A. | A點(diǎn)的電勢(shì)高于B點(diǎn)的電勢(shì) | |
B. | 將電子從A點(diǎn)移到B點(diǎn),電勢(shì)能減小 | |
C. | A點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度大于B點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度 | |
D. | 將電子從A點(diǎn)移到C點(diǎn),再?gòu)腃點(diǎn)移到B點(diǎn),電場(chǎng)力做功為零 |
分析 根據(jù)電場(chǎng)線的疏密程度判斷電場(chǎng)強(qiáng)度的大;根據(jù)沿著電場(chǎng)線,電勢(shì)逐漸降低來(lái)判斷電勢(shì)的高低;根據(jù)等差等勢(shì)面來(lái)確定電勢(shì)差大小,再由電勢(shì)差與電場(chǎng)力做功關(guān)系公式WAB=qUAB來(lái)判斷電場(chǎng)力做功的多少.
解答 解:A、沿著電場(chǎng)線,電勢(shì)逐漸降低,A點(diǎn)處于電場(chǎng)線的靠前的位置,A點(diǎn)的電勢(shì)高于B點(diǎn)的電勢(shì),故A正確;
B、由于沿著電場(chǎng)線,電勢(shì)逐漸降低,故φA>φB,因此將負(fù)電荷從A移動(dòng)到B,電場(chǎng)力做負(fù)功,電勢(shì)能增加,故B錯(cuò)誤;
C、由電場(chǎng)線越密的地方,電場(chǎng)強(qiáng)度越大,則有EB>EA,故C錯(cuò)誤;
D、由于從A和C處于同一條等勢(shì)線上,故從A到C過(guò)程的電場(chǎng)力不做功,從C點(diǎn)移到B點(diǎn),電場(chǎng)力做功不為零,故D錯(cuò)誤.
故選:A
點(diǎn)評(píng) 本題關(guān)鍵是根據(jù)電場(chǎng)線及其與等勢(shì)面的關(guān)系判斷出電勢(shì)高低、電場(chǎng)力大小和電勢(shì)差的大小關(guān)系.同時(shí)知道等差等勢(shì)面越密的地方,電場(chǎng)線也越密.當(dāng)然也可以由電場(chǎng)力做功的正負(fù)來(lái)確定電勢(shì)能的增減.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 此電源的內(nèi)阻為$\frac{2}{3}$Ω | |
B. | 燈泡D1的額定電壓為3V,功率為6W | |
C. | 把燈泡D1換成“3V,20W”的燈泡D2,電源的輸出功率將變大 | |
D. | 由于小燈泡B的U-I圖線是一條曲線,所以燈泡發(fā)光過(guò)程,歐姆定律不適用 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 物體的溫度越高,分子熱運(yùn)動(dòng)越劇烈,每個(gè)分子的動(dòng)能也會(huì)越大 | |
B. | 在油膜法粗測(cè)分子直徑的實(shí)驗(yàn)中,把油分子看成球形,是物理學(xué)中的一個(gè)理想化模型,因?yàn)榉肿硬⒉徽娴氖乔蛐?/td> | |
C. | 當(dāng)分子力表現(xiàn)為斥力時(shí),分子勢(shì)能隨分子間距離的減小而減小 | |
D. | 氣體分子單位時(shí)間內(nèi)與單位面積器壁碰撞的次數(shù)和單位體積內(nèi)的分子數(shù)及溫度有關(guān) | |
E. | 玻璃管道裂口放在火上燒烙,它的尖端就變圓,是因?yàn)槿刍牟Aг诒砻鎻埩Φ淖饔孟,表面積要收縮到最小的緣故 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 在水平方向上動(dòng)量守恒,v=$\sqrt{2gh}$ | B. | 在水平方向上動(dòng)量不守恒,v=$\sqrt{2gh}$ | ||
C. | 在水平方向上動(dòng)量守恒,v<$\sqrt{2gh}$ | D. | 在水平方向上動(dòng)量不守恒,v<$\sqrt{2gh}$ |
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