科目: 來源: 題型:多選題
A. | F對物體做的功為3μmgx0 | |
B. | 撤去F后,物體的機械能先增加后減小 | |
C. | 物體開始向左運動到速度最大的過程中克服摩擦力做的功為μmg(x0-$\frac{μmg}{k}$) | |
D. | 物體做勻減速運動的時間為 $\sqrt{\frac{{6x}_{0}}{μg}}$ |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | EK甲>EK乙 | |
B. | T甲=T乙 | |
C. | a甲>a乙 | |
D. | A、B兩球到達各自懸點的正下方時,B球受到向上的拉力較小 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 如圖,某物塊分別沿三條不同的軌道由離地高h的A點滑到同一水平面上,軌道1、2是光滑的,軌道3是粗糙的,沿三條軌道滑下重力做的功不一樣多 | |
B. | 一個物體的重力勢能從-5 J變化到-3 J,重力勢能減少了 | |
C. | 重力勢能的變化,只跟重力做功有關系,和其他力做功多少無關 | |
D. | 動能不變,則物體合外力一定為零 |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 勻強電場的電場強度大小為$\frac{m{v}_{0}^{2}}{2qL}$ | |
B. | 粒子進入磁場時速度與水平方向的夾角為45° | |
C. | 粒子在磁場中做圓周運動的半徑為$\sqrt{2}$L | |
D. | 勻強磁場的磁感強強度為$\frac{2m{v}_{0}}{qL}$ |
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科目: 來源: 題型:實驗題
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科目: 來源: 題型:計算題
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 當v<$\frac{qBL}{2m}$時所有離子都打不到熒光屏 | |
B. | 當v<$\frac{qBL}{m}$時所有離子都打不到熒光屏 | |
C. | 當v=$\frac{qBL}{m}$時,打到熒光屏MN的離子數(shù)與發(fā)射的離子總數(shù)比值為$\frac{5}{12}$ | |
D. | 當v=$\frac{qBL}{m}$時,打到熒光屏MN的離子數(shù)與發(fā)射的離子總數(shù)比值為$\frac{1}{2}$ |
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科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:實驗題
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | a板電勢比b板電勢低 | |
B. | 磁流體發(fā)電機的電動勢E=Bdv | |
C. | 負載電阻兩端的電壓大小為Bdv | |
D. | 兩板間等離子體的電阻率ρ=$\frac{(Bdv-IR)S}{Id}$ |
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