1.如圖所示,質(zhì)量為M的木塊置于光滑水平面上,一質(zhì)量為m的子彈以水平速度v0打入木塊并停在木塊中,此過(guò)程中木塊向前運(yùn)動(dòng)位移為XM,子彈打入木塊深度為L(zhǎng),求:
(1)子彈打入木塊后子彈和木塊的共同速度v;
(2)子彈對(duì)木塊做的功W1;
(3)木塊對(duì)子彈做功W2;
(4)子彈打入木塊過(guò)程中產(chǎn)生的熱量Q;
(5)子彈的位移Xm

分析 (1)子彈和木塊組成的系統(tǒng)動(dòng)量守恒,結(jié)合動(dòng)量守恒定律求出子彈打入木塊后子彈和木塊的共同速度;
(2)對(duì)木塊運(yùn)用動(dòng)能定理,求出子彈對(duì)木塊做功的大;
(3)對(duì)子彈運(yùn)用動(dòng)能定理,求出木塊對(duì)子彈做功的大;
(4)根據(jù)能量守恒求出子彈打入木塊過(guò)程中產(chǎn)生的熱量;
(5)根據(jù)木塊的位移以及子彈打入木塊的深度求出子彈的位移.

解答 解:(1)對(duì)子彈和木塊組成的系統(tǒng)運(yùn)用動(dòng)量守恒,規(guī)定向右為正方向,有:mv0=(M+m)v,
解得子彈打入木塊后子彈和木塊的共同速度v=$\frac{m{v}_{0}}{M+m}$;
(2)對(duì)木塊運(yùn)用動(dòng)能定理得,${W}_{1}=\frac{1}{2}M{v}^{2}-0$=$\frac{M{m}^{2}{{v}_{0}}^{2}}{2(M+m)^{2}}$.
(3)對(duì)子彈運(yùn)用動(dòng)能定理得,${W}_{2}=\frac{1}{2}m{v}^{2}-\frac{1}{2}m{{v}_{0}}^{2}$=$\frac{1}{2}m(\frac{m{v}_{0}}{M+m})^{2}-\frac{1}{2}m{{v}_{0}}^{2}$.
(4)根據(jù)能量守恒得,產(chǎn)生的熱量Q=$\frac{1}{2}m{{v}_{0}}^{2}-\frac{1}{2}(M+m){v}^{2}$=$\frac{1}{2}m{{v}_{0}}^{2}-\frac{1}{2}(M+m)(\frac{m{v}_{0}}{M+m})^{2}$.
(5)子彈的位移Xm=XM+L.
答:(1)子彈打入木塊后子彈和木塊的共同速度為$\frac{m{v}_{0}}{M+m}$;
(2)子彈對(duì)木塊做的功為$\frac{M{m}^{2}{{v}_{0}}^{2}}{2(M+m)^{2}}$;
(3)木塊對(duì)子彈做功為$\frac{1}{2}m(\frac{m{v}_{0}}{M+m})^{2}-\frac{1}{2}m{{v}_{0}}^{2}$.
(4)子彈打入木塊過(guò)程中產(chǎn)生的熱量為$\frac{1}{2}m{{v}_{0}}^{2}-\frac{1}{2}(M+m)(\frac{m{v}_{0}}{M+m})^{2}$.
(5)子彈的位移為XM+L.

點(diǎn)評(píng) 本題考查了動(dòng)量守恒和能量守恒的綜合運(yùn)用,知道子彈和木塊組成的系統(tǒng)動(dòng)量守恒,結(jié)合動(dòng)量守恒和能量守恒綜合求解,難度不大.

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題

11.如圖所示,傾角為θ 的絕緣斜面上有一質(zhì)量(全部集中在cd邊,其他邊質(zhì)量不計(jì))為m的正方形線圈,線圈的邊長(zhǎng)為L(zhǎng),每條邊的電阻均為R.ABCD是矩形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,磁場(chǎng)的方向垂直于斜面向上(圖中未畫(huà)出).AB和CD之間的距離為L(zhǎng),CD和PQ之間的距離 為2.5L.CD上方斜面是光滑的,CD下方斜面是粗糙的,且線圈與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ.線圈abcd從圖示位置由靜止開(kāi)始下滑,cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框所受合力恰好為0,重力加速度為g.
(1)求線圈剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度大。
(2)求從線圈進(jìn)入磁場(chǎng)到cd邊剛好達(dá)到CD位置,穿過(guò)線圈某橫截面的電荷量;
(3)若線圈的cd邊到達(dá)PQ位置時(shí),線圈的瞬時(shí)速度為v,求線圈通過(guò)磁場(chǎng)的過(guò)程中,產(chǎn)生的焦耳熱.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題

