分子力比重力、引力等要復(fù)雜得多，分子勢(shì)能跟分子間的距離的關(guān)系也比較復(fù)雜。圖示為分子勢(shì)能與分子間距離的關(guān)系圖象，用r0表示分子引力與分子斥力平衡時(shí)的分子間距，設(shè)r→∞時(shí)，Ep＝0，則下列說(shuō)法正確的是(　　)

A．當(dāng)r＝r0時(shí)，分子力為零，Ep＝0

B．當(dāng)r＝r0時(shí)，分子力為零，Ep為最小

C．當(dāng)r0<r<10r0時(shí)，Ep隨著r的增大而增大

D．當(dāng)r0<r<10r0時(shí)，Ep隨著r的增大而減小

E．當(dāng)r<r0時(shí)，Ep隨著r的減小而增大


　BCE

[解析]　由Ep－r圖象可知，r＝r0時(shí)，Ep最小但不為零，再結(jié)合F－r圖象知此時(shí)分子力為0，則A項(xiàng)錯(cuò)誤，B項(xiàng)正確；結(jié)合F－r圖象可知，在r0<r<10r0內(nèi)分子力表現(xiàn)為引力，當(dāng)間距增大過(guò)程中，分子引力做負(fù)功分子勢(shì)能增大，則C項(xiàng)正確，D項(xiàng)錯(cuò)誤；結(jié)合F－r圖象可知，在r<r0內(nèi)分子力表現(xiàn)為斥力，當(dāng)間距減小過(guò)程中，分子斥力做負(fù)功，分子勢(shì)能增大，則E項(xiàng)正確。

練習(xí)冊(cè)系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：


 “人造小太陽(yáng)”托卡馬克裝置使用強(qiáng)磁場(chǎng)約束高溫等離子體，使其中的帶電粒子被盡可能限制在裝置內(nèi)部，而不與裝置器壁碰撞。已知等離子體中帶電粒子的平均動(dòng)能與等離子體的溫度T成正比，為約束更高溫度的等離子體，則需要更強(qiáng)的磁場(chǎng)，以使帶電粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)半徑不變。由此可判斷所需的磁感應(yīng)強(qiáng)度B正比于(　　)

A．                               B．T

C．                              D．T2

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：


如圖，在水平桌面上放置兩條相距l的平行光滑導(dǎo)軌ab與cd，阻值為R的電阻與導(dǎo)軌的a、c端相連。質(zhì)量為m、電阻為不計(jì)的導(dǎo)體棒垂直于導(dǎo)軌放置并可沿導(dǎo)軌自由滑動(dòng)。整個(gè)裝置放于勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)的方向豎直向上，磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B。導(dǎo)體棒的中點(diǎn)系一個(gè)不可伸長(zhǎng)的輕繩，繩繞過(guò)固定在桌邊的光滑輕滑輪后，與一個(gè)質(zhì)量也為m的物塊相連，繩處于拉直狀態(tài)�，F(xiàn)若從靜止開(kāi)始釋放物塊，用h表示物塊下落的高度(物塊不會(huì)觸地)，g表示重力加速度，其他電阻不計(jì)，則(　　)

A．電阻R中的感應(yīng)電流方向由a到c

B．物塊下落的最大加速度為g

C．若h足夠大，物塊下落的最大速度為

D．通過(guò)電阻R的電荷量為

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：


 (1)用多用電表歐姆擋粗略測(cè)量某元件的電阻，選用×1擋，測(cè)量結(jié)果如圖所示，則測(cè)得的電阻為_(kāi)_______；

(2)為描繪該元件的U－I圖線。提供了如下器材：

A．電流表A(量程0.6A，內(nèi)阻約0.9Ω)

B．電壓表V(量程3V，內(nèi)阻約3kΩ)

C．滑動(dòng)變阻器R1(10Ω，2A)

D．滑動(dòng)變阻器R2(1 000Ω，1A)

E．電源E(電動(dòng)勢(shì)6V，內(nèi)阻約0.1Ω)

F．開(kāi)關(guān)S及導(dǎo)線若干

①實(shí)驗(yàn)中滑動(dòng)變阻器應(yīng)該選擇________(填寫(xiě)器材序號(hào)即可)，以保證實(shí)驗(yàn)過(guò)程中調(diào)節(jié)方便；

