分析 (1)根據(jù)動(dòng)能定理求出α粒子剛進(jìn)人磁場(chǎng)時(shí)的速度.
(2)粒子沿x軸正方向射出的粒子進(jìn)入磁場(chǎng)偏轉(zhuǎn)的角度最大,若該粒子進(jìn)入磁場(chǎng)不能打在ab板上,則所有粒子均不能打在ab板上.根據(jù)帶電粒子在電場(chǎng)中類平拋運(yùn)動(dòng),求出進(jìn)入磁場(chǎng)中的偏轉(zhuǎn)角度,結(jié)合幾何關(guān)系得出軌道半徑,從而得出磁感應(yīng)強(qiáng)度的大。
(3)沿x軸負(fù)方向射出的粒子若能打到ab板上,則所有粒子均能打到板上.其臨界情況就是此粒子軌跡恰好與ab板相切.根據(jù)帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑大小得出磁場(chǎng)的寬度,從而確定出ab板移動(dòng)的位置,根據(jù)幾何關(guān)系求出ab板上被α粒子打中的區(qū)域的長(zhǎng)度.
解答 解:(1)根據(jù)動(dòng)能定理:qEd=$\frac{1}{2}$mvt2-$\frac{1}{2}$mv02,
解得:vt=2v0;
(2)根據(jù)上題結(jié)果可知vt=2v0,對(duì)于沿x軸正方向射出的粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)與x軸正方向夾角θ=$\frac{π}{3}$,
其在電場(chǎng)中沿x方向的位移:x1=v0t=v0$\sqrt{\frac{2d}{\frac{qE}{m}}}$=$\frac{2\sqrt{3}}{3}$d,
易知若此粒子不能打到ab板上,則所有粒子均不能打到ab板,因此此粒子軌跡必與ab板相切,
可得其圓周運(yùn)動(dòng)的半徑:r=$\frac{2}{3}$d,
又根據(jù)洛倫茲力提供向心力,qvtB=m$\frac{{v}_{t}^{2}}{r}$,
解得:B=$\frac{3m{v}_{0}}{qd}$;
(3)易知沿x軸負(fù)方向射出的粒子若能打到ab板上,則所有粒子均能打到板上.其臨界情況就是此粒子軌跡恰好與ab板相切.由圖可知此時(shí)磁場(chǎng)寬度為原來(lái)的$\frac{1}{3}$,即當(dāng)ab板位于:y=$\frac{4}{3}$d的位置時(shí),恰好所有粒子均能打到板上,有:△d=2d-$\frac{4}{3}$d=$\frac{2}{3}$d;
ab板上被打中區(qū)域的長(zhǎng)度為:L=2x1+r=$\frac{4\sqrt{3}}{3}$d+$\frac{2}{3}$d;
答:(1)沿+x方向射出的a粒子剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度大小為2v0;
(2)勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為$\frac{3m{v}_{0}}{qd}$;
(3)要使所有粒子均能打到感光板ab上,應(yīng)將ab板從圖中位置至少向下平移$\frac{2}{3}$d,此時(shí)感光板ab被粒子打中區(qū)域的長(zhǎng)度為:$\frac{4\sqrt{3}}{3}$d+$\frac{2}{3}$d.
點(diǎn)評(píng) 本題考查了帶電粒子在電場(chǎng)和磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng),關(guān)鍵確定粒子運(yùn)動(dòng)的臨界情況,通過幾何關(guān)系解決,對(duì)學(xué)生數(shù)學(xué)幾何能力要求較高.
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A. | 質(zhì)點(diǎn)做單向直線運(yùn)動(dòng) | |
B. | v可以等于v0的兩倍 | |
C. | 質(zhì)點(diǎn)在時(shí)間t內(nèi)的位移大小是$\frac{v+{v}_{0}}{2}$t | |
D. | 質(zhì)點(diǎn)的加速度大小等于$\frac{-v-{v}_{0}}{t}$ |
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A. | 三種粒子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)時(shí)間不相同 | |
B. | 三種粒子到達(dá)正極板時(shí)速度相同 | |
C. | 三種粒子到達(dá)正極板時(shí)落在A、C處的粒子機(jī)械能增大,落在B處粒子機(jī)械能不變 | |
D. | 落到A處粒子帶負(fù)電,落到C處粒子帶正電 |
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