石墨是D；每一層內(nèi)碳原子數(shù)與C-C化學(xué)鍵之比是2：3．


（2）MgO晶胞空間構(gòu)型與NaCl晶體相同，MgO晶體中Mg²⁺的配位數(shù)為6與同個Mg²⁺等距且最近的O^2-圍成的空間幾何構(gòu)型是正八面體．MgO晶體熔點(diǎn)高于NaCl晶體，原因是MgO晶體中離子的電荷數(shù)大于NaCl，離子間的平均距離小于NaCl；
（3）若C、D代表某種元素中的兩種同素異形體，C中原子的雜化類型是sp³，D能導(dǎo)電的原因是每個碳原子上未參與雜化的一個2p軌道上電子在層內(nèi)離域運(yùn)動（石墨中有自由電子）．

7．一定條件下，發(fā)生可逆反應(yīng)4NH₃（g）+5O₂（g）?4NO（g）+6H₂O（g）下列敘述中，不能做為此可逆反應(yīng)已經(jīng)達(dá)到化學(xué)平衡狀態(tài)的標(biāo)志是（　�。�

	A．	NH3的消耗速率等于NO的生成速率
	B．	NH3的消耗速率等于NO的消耗速率
	C．	NH3的濃度和NO的濃度都不發(fā)生改變
	D．	密閉容器內(nèi)的壓強(qiáng)不發(fā)生改變

6．下表是元素周期表的一部分，請回答有關(guān)問題：

	I A	ⅡA	ⅢA	ⅣA	ⅤA	ⅥA	ⅦA	O
1	A
2				B	C		D	E
3	F	G	H			I	J
4							K

（1）寫出元素符號：B：C；E：Ne；F：Na．
（2）表中能形成兩性氫氧化物的元素是Al （用元素符號表示），寫出該元素的單質(zhì)與F最高價氧化物的水化物反應(yīng)的化學(xué)方程式2Al+2NaOH+2H₂O=2NaAlO₂+3H₂↑．
（3）最高價氧化物的水化物堿性最強(qiáng)的物質(zhì)的電子式．用電子式表示F元素與J元素形成化合物的過程
（4）A分別與D、J、K形成的化合物中，最穩(wěn)定的HF（填化學(xué)式）．
（5）在B、C、F、G、H中，原子半徑最大的是Na（填元素符號）．

5．（1）在銀鋅原電池中，以硫酸銅為電解質(zhì)溶液，鋅為負(fù)極，電極上發(fā)生的是氧化反應(yīng)（“氧化”或“還原”）．電極反應(yīng)式為Zn-2e^-═Zn²⁺．
（2）銀為正極極，電極上發(fā)生的是還原反應(yīng)（“氧化”或“還原”），電極反應(yīng)式為Cu²⁺+2e^-═Cu．

4．根據(jù)下列敘述，寫出元素符號
（1）A元素原子核外M層電子數(shù)是L層電子數(shù)的$\frac{1}{2}$：Si．
（2）B元素原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的1.5倍：B．
（3）C元素的次外層電子數(shù)是最外層電子數(shù)的$\frac{1}{4}$：Ne．
（4）D元素M層電子數(shù)是K層電子數(shù)的3倍：S．

3．已知元素X、Y的核電荷數(shù)分別是a和b，它們的離子X^m+和Y^n-的核外電子排布相同，則下列關(guān)系式正確的是（　�。�

A．

a=b+m-n

B．

a=b-m+n

C．

a-m=b+n

D．

a-m=b-n

2．下列說法中錯誤的是（　�。�

	A．	需要加熱才能發(fā)生的反應(yīng)一定是吸熱反應(yīng)
	B．	化學(xué)鍵的斷裂和形成是化學(xué)反應(yīng)中能量變化的主要原因
	C．	化學(xué)反應(yīng)中的能量變化通常表現(xiàn)為熱量的變化
	D．	反應(yīng)物總能量和生成物總能量的相對大小決定了反應(yīng)是放出能量還是吸收能量

1．關(guān)于原子結(jié)構(gòu)的敘述不正確的是（　�。�

	A．	所有的原子核都是由質(zhì)子和中子組成的
	B．	原子的最外層電子數(shù)不超過8個
	C．	稀有氣體原子的最外層電子數(shù)為2或8
	D．	原子的次外層電子數(shù)可能為8

20．V₂O₅ 是一種新型光電材料．某課題組模擬生產(chǎn)V₂O₅工藝部分流程如下：
Ⅰ．配制偏釩酸鈉（NaVO₃）溶液
（1）向V₂O₅ 固體中緩慢滴加NaOH溶液，邊加熱邊攪拌至V₂O₅ 固體完全溶解，反應(yīng)的離子方程式為V₂O₅+2OH^-=2VO₃^-+H₂O．
Ⅱ．沉釩
一定條件下向偏釩酸鈉溶液中加入氯化銨溶液，加熱、攪拌得到偏釩酸銨沉淀．如圖為部分因素對沉釩率的影響．

（2）為了提高沉釩率，應(yīng)調(diào)節(jié)溶液pH=8.0．已知偏釩酸銨微溶于冷水，可溶于熱水，結(jié)合圖中信息，生成偏釩酸銨沉淀的反應(yīng)是吸熱（填“吸熱”或“放熱”）反應(yīng)．
（3）該課題組對影響沉釩率的其他因素（除溫度和pH）提出如下假設(shè)．
假設(shè)一：氯化銨溶液的濃度
假設(shè)二：偏釩酸鈉溶液濃度
…
（4）結(jié)合上述最佳條件設(shè)計實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證假設(shè)一，寫出實(shí)驗(yàn)步驟與結(jié)論．
限選試劑：0.5mol/L的偏釩酸鈉溶液、1mol/L的氯化銨溶液、蒸餾水，常見實(shí)驗(yàn)儀器任選．（提示：沉釩率可用專用儀器測定并計算）

實(shí)驗(yàn)步驟與結(jié)論：

Ⅲ．熱分解
（5）偏釩酸銨灼燒產(chǎn)生五氧化二釩，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為2NH₄VO₃$\frac{\underline{\;△\;}}{\;}$2NH₃↑+H₂O↑+V₂O₅．