分析 (1)若質(zhì)子垂直打在N板上,質(zhì)子出磁場時必須與磁場的右邊界垂直,畫出質(zhì)子在磁場中的運動軌跡,由幾何關(guān)系求出軌跡半徑,由牛頓第二定律求磁感應強度B1;
(2)要使N板上的亮斑恰好消失,質(zhì)子進入電場后須做勻減速直線運動,到達N板的速度恰好為零.由動能定理求場強E;
(3)設(shè)質(zhì)子從磁場進入電場時速度方向與虛線邊界間的夾角為θ,進入電場后做類斜上拋運動,當質(zhì)子剛要達到N板時,沿電場線方向速度減小為零,如圖所示,此時質(zhì)子恰好能返回磁場打在M板上產(chǎn)生亮班,而此時的磁感應強度最小.研究電場中沿電場線方向的運動,由動能定理求出θ.根據(jù)幾何關(guān)系求出磁場中軌跡半徑,即可求解I區(qū)磁場的最小磁感應強度B2.
解答 解:(1)質(zhì)子在磁場中做勻速圓周運動,由洛倫茲力提供向心力,有 qvB=m$\frac{{v}^{2}}{r}$
解得 r=$\frac{mv}{qB}$
若質(zhì)子垂直打在N板上,質(zhì)子出磁場時必須與磁場的右邊界垂直,畫出質(zhì)子在磁場中的運動軌跡如圖所示,由幾何關(guān)系得
r1cos60°=L,得 r1=2L
則由r=$\frac{mv}{qB}$得,I區(qū)磁場的磁感應強度 B1=$\frac{mv}{q{r}_{1}}$=$\frac{mv}{2qL}$
(2)質(zhì)子進入電場后逆著電場線做勻減速直線運動,調(diào)節(jié)電場強度的大小,N板上的亮斑剛好消失時,質(zhì)子的速度剛好減為零,由動能定理得:
-qEL=0-$\frac{1}{2}m{v}^{2}$
則得N板上的亮斑剛好消失時的場強 E=$\frac{m{v}^{2}}{2qL}$
(3)設(shè)質(zhì)子從磁場進入電場時速度方向與虛線邊界間的夾角為θ,進入電場后做類斜上拋運動,當質(zhì)子剛要達到N板時,沿電場線方向速度減小為零,如圖所示,此時質(zhì)子恰好能返回磁場打在M板上產(chǎn)生亮班,而此時的磁感應強度最小.
沿電場方向,由動能定理得:-qEL=0-$\frac{1}{2}m(vsinθ)^{2}$,得 θ=30°
在磁場中,由幾何關(guān)系知,r2sin60°+r2sin30°=L,得 r2=($\sqrt{3}$-1)L
故Ⅰ區(qū)域磁場的最小磁感應強度為 B2=$\frac{mv}{q{r}_{2}}$=$\frac{(\sqrt{3}+1)mv}{2qL}$
答:
(1)若質(zhì)子垂直打在N板上,I區(qū)磁場的磁感應強度B1為$\frac{mv}{2qL}$;
(2)在第(1)問中,調(diào)節(jié)電場強度的大小,N板上的亮斑剛好消失時的場強E為$\frac{m{v}^{2}}{2qL}$;
(3)若區(qū)域Ⅱ的電場強度E=$\frac{{m{v^2}}}{8qL}$,要使M板出現(xiàn)亮斑,I區(qū)磁場的最小磁感應強度B2為$\frac{(\sqrt{3}+1)mv}{2qL}$.
點評 帶電粒子在勻強磁場中做勻速圓周運動,須“畫圓弧、定圓心、求半徑”.同時利用幾何關(guān)系來確定半徑大小.要根據(jù)題意作出臨界軌跡是基本能力,要加強訓練,提供解題能力.
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A. | 粒子帶正電 | |
B. | 運動過程中,粒子的速度不變 | |
C. | 粒子由O到A經(jīng)歷的時間為t=$\frac{πm}{3qB}$ | |
D. | 離開第一象限時,粒子的速度方向與x軸正方向的夾角為30° |
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A. | 平均速度、瞬時速度以及加速度等概念就是由伽利略首先建立起來的 | |
B. | 伽利略利用扭秤實驗測量了引力常量的大小 | |
C. | 伽利略利用比薩斜塔進行落體實驗得出輕重不同的物體下落一樣快 | |
D. | 伽利略利用理想斜面實驗得出力不是維持物體運動的原因 |
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