12.質(zhì)量m=500g的籃球,以10m/s的初速度豎直上拋,當(dāng)它上升h=1.8m時(shí)與天花板相碰,經(jīng)過(guò)時(shí)間t=0.4s的相互作用,籃球以碰前速度的$\frac{3}{4}$反彈,設(shè)空氣阻力忽略不計(jì),g取10m/s2,求:
(1)籃球與天花板碰撞前瞬間的速度v1的大;
(2)籃球?qū)μ旎ò宓钠骄饔昧Φ拇笮。?/div>

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題

9.如圖甲所示,一質(zhì)量為m的物塊在t=0時(shí)刻,以初速度v0從足夠長(zhǎng)的粗糙斜面底端向上滑行,物塊速度隨時(shí)間變化的圖象如圖乙所示.t0時(shí)刻物塊到達(dá)最高點(diǎn),3t0時(shí)刻物塊又返回底端.下列說(shuō)法正確的是(  )
A.物塊從開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到返回底端的過(guò)程中重力的沖量大小為2mgt0
B.物塊從t=0時(shí)刻開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到返回底端的過(guò)程中動(dòng)量的變化量為-$\frac{3}{2}$mv0
C.斜面傾角θ的正弦值為$\frac{5{v}_{0}}{8g{t}_{0}}$
D.不能求出3t0時(shí)間內(nèi)物塊克服摩擦力所做的功

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題

16.假設(shè)有兩個(gè)相距很遠(yuǎn)的分子,僅在分子力作用下,由靜止開(kāi)始逐漸接近,直到不能再接近為止,若兩分子相距無(wú)窮遠(yuǎn)時(shí)分子勢(shì)能為零,在這個(gè)過(guò)程中,關(guān)于分子勢(shì)能大小的變化情況正確的是(  )
A.分子勢(shì)能先減小,后增大B.分子勢(shì)能先增大,再減小,后又增大
C.分子勢(shì)能先增大,后減小D.分子勢(shì)能先減小,再增大,后又減小

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題

6.下列描述簡(jiǎn)諧振動(dòng)的物理量與時(shí)間關(guān)系的圖象,其中描述錯(cuò)誤的是( 。
A.B.
C.D.

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題

13.如圖所示,置于光滑水平面上的木塊A和B,其質(zhì)量為mA和mB.當(dāng)水平力F作用于A左端上時(shí),兩木塊一起做加速運(yùn)動(dòng),其A、B間相互作用力大小為FN;當(dāng)水平力F作用于B右端上時(shí),兩木塊一起做加速度運(yùn)動(dòng),其A、B間相互作用力大小為F′N.則以下判斷中正確的是( 。
A.兩次木塊運(yùn)動(dòng)的加速度大小相等B.FN+F′N<F
C.FN+F′N>FD.FN:F′N=mB:mA

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題

10.如圖所示,兩個(gè)相同材料制成的靠靜摩擦傳動(dòng)的輪A和輪B水平放置,兩輪半徑RA=2RB.當(dāng)主動(dòng)輪A勻速轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),在A輪邊緣上放置的小木塊恰能相對(duì)靜止在A輪邊緣上.若將小木塊放在B輪上,欲使木塊相對(duì)B輪也靜止,則木塊距B輪轉(zhuǎn)軸的最大距離為多少?(設(shè)最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力)

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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題

13.如圖所示,上、下邊界均水平的區(qū)域?qū)扡=0.1m內(nèi)有磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B=10T,方向水平向內(nèi)的勻強(qiáng)磁場(chǎng),一邊長(zhǎng)也為L(zhǎng)、質(zhì)量m=0.1kg、內(nèi)阻R=1Ω的勻質(zhì)正方形線框,通過(guò)滑輪裝置與另一質(zhì)量M=0.14kg的物體連接,線框從磁場(chǎng)下方H(未知)處由靜止釋放,當(dāng)線框cd邊進(jìn)入磁場(chǎng)一段時(shí)間后(cd邊仍在磁場(chǎng)中),開(kāi)始勻速運(yùn)動(dòng)經(jīng)過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域,從線框進(jìn)入磁場(chǎng)到其達(dá)到勻速時(shí),線框中產(chǎn)生的熱量Q=0.032J.已知線框勻速運(yùn)動(dòng)的時(shí)間t=0.4s.線框在上升過(guò)程中平面始終與磁場(chǎng)方向垂直,ab邊始終與邊界平行,不計(jì)空氣阻力計(jì)摩擦,取g=10m/s2,求:
(1)線框勻速運(yùn)動(dòng)時(shí)的速度vm
(2)線框從進(jìn)入磁場(chǎng)到勻速時(shí),流過(guò)線框橫截面的電荷量q;
(3)線框進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域前,物體下落的高度H.

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