3.關(guān)于放射性元素的半衰期,下列說法中正確的是( 。
A.由半衰期的定義可知:原子核衰變的速度是均勻的
B.100 個(gè)原子核經(jīng)過一個(gè)半衰期后,一定衰變了50個(gè)核
C.半衰期與外界壓強(qiáng)和溫度有關(guān),與原子的化學(xué)狀態(tài)無關(guān)
D.半衰期可以用于測定地質(zhì)年代、生物年代等

分析 半衰期是原子核有半數(shù)發(fā)生衰變所需的時(shí)間,半衰期的大小由原子核內(nèi)部因素決定,與所處的物理環(huán)境與化學(xué)狀態(tài)無關(guān),半衰期是大量原子核衰變的統(tǒng)計(jì)規(guī)律,統(tǒng)計(jì)少量個(gè)數(shù)原子核是沒有意義的.

解答 解:A、原子核的衰變有一定的速率,每隔一定的時(shí)間(即半衰期),原子核就衰變掉總數(shù)的一半,故A錯(cuò)誤;
B、半衰期是大量原子核衰變的統(tǒng)計(jì)規(guī)律,統(tǒng)計(jì)少量個(gè)數(shù)原子核是沒有意義的,故B錯(cuò)誤;
C、原子核的衰變是由原子核內(nèi)部因素決定的,與外界環(huán)境無關(guān),與原子的化學(xué)狀態(tài)也無關(guān),故C錯(cuò)誤;
D、利用鈾238可測定地質(zhì)年代,利用碳14可測定生物年代,故D正確.
故選:D.

點(diǎn)評(píng) 解決本題的關(guān)鍵理解半衰期的含義以及影響半衰期的因素,注意半衰期的適用條件,及其用途.

練習(xí)冊系列答案
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13.一小球沿半徑為2m的軌道做勻速圓周運(yùn)動(dòng),若周期為π s,則( 。
A.小球的線速度是4 m/sB.經(jīng)過$\frac{π}{4}$s,小球的位移是π m
C.經(jīng)過$\frac{π}{4}$s,小球的位移是2$\sqrt{2}$ mD.小球的線速度是2 m/s

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

14.一把玩具槍水平射出子彈正好能打在豎直墻角A點(diǎn),如圖所示,槍口離水平地面的高度為h,離豎直墻壁的水平距離為x,若要讓相同出射速度的子彈打在離地高度為$\frac{h}{2}$的B點(diǎn),需讓槍口和墻壁間距離為原來的( 。
A.$\frac{1}{2}$B.$\frac{\sqrt{2}}{2}$C.$\frac{1}{4}$D.$\frac{\sqrt{2}}{4}$

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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題

11.在“用油膜法估測分子直徑”的實(shí)驗(yàn)中,某同學(xué)配置好油酸酒精溶液,并測出一滴油酸酒精溶液中所含純油酸的體積為V,之后又進(jìn)行了下列操作,其中錯(cuò)誤的一項(xiàng)是A;其余正確操作的合理順序是CBED.
A.將一滴純油酸滴到水面上,讓它在水面上自由地?cái)U(kuò)展為油酸膜
B.將一滴油酸酒精溶液滴到水面上,讓它在水面上自由地?cái)U(kuò)展為油酸膜
C.向淺水盤中倒入2cm深的水,將痱子粉均勻地撒在水面上
D.將畫有油酸膜輪廓的玻璃板放在坐標(biāo)紙上計(jì)算出油酸膜的面積S,再根據(jù)d=$\frac{V}{S}$估算出油酸分子的直徑
E.將玻璃板蓋到淺水盤上,用彩筆將油酸膜的輪廓畫在玻璃板上.

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

18.如圖所示,質(zhì)量為m的木塊被斜向上的推力F壓在天花板上且處于靜止?fàn)顟B(tài),則下列判斷中正確的是( 。
A.木塊可能只受兩個(gè)力作用B.木塊可能只受三個(gè)力作用
C.木塊一定受四個(gè)力作用D.若推力F逐漸增大,木塊將可能滑動(dòng)

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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題

8.如圖所示是用光照射某種金屬時(shí)逸出的光電子的最大初動(dòng)能隨入射光頻率的變化圖線(直線與橫軸的交點(diǎn)坐標(biāo)為 4.27,與縱坐標(biāo)軸交點(diǎn)坐標(biāo)為 0.5).由圖可知,問:(結(jié)果保留 3 位有效數(shù)字)
(1)圖線的斜率表示什么物理量?該金屬的截止頻率為多少?
(2)該金屬的逸出功為多少焦耳?

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科目:高中物理 來源: 題型:解答題

15.高空墜物很危險(xiǎn).一球形面團(tuán),質(zhì)量為1kg,從20m高的樓層上掉下,落在堅(jiān)硬的水泥地面上,被摔成薄片,若面團(tuán)與地面的作用時(shí)間約0.01s,試估算地面受到平均沖力的大。

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

7.如圖所示,邊長為L的正方形導(dǎo)線框質(zhì)量為m,由距磁場H高處自由下落,其下邊ab進(jìn)入勻強(qiáng)磁場后,線圈開始作減速運(yùn)動(dòng),直到其上邊cd剛剛穿出磁場時(shí),速度減為ab邊進(jìn)入磁場時(shí)的一半,磁場的寬度也為L,則線框在穿越勻強(qiáng)磁場過程中( 。
A.線圈做勻減速運(yùn)動(dòng)B.通過線圈某一截面的電荷量為0
C.線圈中的感應(yīng)電流方向保持不變D.線圈產(chǎn)生的焦耳熱為2mgL+$\frac{3}{4}$mgH

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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題

8.如圖所示,S為點(diǎn)光源,M為一平面鏡,光屏與平面鏡平行放置.SO是一條垂直照射在M上的光線.已知SO=L,若M以角速度ω繞O點(diǎn)逆時(shí)針勻速轉(zhuǎn)動(dòng),則轉(zhuǎn)過30°時(shí)光線S′O在屏上移動(dòng)的瞬時(shí)速度v的大小為(  )
A.2LωB.4LωC.4$\sqrt{3}$LωD.8Lω

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