分析 (1)帶電粒子在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),根據(jù)類平拋運(yùn)動(dòng)規(guī)律求解出進(jìn)入磁場的速度v,由幾何關(guān)系確定圓周運(yùn)動(dòng)的半徑,然后由牛頓第二定律求出B;
(2)要使粒子經(jīng)過O點(diǎn),則需滿足:ns=$\sqrt{2}$r2(n=1,2,3…),然后由牛頓第二定律求B;
解答 解:(1)帶電粒子在電場中做類平拋運(yùn)動(dòng),到達(dá)O點(diǎn)時(shí)速度方向與x軸負(fù)方向夾角為θ,
2l=v0t,l=$\frac{{v}_{y}}{2}$t,解得:vy=v0,θ=45°,
速度:v=$\sqrt{{v}_{0}^{2}+{v}_{y}^{2}}$=$\sqrt{2}$v0,
由牛頓第二定律得:qvB1=m$\frac{{v}^{2}}{{r}_{1}}$,
由幾何關(guān)系得:2r1sinθ=4l
解得:B1=$\frac{m{v}_{0}}{2ql}$;
(2)帶電粒子從O點(diǎn)進(jìn)入磁場后做半徑為r2的勻速圓周運(yùn)動(dòng),設(shè)粒子連續(xù)兩次進(jìn)入磁場位置間的距離為s,
由對稱性和幾何關(guān)系知:s=4l-$\sqrt{2}$r2
要使粒子經(jīng)過O點(diǎn),則需滿足:
ns=$\sqrt{2}$r2(n=1,2,3…)
由qvB2=m$\frac{{v}^{2}}{{r}_{2}}$,
解得:B2=$\frac{(n+1)m{v}_{0}}{2nql}$(n=1,2,3…)
答:(1)若帶電粒子此后每隔相同的時(shí)間以相同的速度再次通過O點(diǎn),則磁感應(yīng)強(qiáng)度B1大小為$\frac{m{v}_{0}}{2ql}$;
(2)若帶電粒子離開P點(diǎn)后只能通過O點(diǎn)兩次,則磁感應(yīng)強(qiáng)度B2大小為$\frac{(n+1)m{v}_{0}}{2nql}$(n=1,2,3…).
點(diǎn)評 本題考查帶電粒子在復(fù)合場中的運(yùn)動(dòng),綜合性較強(qiáng),對學(xué)生能力的要求較高,關(guān)鍵要理清帶電粒子的運(yùn)動(dòng)規(guī)律.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 沿AD軌跡運(yùn)動(dòng)時(shí),船相對于靜水做勻減速直線運(yùn)動(dòng) | |
B. | 沿三條不同路徑渡河的時(shí)間相同 | |
C. | 沿AB軌跡渡河所用的時(shí)間最短 | |
D. | 沿AC軌跡船到達(dá)對岸的速度最大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 電子槍發(fā)射能力減弱,電子數(shù)減小 | |
B. | 加速電場的電壓過高,電子速率偏大 | |
C. | 偏轉(zhuǎn)線圈匝間短路,線圈匝數(shù)減少 | |
D. | 偏轉(zhuǎn)線圈的電流過小,偏轉(zhuǎn)磁場減弱 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | x=0處的電場場強(qiáng)為0 | |
B. | A、B處電荷的電量之比為4:1 | |
C. | A、B處電荷的電量之比為7:3 | |
D. | 為了使小物塊能夠到達(dá)x=2L處,小物塊與水平面間的支摩擦因數(shù)μ≤$\frac{4q{φ}_{0}}{7mgL}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{{4{π^2}{r^3}}}{{{T^2}{R^2}g}}$ | B. | $\frac{{{T^2}{R^2}g}}{{4{π^2}m{r^3}}}$ | C. | $\frac{{4{π^2}mg}}{{{T^2}r}}$ | D. | $\frac{{4{π^2}m{r^3}}}{{{T^2}{R^2}g}}$ |
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