分析 (1)離子在電場(chǎng)中做類平拋運(yùn)動(dòng),應(yīng)用類平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律可以求出離子的運(yùn)動(dòng)時(shí)間.
(2)作出離子運(yùn)動(dòng)軌跡,根據(jù)幾何知識(shí)求出距離,由牛頓第二定律求出加速度.
(3)作出離子運(yùn)動(dòng)軌跡,應(yīng)用牛頓第二定律求出離子的臨界軌道半徑,然后分析答題.
解答 解:(1)設(shè)離子垂直打到熒光屏上的M點(diǎn)時(shí),
沿y方向的分速度大小為vy,在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的加速度為a1,
則:${v_y}=\frac{v_0}{{tan{{30}^o}}}$,由牛頓第二定律得:qE=ma1,
豎直分速度:vy=a1t1,解得:${t_1}=\frac{{\sqrt{3}m{v_0}}}{qE}$;
(2)由幾何關(guān)系可知:${y_1}=\frac{1}{2}{a_1}t_1^2+{v_0}{t_1}tan{30^o}$,
解得:${y_1}=\frac{5mv_0^2}{2qE}$,
設(shè)離子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)半徑為y2,則:${y_2}cos{30^o}={v_0}{t_1}$,
而:$a=\frac{v_0^2}{y_2}$,解得:$a=\frac{qE}{2m}$;
(3)如圖所示,設(shè)從縱坐標(biāo)為y處射入磁場(chǎng)的離子,
恰好能打到熒光屏上,對(duì)應(yīng)的圓周運(yùn)動(dòng)半徑為r0,
與幾何知識(shí)得:${r_0}+\frac{r_0}{{cos{{30}^o}}}=y$,
此離子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度v=ky,設(shè)運(yùn)動(dòng)半徑為r,
由牛頓第二定律得:$qBv=m\frac{v^2}{r}$,
為使離子能打到熒光屏上應(yīng)滿足:r≥r0,
由牛頓第二定律得:qBv0=ma,
解得:$k≥\frac{{(2\sqrt{3}-3)qE}}{{2m{v_0}}}$;
答:(1)離子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間t1為$\frac{\sqrt{3}m{v}_{0}}{qE}$;
(2)P點(diǎn)距O點(diǎn)的距離y1為$\frac{5m{v}_{0}^{2}}{2qE}$,離子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的加速度大小a為$\frac{qE}{2m}$;
(3)k應(yīng)滿足的條件是:$k≥\frac{{(2\sqrt{3}-3)qE}}{{2m{v_0}}}$.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了粒子在電場(chǎng)與磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng),分析清楚離子運(yùn)動(dòng)過程,作出粒子運(yùn)動(dòng)軌跡,應(yīng)用類平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律、牛頓第二定律即可正確解題,解題時(shí)要注意幾何知識(shí)的應(yīng)用.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | vH=2vα;TH=Tα | B. | vH=vα;TH=Tα | C. | vH=vα;2TH=Tα | D. | vH=2vα;2TH=Tα |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 沒有摩擦力 | B. | 摩擦力的方向水平向右 | ||
C. | 支持力為(M+m)g | D. | 支持力小于(M+m)g |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | x為質(zhì)子 | |
B. | x是釷核中的一個(gè)中子轉(zhuǎn)化成一個(gè)質(zhì)子時(shí)產(chǎn)生的 | |
C. | γ射線是鏷原子核放出的 | |
D. | 1g釷${\;}_{90}^{234}$Th經(jīng)過120天后還剩0.2g釷 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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