A. | A點(diǎn)的電勢比B點(diǎn)的低 | |
B. | A點(diǎn)的電場強(qiáng)度比B點(diǎn)的大 | |
C. | AC間的電勢差大于AB間的電勢差 | |
D. | 沿直線從A運(yùn)動(dòng)到B過程中,電場力先做正功后做負(fù)功 |
分析 等差等勢面的疏密代表場強(qiáng)的大小,正電荷在電勢高的地方電勢能大,負(fù)電荷在較高的點(diǎn)電勢能低.
解答 解:A、根據(jù)φ=$\frac{{E}_{p}}{q}$,負(fù)電荷在電場中,在電勢高的位置,電勢能低;帶負(fù)電的點(diǎn)電荷在A點(diǎn)的電勢能大于其在B點(diǎn)的電勢能,故A點(diǎn)的電勢比B點(diǎn)的低;故A正確;
B、等差等勢面的疏密代表場強(qiáng)的大小,故A點(diǎn)的場強(qiáng)小于B點(diǎn)的場強(qiáng),故B正確;
C、A點(diǎn)在經(jīng)過B點(diǎn)和C點(diǎn)的兩個(gè)等勢面之間,與圖中C′和B′間距相等,由于AC′間的場強(qiáng)小于AB′間的場強(qiáng),故AC′間的電勢差小于AB′間的電勢差,故AC間的電勢差小于AB間的電勢差,故C錯(cuò)誤;
D、沿直線從A運(yùn)動(dòng)到B過程中,電勢是一直升高,故負(fù)電荷的電勢能一直降低,故電場力一直做正功,故D錯(cuò)誤;
故選:AB
點(diǎn)評 本題主要考查了等勢面與電場強(qiáng)度的關(guān)系,要抓住正電荷在電勢高的位置電勢能大、負(fù)電荷在電勢高的點(diǎn)電勢能低進(jìn)行分析.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 原、副線圈中電流頻率之比f1:f2=10:1 | |
B. | 電流表A2的讀數(shù)2A | |
C. | 電流表A1的讀數(shù)0.2A | |
D. | 變壓器的輸入功率為200W |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 若mA=mB,則有x1=x2 | |
B. | 若mA<mB,則有x1<x2 | |
C. | 只要不超出彈性限度,始終有x1>x2 | |
D. | 若剪斷L1上端的細(xì)繩,A、B就一起做自由落體運(yùn)動(dòng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 質(zhì)點(diǎn)P的起振方向沿y軸正方向 | B. | t=1.5s時(shí)刻,質(zhì)點(diǎn)P運(yùn)動(dòng)到M點(diǎn) | ||
C. | t=1.5s時(shí)刻,質(zhì)點(diǎn)M的速度為0 | D. | t=3s時(shí)刻,質(zhì)點(diǎn)M的位移為4cm |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 四條譜線中頻率最大的是Hδ | |
B. | 用633nm的光照射能使氫原子從n=2躍遷到n=3的能級 | |
C. | 一群處于n=3的能級上的氫原子向低能級躍遷時(shí),最多產(chǎn)生3中譜線 | |
D. | 如果Hδ可以使某種金屬發(fā)生光電效應(yīng),只要照射時(shí)間足夠長,光的強(qiáng)度足夠大,Hβ也可以使該金屬發(fā)生光電效應(yīng) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電路中感應(yīng)電動(dòng)勢的大小為$\frac{Blv}{sinθ}$ | |
B. | 電路中感應(yīng)電流的大小為$\frac{Bvsinθ}{r}$ | |
C. | 金屬桿所受安培力的大小為$\frac{{B}^{2}lvsinθ}{r}$ | |
D. | 金屬桿的熱功率為$\frac{{B}^{2}l{v}^{2}}{rsinθ}$ |
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