“位-構-性 之間的關系 結構―― 核電和數.原子序數.核外電子 周期.族―― 位置 性質――物理性質.元素.單質.化合物.離子性質 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)



A【物質結構與性質】納米技術制成的金屬燃料、非金屬固體燃料、氫氣等已應用到社會生活和高科技領域。
⑴A和B的單質單位質量的燃燒熱大,可用作燃料。已知A和B為短周期元素,其原子的第一至第四電離能如下表所示:
電離能(kJ/mol)
I1
I2
I3
I4
A
932
1821
15390
21771
B
738
1451
7733
10540
①某同學根據上述信息,推斷B的核外電子排布如右圖所示,
該同學所畫的電子排布圖違背了                。
②根據價層電子對互斥理論,預測A和氯元素形成的簡單分子空間構型為    
⑵氫氣作為一種清潔能源,必須解決它的儲存問題,C60可用作儲氫材料。
①已知金剛石中的C-C的鍵長為154.45pm,C60中C-C鍵長為145~140pm,有同學據此認為C60的熔點高于金剛石,你認為是否正確并闡述理由    。
②科學家把C60和K摻雜在一起制造了一種富勒烯化合物,其晶胞如圖所示,該物質在低溫時是一種超導體。該物質的K原子和C60分子的個數比為    
③繼C60后,科學家又合成了Si60、N60,C、Si、N原子電負性由大到小的順序是   。Si60分子中每個硅原子只跟相鄰的3個硅原子形成共價鍵,且每個硅原子最外層都滿足8電子穩(wěn)定結構,則Si60分子中π鍵的數目為    。
B【實驗化學】某化學研究性學習小組為測定果汁中Vc含量,設計并進行了以下實驗。
Ⅰ 實驗原理
將特定頻率的紫外光通過裝有溶液的比色皿,一部分被吸收,通過對比入射光強度和透射光強度之間的關系可得到溶液的吸光度(用A表示,可由儀器自動獲得)。吸光度A的大小與溶液中特定成分的濃度有關,雜質不產生干擾。溶液的pH對吸光度大小有一定影響。
Ⅱ 實驗過程
⑴配制系列標準溶液。分別準確稱量質量為1.0mg、1.5mg、2.0mg、2.5mg的標準Vc試劑,放在燒杯中溶解,加入適量的硫酸,再將溶液完全轉移到100mL容量瓶中定容。
上述步驟中所用到的玻璃儀器除燒杯、容量瓶外還有     
⑵較正分光光度計并按順序測定標準溶液的吸光度。為了減小實驗的誤差,實驗中使用同一個比色皿進行實驗,測定下一溶液時應對比色皿進行的操作是     。測定標準溶液按濃度     (填“由大到小”或“由小到大”)的順序進行。
⑶準確移取10.00mL待測果汁樣品到100mL容量瓶中,加入適量的硫酸,再加水定容制得待測液,測定待測液的吸光度。
Ⅲ 數據記錄與處理
⑷實驗中記錄到的標準溶液的吸光度與濃度的關系如下表所示,根據所給數據作出標準溶液的吸光度隨濃度變化的曲線。
標準試劑編號




待測液
濃度mg/L
10
15
20
25

pH
6
6
6
6
6
吸光度A
1.205
1.805
2.405
3.005
2.165
⑸原果汁樣品中Vc的濃度為    mg/L
⑹實驗結果與數據討論
除使用同一個比色皿外,請再提出兩個能使實驗測定結果更加準確的條件控制方法     

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    VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題:

    (1)S單質的常見形式為S8,其環(huán)狀結構如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

    (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;

    (3)Se原子序數為______,其核外M層電子的排布式為______;

    (4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構型為______平面三角形,SO32離子的立體構型為______三角錐形;

    (5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×103和2.5×108,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×102,請根據結構與性質的關系解釋:

    ①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:__________;

    第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;

    ②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:______;

(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如下圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

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VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題:

(1)S單質的常見形式為S8,其環(huán)狀結構如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;

(3)Se原子序數為______,其核外M層電子的排布式為______;

(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構型為______平面三角形,SO32離子的立體構型為______三角錐形;

(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×103和2.5×108,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×102,請根據結構與性質的關系解釋:

①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:                    ;第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;

②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:______;

(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

 

 

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VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現出多種氧化態(tài),含VIA族元素的化合物在研究和生產中有許多重要用途。請回答下列問題:
(1)S單質的常見形式為S8,其環(huán)狀結構如下圖所示,S原子采用的軌道雜化方式是______;

(2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個電子轉化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量,O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序為______;
(3)Se原子序數為______,其核外M層電子的排布式為______;
(4)H2Se的酸性比H2S__________(填“強”或“弱”)。氣態(tài)SeO3分子的立體構型為______平面三角形,SO32離子的立體構型為______三角錐形;
(5)H2SeO3的K1和K2分別為2.7×10-3和2.5×10-8,H2SeO4第一步幾乎完全電離,K2為1.2×10-2,請根據結構與性質的關系解釋:
①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因:                   ;第一步電離后生成的負離子較難再進一步電離出帶正電荷的氫離子;
②H2SeO4比H2SeO3酸性強的原因:______;
(6)ZnS在熒光體、光導體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應用廣泛。立方ZnS晶體結構如圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為____________(列式并計算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為___________________pm(列式表示)。

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已知A、B、C、D、E、F六種元素的原子序數依次遞增, A位于周期表的s區(qū),其原子中電子層數和未成對電子數相同;B的基態(tài)原子中電子占據三種能量不同的原子軌道,且每種軌道中的電子總數相同;D原子的核外成對電子數是未成對電子數的3倍;A、E的原子序數相差10,F+的M層電子全充滿。

請回答下列問題:(答題時,A、B、C、D、E、F用所對應的元素符號表示

(1)C的基態(tài)原子的外圍電子排布式為                ,周期表中F

屬于             區(qū)。

(2)C、D、E三元素的電負性由大到小的順序為:                                   ,簡單離子半徑由大到小的順序為:                                 。

(3)BD分子中,B原子與D原子都達到8電子穩(wěn)定結構,則BD的電子式是               

(4)BD2與EDA反應時,通過控制反應物的物質的量之比,可以得到不同的產物,相同條件下,在水中溶解度較小的產物是                 (寫化學式),其原因是該化合物陰離子間可形成二聚離子或多聚鏈狀離子。該化合物陰離子能夠相互締合的原因是:                      

(5)B2D42             (分子)是等電子體,B2D42離子具有較強的還原性,它能使酸性KMnO4溶液褪色(還原產物為Mn2+),寫出變化的離子方程式:                                 。

(6)右圖分別是E和F的晶胞。晶體中E和F的配位數之比為            。

(7)相同條件下,V1mLBD2V2mLCD的混合氣體通過足量E2D2固體后,氣體體積變?yōu)?i>(V1+V2)/2mL(不考慮CD與E2D2的反應),則V1V2的關系滿足:                                               。

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