分析 (1)知道通過安培力做功實(shí)現(xiàn)了外界的能量轉(zhuǎn)化為電路中的電能;
(2)抓住安培力恒定,電流恒定去求解電量;
(3)運(yùn)用安培力公式和法拉第電磁感應(yīng)定律,結(jié)合運(yùn)動學(xué)公式求出框架中aNPb部分的電阻R隨金屬棒ab的位置x變化的函數(shù)關(guān)系.
解答 解:(1)通過受力分析可知金屬棒僅受安培力作用,其大。
F=ma=0.2N,
金屬棒運(yùn)動0.5m,因?yàn)榘才嗔ψ龉α慷韧饨绲哪芰哭D(zhuǎn)化成電能,所以框架中間生的焦耳熱等于克服安培力做的功,解得:
Q=Fs=0.1J.
(2)根據(jù)題意有:
q=It…①
因?yàn)榘才嗔Γ?br />F=BIL=ma…②
聯(lián)立①②解得:q=$\frac{mat}{BL}$=0.4C.
(3)金屬棒所受安培力為:
F=BIL,
感應(yīng)電流為:I=$\frac{E}{R}$=$\frac{Blv}{R}$,
F=$\frac{{B}^{2}{l}^{2}v}{R}$=ma,
由于棒做勻減速運(yùn)動,根據(jù)運(yùn)動學(xué)公式得:
${v}^{2}-{v}_{0}^{2}=2a(l-x)$
聯(lián)立解得:R=0.4$\sqrt{x}$Ω
答:(1)金屬棒ab運(yùn)動0.5m,框架產(chǎn)生的焦耳熱Q是0.1J.
(2)0.4s過程中通過ab的電量q是0.4C.
(3)框架中aNPb部分的電阻R隨金屬棒ab的位置x變化的函數(shù)關(guān)系為:R=0.4$\sqrt{x}$(Ω).
點(diǎn)評 電磁感應(yīng)中的功能關(guān)系是通過安培力做功量度外界的能量轉(zhuǎn)化成電能,找兩個(gè)物理量之間的關(guān)系是通過物理規(guī)律一步一步實(shí)現(xiàn)的,用公式進(jìn)行計(jì)算時(shí),如果計(jì)算的是過程量,我們要看這個(gè)量有沒有發(fā)生改變.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | T增大,F(xiàn)不變 | B. | T增大,F(xiàn)增大 | C. | T增大,F(xiàn)減小 | D. | T減小,F(xiàn)不變 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 金屬桿中感應(yīng)電流的方向是由N流向M | |
B. | 電路中感應(yīng)電流的大小始終減小 | |
C. | M點(diǎn)電勢低于N點(diǎn)電勢 | |
D. | 電路中通過的電量為$\frac{Bl}{2rtanθ}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 下落過程中甲框產(chǎn)生的焦耳熱大 | |
B. | 下落過程中兩框產(chǎn)生的焦耳熱一樣大 | |
C. | 落地時(shí)甲框的速度比乙框小 | |
D. | 落地時(shí)甲框的速度比乙框大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 軌跡1是電子的,磁場方向垂直紙面向里 | |
B. | 軌跡2是電子的,磁場方向垂直紙面向外 | |
C. | 軌跡1是新核的,磁場方向垂直紙面向里 | |
D. | 軌跡2是新核的,磁場方向垂直紙面向外 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 所有的元素都可能發(fā)生衰變 | |
B. | 放射性元素的半衰期與外界的溫度無關(guān) | |
C. | α、β、γ三種射線中,γ射線電離能力最強(qiáng) | |
D. | 一個(gè)原子核在一次衰變中可同時(shí)發(fā)出α、β、γ三種射線 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B點(diǎn)為中垂線上電場強(qiáng)度最大的點(diǎn),場強(qiáng)E=1V/m | |
B. | B、A 兩點(diǎn)間的電勢差為 UBA=8.25V | |
C. | 由C點(diǎn)到A點(diǎn),電勢逐漸降低 | |
D. | 由C點(diǎn)到A點(diǎn)物塊的電勢能先減小后變大 |
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