E |
R+r |
B2L2v |
R+r |
mg(R+r) |
B2L2 |
1 |
2 |
m3g2(R+r)2 |
2B4L4 |
mg(R+r) |
B2L2 |
m3g2(R+r)2 |
2B4L4 |
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
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科目:高中物理 來源: 題型:
(08年南京市一模)(12分)如圖,豎直放置的光滑平行金屬導(dǎo)軌MN、PQ相距L,在M點(diǎn)和P點(diǎn)間接一個(gè)阻值為R的電阻,在兩導(dǎo)軌間 OO1O1′O′ 矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導(dǎo)軌平面向里、寬為d的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r的導(dǎo)體棒ab垂直擱在導(dǎo)軌上,與磁場上邊邊界相距d0.現(xiàn)使ab棒由靜止開始釋放,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運(yùn)動(dòng)(棒ab與導(dǎo)軌始終保持良好的電接觸且下落過程中始終保持水平,導(dǎo)軌電阻不計(jì)).求:
(1)棒ab在離開磁場下邊界時(shí)的速度;
(2)棒ab在通過磁場區(qū)的過程中產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)試分析討論ab棒在磁場中可能出現(xiàn)的運(yùn)動(dòng)情況.
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科目:高中物理 來源:2011年湖北省武漢市高二12月月考物理卷 題型:計(jì)算題
如圖,豎直放置的光滑平行金屬導(dǎo)軌MN、PQ相距L,在M點(diǎn)和P點(diǎn)間接一個(gè)阻值為R的電阻,在兩導(dǎo)軌間 OO1O1′O′ 矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導(dǎo)軌平面向里、寬為d的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r的導(dǎo)體棒ab垂直擱在導(dǎo)軌上,與磁場上邊邊界相距d0.現(xiàn)使ab棒由靜止開始釋放,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運(yùn)動(dòng)(棒ab與導(dǎo)軌始終保持良好的接觸且下落過程中始終保持水平,導(dǎo)軌電阻不計(jì)).重力加速度為g.求:
1.棒ab在離開磁場下邊界時(shí)的速度;
2.棒ab在通過磁場區(qū)的過程中產(chǎn)生的焦耳熱;
3.試分析討論ab棒進(jìn)入磁場后可能出現(xiàn)的運(yùn)動(dòng)情況.
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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年陜西省西安市高三年級(jí)第三次質(zhì)量檢測理科綜合物理部分 題型:計(jì)算題
如圖,豎直放置的光滑平行金屬導(dǎo)軌MN、PQ相距L,在M點(diǎn)和P點(diǎn)間接一個(gè)阻值為R的電阻,在兩導(dǎo)軌間矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導(dǎo)軌平面向里、寬為的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B。一質(zhì)量為m,電阻為r的導(dǎo)體棒ab垂直擱在導(dǎo)軌上,與磁場上邊界相距,F(xiàn)使ab棒由靜止開始釋放,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運(yùn)動(dòng)(棒ab與導(dǎo)軌始終保持良好的接觸且下落過程始終保持水平,導(dǎo)軌電阻不計(jì))。求:
(1)棒ab在離開磁場下邊界時(shí)的速度;
(2)棒ab在通過磁場區(qū)的過程中產(chǎn)生的焦耳熱;
(3)試分析討論ab棒在磁場中可能出現(xiàn)的運(yùn)動(dòng)情況。
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