科目: 來源: 題型:填空題
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 電導(dǎo)率的單位可以用Ω/m表示 | |
B. | 對于硫酸,濃度越高導(dǎo)電本領(lǐng)越強(qiáng) | |
C. | 可以根據(jù)電導(dǎo)率來確定硫酸濃度 | |
D. | 某一濃度的硫酸導(dǎo)電時(shí),遵守歐姆定律 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | a光的全反射臨界角小于b光的全反射臨界角 | |
B. | 用同一干涉裝置可看到a光的干涉條紋間距比b光寬 | |
C. | 在該介質(zhì)中a光的傳播速度大于b光的傳播速度 | |
D. | 如果a光能使某種金屬發(fā)生光電效應(yīng),b光也一定能使該金屬發(fā)生光電效應(yīng) |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 拍攝玻璃櫥窗內(nèi)的物品時(shí),往往在鏡頭前加一個(gè)偏振片以增加透射光的強(qiáng)度 | |
B. | X射線能夠穿透物質(zhì),可以用來檢查人體內(nèi)部器官 | |
C. | 當(dāng)波源與觀察者互相靠近時(shí),觀察者接收到的波的頻率會變小 | |
D. | 第四代移動(dòng)通信系統(tǒng)(4G)采用1 880~2 690 MHz間的四個(gè)頻段,該電磁波信號的磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間是均勻變化的 |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | M處鈉離子濃度大于N處鈉離子濃度 | B. | M處氯離子濃度小于N處氯離子濃度 | ||
C. | M處電勢高于N處電勢 | D. | P管中液面高于Q管中液面 |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | a、b的動(dòng)量大小之比為1:1 | B. | a、b的動(dòng)能之比為127:4 | ||
C. | a、b的運(yùn)動(dòng)半徑之比為2:51 | D. | a、b的周期之比為1:1 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 對接過程機(jī)械能守恒 | |
B. | 對接前天舟一號在高軌道上加速去追天宮二號 | |
C. | 天舟一號必須在天宮二號的軌道上加速才能對接 | |
D. | 對接后組合體的周期比對接前天宮二號的周期大 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 比結(jié)合能越大,原子核越穩(wěn)定 | |
B. | 光照頻率越高,金屬的逸出功越大 | |
C. | 麥克斯韋用實(shí)驗(yàn)證明了電磁波的存在 | |
D. | 亞里士多德發(fā)現(xiàn)運(yùn)動(dòng)的物體不需要力來維持 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 三種射線中α、β、γ,α射線的電離能力最弱,穿透能力最強(qiáng) | |
B. | 按照玻爾理論,氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到較大的軌道時(shí),電子的動(dòng)能減小,原子總能量增大 | |
C. | 金屬的逸出功隨入射光頻率的增大而增大 | |
D. | 一束光照射到某金屬表面不發(fā)生光電效應(yīng),是因?yàn)樵撌獾膹?qiáng)度太弱 |
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科目: 來源: 題型:計(jì)算題
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