②設(shè)計(jì)合適電路，在虛線框內(nèi)畫(huà)出實(shí)驗(yàn)電路圖；

③如圖中Ⅰ、Ⅱ圖線，一條為元件真實(shí)的U－I圖線，另一條是本次實(shí)驗(yàn)中測(cè)得的U－I圖線，其中______是本次實(shí)驗(yàn)中測(cè)得的圖線。

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：


下列說(shuō)法中正確的是(　　)

A．物體溫度降低，其分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能增大

B．物體溫度升高，其分子熱運(yùn)動(dòng)的平均動(dòng)能增大

C．物體溫度降低，其內(nèi)能一定增大

D．物體溫度不變，其內(nèi)能一定不變

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：


一種海浪發(fā)電機(jī)的氣室如圖所示。工作時(shí)，活塞隨海浪上升或下降，改變氣室中空氣的壓強(qiáng)，從而驅(qū)動(dòng)進(jìn)氣閥門(mén)和出氣閥門(mén)打開(kāi)或關(guān)閉。氣室先后經(jīng)歷吸入、壓縮和排出空氣的過(guò)程，推動(dòng)出氣口處的裝置發(fā)電。氣室中的空氣可視為理想氣體。

(1)下列對(duì)理想氣體的理解，正確的有________。

A．理想氣體實(shí)際上并不存在，只是一種理想模型

B．只要?dú)怏w壓強(qiáng)不是很高就可視為理想氣體

C．一定質(zhì)量的某種理想氣體的內(nèi)能與溫度、體積都有關(guān)

D．在任何溫度、任何壓強(qiáng)下，理想氣體都遵循氣體實(shí)驗(yàn)定律

(2)壓縮過(guò)程中，兩個(gè)閥門(mén)均關(guān)閉。若此過(guò)程中，氣室中的氣體與外界無(wú)熱量交換，內(nèi)能增加了3.4×104J，則該氣體的分子平均動(dòng)能________(選填“增大”、“減小”或“不變”)，活塞對(duì)該氣體所做的功________(選填“大于”、“小于”或“等于”)3.4×104J。

(3)上述過(guò)程中，氣體剛被壓縮時(shí)的溫度為27℃，體積為0.224m3，壓強(qiáng)為1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。已知1mol氣體在1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓、0℃時(shí)的體積為22.4L，阿伏加德羅常數(shù)NA＝6.02×1023mol－1。計(jì)算此時(shí)氣室中氣體的分子數(shù)。(計(jì)算結(jié)果保留一位有效數(shù)字)

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：


關(guān)于機(jī)械波和光波，下列說(shuō)法正確的是(　　)

A．泊松亮斑是一種光的衍射現(xiàn)象，機(jī)械波也可能發(fā)生

B．用白光做楊氏雙縫干涉和薄膜干涉原理相近，均可看到間距相等的彩色條紋

C．聲波傳播過(guò)程中，介質(zhì)中質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)速度等于聲波的傳播速度

D．地震波中同時(shí)含有橫波和縱波，縱波具有更大的破壞作用

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：


如圖，在水平地面上有兩物塊甲和乙，它們的質(zhì)量分別為2m、m，甲與地面間無(wú)摩擦，乙與地面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ�，F(xiàn)讓甲物塊以速度v0向著靜止的乙運(yùn)動(dòng)并發(fā)生正碰，試求：

(1)甲與乙第一次碰撞過(guò)程中系統(tǒng)的最小動(dòng)能；

(2)若甲在乙剛停下來(lái)時(shí)恰好與乙發(fā)生第二次碰撞，則在第一次碰撞中系統(tǒng)損失了多少機(jī)械能？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：


位于豎直平面內(nèi)的矩形平面導(dǎo)線框。長(zhǎng)為，是水平的，長(zhǎng)為，線框的質(zhì)量為，電阻為.。其下方有一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域，該區(qū)域的上、下邊界和均與平行，兩邊界間的距離為，，磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為，方向與線框平面垂直，如圖預(yù)16-4所示。令線框的邊從離磁場(chǎng)區(qū)域上邊界的距離為處自由下落，已知在線框的邊進(jìn)入磁場(chǎng)后，邊到達(dá)邊界之前的某一時(shí)刻線框的速度已達(dá)到這一階段的最大值。問(wèn)從線框開(kāi)始下落到邊剛剛到達(dá)磁場(chǎng)區(qū)域下邊界的過(guò)程中，磁場(chǎng)作用于線框的安培力做的總功為多少？

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