A. | FN先大于mg,后小于mg | B. | FN一直大于mg | ||
C. | f先向左,后向右 | D. | 線圈中的電流方向始終不變 |
分析 當(dāng)磁鐵靠近線圈時(shí)和遠(yuǎn)離線圈時(shí),穿過線圈的磁通量發(fā)生變化,線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流,線圈受到安培力作用,根據(jù)楞次定律,安培力總是阻礙導(dǎo)體與磁體間的相對(duì)運(yùn)動(dòng),分析線圈受到的安培力方向,再分析支持力N和摩擦力f的情況.
解答 解:A、B、當(dāng)磁鐵靠近線圈時(shí),穿過線圈的磁通量增加,線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流,線圈受到磁鐵的安培力作用,根據(jù)楞次定律可知,線圈受到的安培力斜向右下方,則線圈對(duì)桌面的壓力增大,即N大于mg.線圈相對(duì)桌面有向右運(yùn)動(dòng)趨勢(shì),受到桌面向左的靜摩擦力.故A正確,B錯(cuò)誤.
C、當(dāng)磁鐵遠(yuǎn)離線圈時(shí),穿過線圈的磁通量減小,線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流,線圈受到磁鐵的安培力作用,根據(jù)楞次定律可知,線圈受到的安培力斜向右上方,則線圈對(duì)桌面的壓力減小,即N小于mg.線圈相對(duì)桌面有向右運(yùn)動(dòng)趨勢(shì),受到桌面向左的靜摩擦力.故C錯(cuò)誤,
D、當(dāng)磁鐵靠近線圈時(shí),穿過線圈的磁通量增加,線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流從上向下看是逆時(shí)針方向;當(dāng)磁鐵遠(yuǎn)離線圈時(shí),穿過線圈的磁通量減小,線圈中產(chǎn)生感應(yīng)電流從上向下看是順時(shí)針方向,故D錯(cuò)誤.
故選:A.
點(diǎn)評(píng) 本題應(yīng)用楞次定律的第二種表述判斷,也可以運(yùn)用楞次定律、左手定則、安培則進(jìn)行判斷.基礎(chǔ)題.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | t=1s時(shí),金屬桿中感應(yīng)電流方向從C到D | |
B. | t=3s時(shí),金屬桿中感應(yīng)電流方向從D到C | |
C. | t=1s時(shí),金屬桿對(duì)擋板P的壓力大小為0.4N | |
D. | t=3s時(shí),金屬桿對(duì)擋板H的壓力大小為0.1N |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 外力F為恒力 | |
B. | t=0時(shí),外力大小F=$\frac{4{{B}_{0}}^{2}{L}^{2}v}{R}$ | |
C. | 通過線圈的瞬間時(shí)電流I=$\frac{2{B}_{0}Lvcos\frac{πvt}iqdama2}{R}$ | |
D. | 經(jīng)過t=$\fracu72mokn{v}$,線圈中產(chǎn)生的電熱Q=$\frac{2{{B}_{0}}^{2}{L}^{2}vd}{R}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | a光的折射率大 | B. | b光的折射率大 | ||
C. | a光在三棱鏡中的速度大 | D. | b光在三棱鏡中的速度大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 大小為$\overline{OC}$,方向向左 | B. | 大小為$\overline{OC}$,方向向右 | ||
C. | 大小為$\overline{AC}$,方向向左 | D. | 大小為$\overline{AC}$,方向向右 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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