如圖,光滑平行的水平金屬導軌MN、PQ相距l,在M點和P點間接一個阻值為R的電阻,在兩導軌間矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面豎直向下、寬為d的勻強磁場,磁感強度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r的導體棒ab,垂直擱在導軌上,與磁場左邊界相距d0.現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運動(棒ab與導軌始終保持良好的接觸,導軌電阻不計).

求:(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;

(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路消耗的電能

答案:
解析:

  ab棒離開磁場右邊界前做勻速運動,設(shè)速度為,

  則有

  對ab棒;FBIl=0

  解得

  (2)由能量守恒可得:

  解得:


練習冊系列答案
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科目:高中物理 來源: 題型:

(2012?廣東一模)如圖,光滑平行的水平金屬導軌MN、PQ相距L,在M點和P點間接一個阻值為R的電阻,在兩導軌間OO1O1′O′矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面豎直向下、寬為d的勻強磁場,磁感強度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r的導體棒ab,垂直擱在導軌上,與磁場左邊界相距d0.現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運動(棒ab與導軌始終保持良好的接觸且垂直導軌運動,導軌電阻不計).求:
(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;
(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路所消耗的電能;
(3)試分析討論ab棒在磁場中可能的運動情況.

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(2009?奉賢區(qū)一模)如圖,光滑平行的水平金屬導軌MN、PQ相距l(xiāng),在M點和P點間接一個電阻RMP,其阻值為R,在兩導軌間OO1O1′O′矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面豎直向下、寬為d的勻強磁場,磁感強度為B.一質(zhì)量為m,電阻也為R的導體棒ab,垂直擱在導軌上,開始時在磁場邊界OO1左邊,與磁場左邊界OO1相距d0.現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始向右運動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運動(棒ab與導軌始終保持良好的接觸,導軌電阻不計).求:
(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;
(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中電阻RMP所消耗的電能;
(3)試分析討論ab棒在磁場中可能的運動情況,要求寫出F滿足的條件.

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,光滑平行的水平金屬導軌MN、PQ相距l,在M點和P點間接一個阻值為R的電阻,在兩導軌間OO1O1′O矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面豎直向下、寬為d的勻強磁場,磁感強度為B。一質(zhì)量為m,電阻為r的導體棒ab,垂直擱在導軌上,與磁場左邊界相距d0。現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運動(棒ab與導軌始終保持良好的接觸,導軌電阻不計)。求:

(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;

(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路所消耗的電能;

(3)試分析討論ab棒在磁場中可能的運動情況。

 


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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,光滑平行的水平金屬導軌MN、PQ相距l,在M點和P點間接一個阻值為R的電阻,在兩導軌間OO1O1′O矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面豎直向下、寬為d的     勻強磁場,磁感強度為B。一質(zhì)量為m,電阻為r的導體棒ab,垂直擱在導軌上,與磁場左邊界相距l0,F(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運動(棒ab與導軌始終保持良好的接觸,導軌電阻不計)。求:

(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路所消耗的電能;

(3)試分析討論ab棒在磁場中可能的運動情況。

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科目:高中物理 來源:廣東一模 題型:問答題

如圖,光滑平行的水平金屬導軌MN、PQ相距L,在M點和P點間接一個阻值為R的電阻,在兩導軌間OO1O1′O′矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面豎直向下、寬為d的勻強磁場,磁感強度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r的導體棒ab,垂直擱在導軌上,與磁場左邊界相距d0.現(xiàn)用一大小為F、水平向右的恒力拉ab棒,使它由靜止開始運動,棒ab在離開磁場前已經(jīng)做勻速直線運動(棒ab與導軌始終保持良好的接觸且垂直導軌運動,導軌電阻不計).求:
(1)棒ab在離開磁場右邊界時的速度;
(2)棒ab通過磁場區(qū)的過程中整個回路所消耗的電能;
(3)試分析討論ab棒在磁場中可能的運動情況.
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