VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

    (1)S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S₈，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是______；

    (2)原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)_____；

    (3)Se原子序數(shù)為_(kāi)_____，其核外M層電子的排布式為_(kāi)_____；

    (4)H₂Se的酸性比H₂S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO₃分子的立體構(gòu)型為_(kāi)_____平面三角形，SO₃^2－離子的立體構(gòu)型為_(kāi)_____三角錐形；

    (5)H₂SeO₃的K₁和K₂分別為2.7×10^－3和2.5×10^－8，H₂SeO₄第一步幾乎完全電離，K₂為1.2×10^－2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：

    ①H₂SeO₃和H₂SeO₄第一步電離程度大于第二步電離的原因：__________；

    第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子；

    ②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性強(qiáng)的原因：______；

(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為_(kāi)___________(列式并計(jì)算)，a位置S^2－離子與b位置Zn^2＋離子之間的距離為_(kāi)__________________pm(列式表示)。

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

（1）S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為S₈，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是______；

（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)開(kāi)_____；

（3）Se原子序數(shù)為_(kāi)_____，其核外M層電子的排布式為_(kāi)_____；

（4）H₂Se的酸性比H₂S__________(填“強(qiáng)”或“弱”)。氣態(tài)SeO₃分子的立體構(gòu)型為_(kāi)_____平面三角形，SO₃^2－離子的立體構(gòu)型為_(kāi)_____三角錐形；

（5）H₂SeO₃的K₁和K₂分別為2.7×10^－3和2.5×10^－8，H₂SeO₄第一步幾乎完全電離，K₂為1.2×10^－2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：

①H₂SeO₃和H₂SeO₄第一步電離程度大于第二步電離的原因：                    ；第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子；

②H₂SeO₄比H₂SeO₃酸性強(qiáng)的原因：______；

（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為540.0 pm，密度為_(kāi)___________(列式并計(jì)算)，a位置S^2－離子與b位置Zn^2＋離子之間的距離為_(kāi)__________________pm(列式表示)。

已知A、B、C、D、E、F六種元素的原子序數(shù)依次遞增， A位于周期表的s區(qū)，其原子中電子層數(shù)和未成對(duì)電子數(shù)相同；B的基態(tài)原子中電子占據(jù)三種能量不同的原子軌道，且每種軌道中的電子總數(shù)相同；D原子的核外成對(duì)電子數(shù)是未成對(duì)電子數(shù)的3倍;A、E的原子序數(shù)相差10，F(xiàn)⁺的M層電子全充滿。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：（答題時(shí)，A、B、C、D、E、F用所對(duì)應(yīng)的元素符號(hào)表示）

（1）C的基態(tài)原子的外圍電子排布式為                ,周期表中F

屬于             區(qū)。

（2）C、D、E三元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)椋?u>                                   ，簡(jiǎn)單離子半徑由大到小的順序?yàn)椋?u>                                 。

（3）BD分子中，B原子與D原子都達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，則BD的電子式是                ；

（4）BD₂與EDA反應(yīng)時(shí)，通過(guò)控制反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比，可以得到不同的產(chǎn)物，相同條件下，在水中溶解度較小的產(chǎn)物是                 （寫(xiě)化學(xué)式），其原因是該化合物陰離子間可形成二聚離子或多聚鏈狀離子。該化合物陰離子能夠相互締合的原因是：                       。

（5）B₂D₄^2－和             （分子）是等電子體，B₂D₄^2－離子具有較強(qiáng)的還原性，它能使酸性KMnO₄溶液褪色(還原產(chǎn)物為Mn²⁺)，寫(xiě)出變化的離子方程式：                                 。

（6）右圖分別是E和F的晶胞。晶體中E和F的配位數(shù)之比為            。

（7）相同條件下，V₁mLBD₂與V₂mLCD的混合氣體通過(guò)足量E₂D₂固體后，氣體體積變?yōu)?i>(V₁+V₂)/2mL（不考慮CD與E₂D₂的反應(yīng)）,則V₁與V₂的關(guān)系滿足：                                               。