8．如圖，金屬桿ab的質(zhì)量為m、通過的電流為I，處在磁感應(yīng)強度為B的勻強磁場中，平行導軌間的距離為L，結(jié)果ab靜止且緊壓于水平導軌上．若磁場方向與導軌平面成θ角，金屬桿ab與水平導軌間的摩擦系數(shù)為μ，則以下說法正確的是（　�。�
A．金屬桿ab所受的安培力大小為BILsinθ
B．金屬桿ab所受的安培力大小為BIL
C．金屬桿ab所受的摩擦力大小為BILsinθ
D．金屬桿ab所受的摩擦力大小為μmg

分析 金屬桿ab受到重力、安培力、導軌的支持力和摩擦力平衡，金屬桿與磁場方向垂直，安培力大小FA=BIL，根據(jù)平衡條件列方程求解．

解答 解：作出金屬桿受力的主視圖，如圖．根據(jù)平衡條件得
Ff=BILsinθ
FN=mg-BILcosθ
電流和磁場垂直，故FA=BIL
故選：BC

點評 本題考查應(yīng)用平衡條件解決磁場中通電導體的平衡問題，關(guān)鍵在于安培力分析和計算．本題要注意導體與磁場垂直

練習冊系列答案
相關(guān)習題

科目：高中物理 來源： 題型：選擇題

18．如圖所示，在前進的車廂的豎直后壁上放一個物體，物體與壁間的動摩擦因數(shù)μ，要使物體不致下滑，車廂前進的加速度至少應(yīng)為（重力加速度為g，最大靜摩擦力等于滑動摩擦力）（　�。�
A．μgB．$\frac{g}{μ}$C．$\frac{μ}{g}$D．g

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科目：高中物理 來源： 題型：解答題

19．如圖a在傾斜的氣墊導軌C上有A、B兩點，各放置一個光電門傳感器（圖中未畫出），將質(zhì)量為M的小滑塊從A點由靜止開始釋放（氣墊導軌阻力很小，摩擦不計），兩個光電門可測得滑塊在AB間運動的時間t，再用尺測量出AB兩點間的豎直高度h．

（1）在其他條件不變的情況下，通過調(diào)節(jié)氣墊導軌的傾角，從而改變AB兩點間的豎直高度h，小球從A點運動到B點的時間t將隨之改變，經(jīng)多次實驗，以$\frac{1}{{t}^{2}}$為縱坐標、h為橫坐標，得到如圖b圖象．則當下滑時間為t=0.6s時，h為0.56m；（g取10m/s2），則AB間距s為1.0m．
（2）若實驗中的氣墊導軌改為普通木板，摩擦力的影響不可忽略，此種情況下產(chǎn)生的$\frac{1}{{t}^{2}}$-h圖象應(yīng)為曲線（選填“直線”或“曲線”）．

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

16．如圖所示為某一點電荷Q產(chǎn)生的電場中的一條電場線，A、B是一條電場線上的兩點，若在A點釋放一初速為零的電子，電子僅受電場力作用，沿電場線從A運動到B，則（　�。�
A．電場線方向由B指向AB．A點場強一定大于B點場強
C．如Q為負電荷，則Q在A點左側(cè)D．從A運動到B，電子電勢能增加

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科目：高中物理 來源： 題型：選擇題

3．如圖，足夠大的光滑絕緣水平面上有三個帶電質(zhì)點，A和C圍繞B做勻速圓周運動，B恰能保持靜止，其中A、C和B的距離分別是L1，和L2．不計三質(zhì)點間的萬有引力，則A和C的比荷（電量與質(zhì)量之比）之比應(yīng)是（　�。�
A．（$\frac{{L}_{1}}{{L}_{2}}$）2B．（$\frac{{L}_{1}}{{L}_{2}}$）3C．（$\frac{{L}_{2}}{{L}_{1}}$）2D．（$\frac{{L}_{2}}{{L}_{1}}$）3

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科目：高中物理 來源： 題型：填空題

13．某同學利用如圖甲所示的實驗裝置測量重力加速度．

①請指出該同學在實驗操作中存在的明顯錯誤或不當（指出一處即可）：打點計時器用了直流電或釋放重物前重物未靠近打點計時器
②該同學經(jīng)正確操作得到如圖乙所示的紙帶，取連續(xù)的六個打點A、B、C、D、E、F為計數(shù)點，測得點A到B、C、D、E、F的距離分別為h1、h2、h3、h4、h5．若打點的周期為T，則打E點時重物速度的表達式為vE=$\frac{{h}_{5}-{h}_{3}}{2T}$；若分別計算出各計數(shù)點對應(yīng)的速度數(shù)值，并在坐標系中畫出速度的二次方（v2）與距離（h）的關(guān)系圖線，如圖丙所示，則重力加速度g=9.4m/s2．

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科目：高中物理 來源： 題型：選擇題

20．如圖所示，放在水平地面的物體，受到水平向左的F1=15N和水平向右的F2=30N兩個力的共同作用而靜止．現(xiàn)撤去力F2，則物體受到的摩擦力大小和方向為（　　）
A．15N，水平向左B．15N，水平向右C．30N，水平向左D．30N，水平向右

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科目：高中物理 來源： 題型：解答題

17．在水平光滑的絕緣平面內(nèi)建立如圖所示的直角坐標系，將第Ⅰ、Ⅱ象限稱為區(qū)域一，第Ⅲ、Ⅳ象限稱為區(qū)域二．區(qū)域二內(nèi)有勻強電場，區(qū)域一內(nèi)有大小為2×10-2T、方向垂直水平光滑平面的勻強磁場．把一個荷質(zhì)比為$\frac{q}{m}$=2×108C/kg的正電荷從坐標為（0，-1）的A點處由靜止釋放，電荷以一定的速度從坐標為（1，0）的C點第一次經(jīng)x軸進入?yún)^(qū)域一，經(jīng)過一段時間，從坐標原點O第二次經(jīng)x軸回到區(qū)域二．不計正電荷重力．
（1）判斷電場及磁場的方向并畫出電荷在磁場中運動的軌跡；
（2）求電場強度的大��；
（3）電荷第三次經(jīng)過x軸的位置．

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

18．一個一價和一個二價的靜止銅離子，經(jīng)過同一電壓加速后，再垂直射入同一勻強偏轉(zhuǎn)電場，然后打在同一屏上，屏與偏轉(zhuǎn)電場方向平行，下列說法正確的是（　�。�
A．二價銅離子打在屏上時的速度小
B．離子進入偏轉(zhuǎn)電場后，二價銅離子飛到屏上用的時間短
C．離子通過加速電場過程中，電場力對二價銅離子做的功大
D．在離開偏轉(zhuǎn)電場時，兩種離子在電場方向上的位移不相等

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