科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 12J | B. | 16J | C. | 6J | D. | 4J |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 線框穿過磁場(chǎng)的過程先減速后加速 | |
B. | 安培力所做的功為mg(d+L) | |
C. | 線圈的最小速度一定是$\sqrt{2g(h+L-d)}$ | |
D. | 線圈進(jìn)入磁場(chǎng)和穿出磁場(chǎng)的過程比較,所用時(shí)間不一樣 |
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科目: 來源: 題型:計(jì)算題
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科目: 來源: 題型:計(jì)算題
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 導(dǎo)線ab除受拉力作用外,還受磁場(chǎng)力的作用 | |
B. | 導(dǎo)線ab移動(dòng)速度越大,所需拉力越大 | |
C. | 導(dǎo)線ab移動(dòng)速度一定,若將電阻阻值R增大,則拉動(dòng)導(dǎo)線ab的力可減小一些 | |
D. | 只要使導(dǎo)線ab運(yùn)動(dòng)達(dá)到某一速度后,撤去外力,導(dǎo)線ab也能在框架上維持勻速運(yùn)動(dòng) |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 圓盤繞過圓心的豎直軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng) | |
B. | 圓盤以其某一水平直徑為軸勻速轉(zhuǎn)動(dòng) | |
C. | 圓盤在磁場(chǎng)中水平向右勻速平移(始終未出磁場(chǎng)) | |
D. | 使磁場(chǎng)均勻增強(qiáng) |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | $mgh-\frac{1}{2}m{v^2}-\frac{1}{2}mv_0^2$ | B. | $\frac{1}{2}m{v^2}-\frac{1}{2}mv_0^2+mgh$ | ||
C. | $mgh+\frac{1}{2}mv_0^2-\frac{1}{2}m{v^2}$ | D. | $\frac{1}{2}m{v^2}-\frac{1}{2}mv_0^2-mgh$ |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 導(dǎo)體桿剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),電阻中的電流方向由M指向M′ | |
B. | 導(dǎo)體桿剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),導(dǎo)體桿中的電流大小為4.8A | |
C. | 導(dǎo)體桿剛穿出磁場(chǎng)時(shí)速度的大小為4.0m/s | |
D. | 導(dǎo)體桿穿過磁場(chǎng)的過程中整個(gè)電路產(chǎn)生的焦耳熱為0.94J |
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科目: 來源: 題型:計(jì)算題
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 金屬桿內(nèi)自由電子個(gè)數(shù)為nSl | |
B. | 金屬桿中自由電子運(yùn)動(dòng)方向?yàn)镸至N | |
C. | 金屬桿所受所安培力的大小可表示為F=neBv | |
D. | 金屬桿中電流強(qiáng)度為I=nevl |
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