分析 (1)金屬框進(jìn)入磁場前做勻加速運(yùn)動,由圖線與時(shí)間軸所圍的面積讀出金屬框初始位置的bc邊到邊界MN的高度;由圖象可知,金屬框進(jìn)入磁場過程中是做勻速直線運(yùn)動,根據(jù)時(shí)間和速度求解金屬框的邊長;
(2)由圖知,金屬線框進(jìn)入磁場過程做勻速直線運(yùn)動,重力和安培力平衡,列式可求出磁感應(yīng)強(qiáng)度B.再由電量公式和法拉第電磁感應(yīng)定律、歐姆定律求電量;
(3)由能量守恒定律求出在進(jìn)入磁場過程中金屬框產(chǎn)生的熱量,即可得到安培力做的功.
解答 解:(1)由圖象可知,金屬框進(jìn)入磁場過程中是做勻速直線運(yùn)動,速度為v1,運(yùn)動時(shí)間為t2-t1,故金屬框的邊長:L=v1(t2-t1);
(2)在金屬框進(jìn)入磁場的過程中,金屬框所受安培力等于重力,則得:mg=BIL,I=$\frac{BL{v}_{1}}{R}$,又 L=v1(t2-t1).
聯(lián)立解得:B=$\frac{1}{{v}_{1}({t}_{2}-{t}_{1})}$$\sqrt{\frac{mgR}{{v}_{1}}}$
金屬線框在進(jìn)入磁場的過程中通過線框截面的電量 q=I(t2-t1)=$\frac{B{L}^{2}}{R}$=v1(t2-t1)$\sqrt{\frac{mg}{{v}_{1}R}}$.
(3)t1到t2時(shí)間內(nèi),根據(jù)能量守恒定律,產(chǎn)生的熱量為:Q1=mgl=mgυ1(t2-t1);
t3到t4時(shí)間內(nèi),根據(jù)能量守恒定律,產(chǎn)生的熱量為:Q2=mgL+$\frac{1}{2}$m(${v}_{3}^{2}-{v}_{2}^{2}$)=mgυ1(t2-t1)+$\frac{1}{2}$m(${v}_{3}^{2}-{v}_{2}^{2}$)
故Q=Q1+Q2=2mgυ1(t2-t1)+$\frac{1}{2}$m(${v}_{3}^{2}-{v}_{2}^{2}$)
根據(jù)功能關(guān)系可知,安培力做功 W=-Q=2mgυ1(t1-t2)-$\frac{1}{2}$m(${v}_{3}^{2}-{v}_{2}^{2}$).
答:
(1)金屬線框的邊長是v1(t2-t1);
(2)金屬線框在進(jìn)入磁場的過程中通過線框截面的電量是v1(t2-t1)$\sqrt{\frac{mg}{{v}_{1}R}}$;
(3)金屬線框在0~t4時(shí)間內(nèi)安培力做的總功是2mgυ1(t1-t2)-$\frac{1}{2}$m(${v}_{3}^{2}-{v}_{2}^{2}$).
點(diǎn)評 本題電磁感應(yīng)與力學(xué)知識簡單的綜合,能由圖象讀出線框的運(yùn)動情況,選擇與之相應(yīng)的力學(xué)規(guī)律是解答本題的關(guān)鍵,要加強(qiáng)練習(xí),培養(yǎng)自己識別、理解圖象的能力和分析、解決綜合題的能力.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 溫度低的物體內(nèi)能小 | |
B. | 分子運(yùn)動的平均速度可能為零,瞬時(shí)速度不可能為零 | |
C. | 液體與大氣相接觸,表面層內(nèi)分子所受其他分子的作用表現(xiàn)為相互吸引 | |
D. | 一定質(zhì)量的理想氣體溫度升高后分子勢能增大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 把托里拆利管逐漸傾斜(管子露出部分長度不變) | |
B. | 把托里拆利管慢慢向上提,但下端不離開汞樔 | |
C. | 保持裝置不動,往汞槽內(nèi)加汞,以增大壓強(qiáng) | |
D. | 整個(gè)裝置豎直向上做加速運(yùn)動 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 運(yùn)動員接觸到蹦床,t1到t2運(yùn)動員加速度變大 | |
B. | t2時(shí)刻運(yùn)動員加速度為零,動能最大 | |
C. | t3時(shí)刻蹦床的彈性勢能最大 | |
D. | 從t1時(shí)刻到t4時(shí)刻,運(yùn)動員機(jī)械能守恒 |
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