【題目】如圖所示，實(shí)線表示兩個(gè)相干波源S1、S2發(fā)出的波峰位置，設(shè)波的周期為T，波長(zhǎng)為，波的傳播速度為v，下列說(shuō)法正確的是______________（選對(duì)1個(gè)給2分，選對(duì)2個(gè)給4分，選對(duì)3個(gè)給5分，沒(méi)選錯(cuò)一個(gè)扣3分，最低得分為0）

A．圖中的a點(diǎn)為振動(dòng)減弱點(diǎn)的位置

B．圖中的b點(diǎn)為振動(dòng)加強(qiáng)點(diǎn)的位置

C．從圖中時(shí)刻開(kāi)始，波源Sl的波峰傳播到a、b位置的最短時(shí)間均為T/2

D．v=λT

E．波源S1的波經(jīng)過(guò)干涉之后波的性質(zhì)完全改變

A．空氣不能自發(fā)地分力成氮?dú)狻⒀鯕�、二氧化碳等各種不同的氣體

B．一定質(zhì)量的理想氣體，若壓強(qiáng)和體積不變，其內(nèi)能可能增大

C．表面張力的產(chǎn)生，是因?yàn)橐后w表面層分子間的作用表現(xiàn)為相互排斥

D．一定質(zhì)量的理想氣體，絕熱壓縮過(guò)程中，分子平均動(dòng)能一定增大

E．標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下氧氣的摩爾體積為22.4L/mol，則平均每個(gè)分子所占的空間約為3.72×10-26m3

A. 線框中產(chǎn)生的電流為正弦式交變電流

B. 線框從圖中位置轉(zhuǎn)過(guò)時(shí)，感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)瞬時(shí)值為

C. 燈泡L1的額定電壓等于

D. 如果閉合開(kāi)關(guān)S，則電流表示數(shù)變大

A. B. C. D.

A. 框架對(duì)小球的支持力先減小后增大

B. 拉力F的最小值為mgcosθ

C. 地面對(duì)框架的摩擦力減小

D. 框架對(duì)地面的壓力先增大后減小

A. 將核子束縛在原子核內(nèi)的核力，是不同于萬(wàn)有引力和電磁力的另一種相互作用

B. 對(duì)于同種金屬產(chǎn)生光電效應(yīng)時(shí)逸出光電子的最大初動(dòng)能Ek與照射光的頻率成線性關(guān)系

C. 一塊純凈的放射性元素的礦石經(jīng)過(guò)一個(gè)半衰期以后它的總質(zhì)量?jī)H剩下一半

D. 按照玻爾理論，氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷多半徑較大的軌道時(shí)，電子的動(dòng)能減小原子的能量也減小了

【題目】如圖所示，豎直放置在地面上的結(jié)構(gòu)相似的絕熱氣缸A與導(dǎo)熱氣缸B，由剛性輕質(zhì)細(xì)桿連接的絕熱活塞與兩氣缸間均無(wú)摩擦，已知兩氣缸的橫截面積之比SA：SB=2：1，兩氣缸內(nèi)裝有某理想氣體。開(kāi)始時(shí)氣缸中的活塞與缸底的距離均為L，溫度均為T0，已知外界大氣壓為p0，現(xiàn)緩慢加熱A中氣體，停止加熱達(dá)到穩(wěn)定后，A中氣體溫度變?yōu)樵瓉?lái)的1.5倍，設(shè)環(huán)境溫度始終保持不變�；钊�的質(zhì)量、氣缸壁的厚度均忽略不計(jì)，氣缸B的質(zhì)量是M=，(題中對(duì)應(yīng)溫度為熱力學(xué)溫度)求：

(i)初始狀態(tài)時(shí)，B氣缸中的氣體壓強(qiáng);

(ⅱ)停止加熱達(dá)到穩(wěn)定后，氣缸B上升的高度

(i)綠光在該柱形玻璃內(nèi)的運(yùn)動(dòng)時(shí)間；(取光在空氣中速度為3×108m/s)

(ii)若將這束綠光改成藍(lán)光，經(jīng)柱形玻璃射出后能否在地面上形成光斑。(不用說(shuō)明理由)

(1)線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中，線框產(chǎn)生的焦耳熱；

(2)線框通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中，運(yùn)動(dòng)時(shí)的最小速度；

(3)線框通過(guò)磁場(chǎng)所用的時(shí)間。

【題目】如圖所示，金屬板的右側(cè)存在n（n大于2）個(gè)有理想邊界的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)的上邊界與下邊界間的距離足夠大。相鄰磁場(chǎng)的方向相反，ABCD區(qū)域里磁場(chǎng)的方向垂直于紙面向里，CDEF區(qū)域里磁場(chǎng)的方向垂直于紙面向外，以此類推，第n個(gè)磁場(chǎng)方向向里。區(qū)域中磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小均為B，磁場(chǎng)區(qū)域的寬度均相同。當(dāng)加速電壓為某一值時(shí)，一電子由靜止開(kāi)始，經(jīng)電場(chǎng)加速后，以速度v0垂直于磁場(chǎng)邊界AB進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)，經(jīng)的時(shí)間后，到達(dá)另一磁場(chǎng)邊界EF．已知電子的質(zhì)量為m，電荷量為e. 求:

（1）每一磁場(chǎng)的寬度d；

（2）若要保證電子能夠到達(dá)磁場(chǎng)邊界EF，加速電壓U至少為多少？

（3）現(xiàn)撤去加速裝置，使ABCD區(qū)域的磁感應(yīng)強(qiáng)度變?yōu)?/span>2B，第n個(gè)磁場(chǎng)（最右側(cè)）磁感應(yīng)強(qiáng)度變

為（其它磁場(chǎng)均不變），使電子仍以速率v0從磁場(chǎng)邊界AB的同一位置射入，可改變射入時(shí)速度的方向．現(xiàn)使得電子穿過(guò)ABCD區(qū)的時(shí)間最短，求電子穿出整個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域的時(shí)間t和電子從磁場(chǎng)射出的位置到水平虛線的距離x.