【題目】將用放射性同位素標(biāo)記的某種物質(zhì)注入金絲雀體內(nèi)后, 經(jīng)檢測(cè),新產(chǎn)生細(xì)胞的細(xì)胞核具有放射性。注入的物質(zhì)可能是
A.脫氧核糖核苷酸 B.核糖核苷酸
C.脫氧核糖核酸 D.核糖核酸
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科目:高中生物 來源: 題型:
【題目】以下說法不正確的是( )
A. 1mol乙醇可以與足量金屬鈉反應(yīng),生成0.5molH2,能證明乙醇分子有一個(gè)H原子與其余的H原子不同
B. 下列反應(yīng)可證明苯環(huán)受甲基的影響,甲苯易被酸性高錳酸鉀氧化
C. 下列反應(yīng)可證明由于羥基對(duì)苯環(huán)的影響,導(dǎo)致苯酚的取代比苯容易
D. 苯不能使溴的四氯化碳溶液褪色可以說明苯分子中沒有與乙烯分子中類似的碳碳雙鍵
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科目:高中生物 來源: 題型:
【題目】某種高等植物的雜合子(Aa)產(chǎn)生的雌雄配子的數(shù)目是
A. 雌配子:雄配子=1:1
B. 雄配子很多,雌配子很少
C. 雌配子:雄配子=1:3
D. 含A遺傳因子的雌配子:含a遺傳因子的雄配子=1:1
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科目:高中生物 來源: 題型:
【題目】細(xì)胞融合可以用于有性生殖產(chǎn)生后代,也可以應(yīng)用于細(xì)胞工程中培育雜種植株和生產(chǎn)單克隆抗體,分析圖回答相關(guān)問題:
(1)若A、B是兩種植物細(xì)胞,要形成D細(xì)胞時(shí),必須使用酶去掉細(xì)胞壁。D細(xì)胞形成雜種植株的原理是利用了_______,使用的技術(shù)是_______,和產(chǎn)生有性雜交后代相比利用這方法培育新品種的優(yōu)點(diǎn)是_______。
(2)若要生產(chǎn)單克隆抗體,A、B分別為骨髄瘤細(xì)胞和________,誘導(dǎo)二者融合時(shí)和植物細(xì)胞融合方法上的區(qū)別是通常用___________。D細(xì)胞的特點(diǎn)是__________。單克隆抗體技術(shù)的基礎(chǔ)是_______。
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科目:高中生物 來源: 題型:
【題目】下列有關(guān)中心體的敘述正確的是
A. 中心體中不含蛋白質(zhì)
B. 中心體是具有單層膜的細(xì)胞器
C. 中心體是動(dòng)物細(xì)胞特有的結(jié)構(gòu)
D. 高等植物細(xì)胞沒有中心體,也能正常進(jìn)行細(xì)胞分裂
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科目:高中生物 來源: 題型:
【題目】有關(guān)細(xì)胞中的元素和化合物,下列說法中正確的是
A. 蛋白質(zhì)、脂肪徹底氧化分解的產(chǎn)物都只有C02和H20
B. ATP、腺苷和磷脂分子都含有元素C、H、0、N、P
C. 糖原和淀粉的元素組成和基本單位相同,但空間結(jié)構(gòu)不同
D. 細(xì)胞內(nèi)所有的核酸分子都與生物的遺傳變異密切相關(guān)
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科目:高中生物 來源: 題型:
【題目】有關(guān)生物的變異下列說法中不正確的是
A. 同源染色體上的非等位基因也能發(fā)生基因重組
B. 染色體變異會(huì)導(dǎo)致染色體上基因的內(nèi)部結(jié)構(gòu)發(fā)生改變
C. 基因重組能夠?yàn)樯锏倪M(jìn)化提供更加豐富的材料
D. 病毒和細(xì)菌可遺傳變異的主要來源都是基因突變
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科目:高中生物 來源: 題型:
【題目】依據(jù)題目敘述回答有關(guān)問題。
(1)與分泌蛋白合成和分泌有關(guān)的具膜細(xì)胞器有_______________。
(2)設(shè)構(gòu)成下圖多肽分子的氨基酸的相對(duì)分子質(zhì)量之和為a,那么該多肽的分子量是_____________。
(3)下圖中從化學(xué)組成上看,②和④的區(qū)別是_____________________。
(4)由于基因中一個(gè)堿基對(duì)發(fā)生替換,而導(dǎo)致某肽鏈中第8位氨基酸由異亮氨酸(密碼子有AUU、AUC、AUA)變成蘇氨酸(密碼子有ACU、ACC、ACA、ACG),則該基因的這個(gè)減基對(duì)替換情況是______________。
(5)生長素只能從植物形態(tài)學(xué)上端運(yùn)輸?shù)叫螒B(tài)學(xué)下端,而不能反過來運(yùn)輸,稱為_______(填“極性運(yùn)輸”“非極性運(yùn)輸”“主動(dòng)運(yùn)輸”)。
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科目:高中生物 來源: 題型:
【題目】回答下列神經(jīng)沖動(dòng)產(chǎn)生、傳導(dǎo)和傳遞有關(guān)問題:
(1)圖1是某反射弧示意圖,刺激c點(diǎn),肌肉收縮,該過程___________(填“是”或“不是”)反射;刺激后用圖3裝置測(cè)量a、b、d三點(diǎn)的膜電位,膜電位變化如圖4的點(diǎn)是_________;若增強(qiáng)刺激強(qiáng)度,圖4中H點(diǎn)的膜電位值_________。
(2)對(duì)圖1的運(yùn)動(dòng)神經(jīng)元作如下處理:
①c處用如圖3的裝置測(cè)量,對(duì)b和d用相同且適宜的強(qiáng)度同時(shí)刺激,圖3所示裝置的能記錄到____個(gè)動(dòng)作電位(bc≠cd)。
②在b處用適宜的強(qiáng)度刺激,當(dāng)c處膜電位與圖4的H點(diǎn)相同時(shí),在圖5中用曲線表示軸突上c點(diǎn)左右各點(diǎn)膜電位的大。____。
(3)圖2是圖1中突觸E的結(jié)構(gòu)示意圖,突觸E又稱_________,突觸處神經(jīng)沖動(dòng)的傳導(dǎo)方向是(用甲、乙、丙及相關(guān)箭頭表示)______,原因是 _________。
(4)圖4曲線中去極化過程和反極化過程發(fā)生在________段,該過程中主要是由于_________通道開放引起的。
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